【产品】无线电源最佳选择,开关转换速度在亚纳秒范围内的氮化镓晶体管
近年来,配备无线充电功能的消费产品推动了无线充电的快速发展。无线充电的普及要求器件可以在6.78MHz和13.56MHz的更高ISM频段工作。共振式系统在该频段允许高效率和高空间自由度,可同时对不同功率级的设备及对多个设备同时充电。在这些高频率下,传统的MOSFET技术已经接近其性能极限。作为硅基功率MOSFET的替代器件 -- 增强型eGaN FET的开关转换速度在亚纳秒范围内,可以在高频、高压下工作,因此是无线电源应用的理想器件。
EPC的解决方案是在高度共振式无线功率系统、工作在6.78MHz频率、采用差分模式Class E和ZVS Class D放大器拓扑结构、经过实验验证的比较,并且根据AirFuel Class 4标准,可对负载提供最大33W的功率。实验结果表明,在25°C环境温度下,这两种拓扑结构都使得放大器可以在整个功率负载范围内实现超过85%的效率,而场效应晶体管(FET)并不会超过80%的额定电压或超过100°C器件温度。
EPC公司推出了第五代eGaN FET器件,包括EPC2046(200V、RDS(on)最大值为25mΩ、55A脉冲输出电流)和EPC2047 eGaN FET(10mΩ、200V),并备有开发板EPC9081。EPC2046 和 EPC2047都支持无线充电应用。
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