【产品】尺寸减小达15倍!小型氮化镓晶体管实现更低的栅极驱动损耗

2017-07-04 EPC
氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC2045 氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC2045 氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC2045 氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC2045

全球增强型氮化镓晶体管领袖厂商、致力于开发创新的硅基功率场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7mΩ、100V)及EPC2047(10mΩ、200V)晶体管,在提升产品性能之同时也可以降低成本。100V的EPC2045应用于开放式伺服器架构以实现48V至负载的单级电源转换、负载点(POL)转换器、USB-C及激光雷达(LiDAR)等应用。200V 的EPC2047的应用例子包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。


100V、7mΩ的EPC2045在性能/成本上继续扩大与等效硅基功率MOSFET的绩效差距。与前一代EPC2001C eGaN FET相比, EPC2045的芯片尺寸减半。而200V、10mΩ的EPC2047 eGaN FET的尺寸也是减半,如果与等效硅基MOSFET相比,它的尺寸减小达15倍。

设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件! eGaN产品采用芯片级封装,比MOSFET使用塑胶封装可以更有效地散热,这是由于使用芯片级封装的器件可以直接把热量传递至环境,而MOSFET芯片的热量则聚集在塑胶封装内。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称:“我们非常高兴利用创新的氮化镓技术,开发出这些正在改变半导体行业发展的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。”Alex继续说道:“面向目前采用MOSFET技术的各种应用,这些全新eGaN产品展示出EPC及其氮化镓晶体管技术如何提升产品的性能之同时能够降价。此外,我们将继续发展氮化镓技术以推动全新硅基器件所不能够支持的最终用户应用的出现。这些全新晶体管也印证了氮化镓与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在逐渐扩大”。


此外,我们也为工程师提供3块开发板以帮助工程师易于对EPC2045及EPC2047的性能进行评估,包括内含100V的EPC2045晶体管的开发板(EPC9078EPC9080)和内含200V的EPC2047的开发板(EPC9081)。

eGaN产品的发展进入"良性循环"(virtuous cycle)的轨度
氮化镓工艺所具备的优势是氮化镓器件比等效硅基器件具备低很多的电容,因此可以在更高频、相同的阻抗及额定电压下,实现更低的栅极驱动损耗及更低的开关损耗。与最好的等效MOSFET相比,EPC2045工作在48V-5V电源转换、500kHz开关频率时,功耗降低30%及效率提升2.5%。与硅基MOSFET相反的是,eGaN FET虽然小型很多,但它的开关性能更高,代表eGaN产品的前景是该技术进入"良性循环"的轨度,预期氮化镓器件将会继续小型化而其性能可以更高。

我们看到这些全新产品在性能、尺寸及成本上的改进是由于利用了创新的方法,当击穿时在漏极区域减弱电场并且同时大大减少陷阱,使之所俘获的电子减少。


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  • 我心永恒 Lv6 高级专家 2018-11-19
    什么封装的?比贴片TO262MOS的散热要好吗?
    • 用户30685547_世强回复: EPC2045和EPC2047均是BGA封装。EPC2045的资料链接:https://www.sekorm.com/doc/61649.htmlEPC2047的资料链接:https://www.sekorm.com/doc/61651.html氮化镓主要是LGA和BGA封装,本体相当于裸Die,同等电压下,导通电阻更低,内部杂散电感小,损耗更低,散热效果比TO-263的要好很多,且体积还非常小。

      查看全部1条回复

  • luose Lv8. 研究员 2018-12-06
    学习了!
  • 守猪待兔 Lv7. 资深专家 2018-12-05
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  • 印象 Lv5. 技术专家 2018-12-05
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  • 开哥哥 Lv7. 资深专家 2018-12-05
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  • 德高旺重 Lv9. 科学家 2018-12-05
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  • tutucool Lv7. 资深专家 2018-12-04
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  • 用户39371689 Lv4. 资深工程师 2018-12-03
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  • 小军o Lv5. 技术专家 2018-12-02
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  • lhbixd1995 Lv7. 资深专家 2018-12-01
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

选型表  -  EPC 立即选型

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型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

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型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C

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EPC氮化镓晶体管选型表

EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。

产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

选型表  -  EPC 立即选型

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥15.8639

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥20.5466

现货: 2,011

品牌:EPC

品类:Development Board

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品牌:EPC

品类:Development Board

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品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

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品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

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品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

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品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

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品类:D-mode GaN FET

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥2.6758

现货: 42,184

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

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品牌:英诺赛科

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价格:¥3.5595

现货:936

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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现货:470

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

丙烯酸/光固化&双固化UV胶定制

可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。

最小起订量: 1支 提交需求>

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