【技术】论氮化镓技术及其产品的发展与应用
于2017年6月28日，EPC公司的Michael de Rooij博士在上海世博展览馆举行的亚太区PCIM 2017研讨会上，与工程师们分享了用于大功率、高度共振无线功率传输应用并在6.78MHz频率下工作的各种放大器拓扑结构的比较。
图：Michael de Rooij博士在6月28日于上海PCIM现场演讲
根据AirFuel Class 4标准、可对负载提供最大33W的功率的高度共振无线电源系统中，工作在6.78MHz频率下，采用不同的差分模式Class E和ZVS Class D放大器拓扑结构，可取得不同的实验验证结果，让工程师作出比较。
以下是Michael与《电子工程专辑》总分析师于上海举行的PCIM 2017研讨会后的对话。
分析师：请问你EPC氮化镓技术最新的发展进程是什么？与业界其它发展氮化镓技术的公司的产品相比，有什么不同？
Michael：每一家公司的技术都有各自的方程式及专注应用。我们最近推出基于第五代氮化镓eGaN技术的产品系列，无论在性能及成本上都实现质的飞跃——产品具备更高的性能、小型化及更低的成本。这是由于我们可以降低场效应晶体管的导通电阻，这代表在相同的导通电阻下（RDSon），可以减少COSS，从而可以实现从所未有这么高的效率。EPC2045（7mΩ、100V）及EPC2047（10mΩ、200V）氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在性能得到显著提升。EPC2046（25mΩ、200V）更比等效MOSFET小型化12倍。在应用方面，EPC2045应用于开放式伺服器架构以实现48V转至负载的单级电源转换、负载点（POL）转换器、USB-C及激光雷达（LiDAR）等应用。EPC2046的应用包括无线充电。EPC2047用于PV逆变器及其它高压DC/DC或DC/AC转换器。
此外，客户非常关注产品的可靠性，尤其是基于全新的技术的产品。诚然，要展示全新技术的可靠性是一个很大的挑战。我们已经发布了第九阶段可靠性测试报告，记录了受测的器件在累计超过900万个器件-小时的应力测试后，完全没有器件发生任何故障。该报告聚焦受测的器件都通过了热机械可靠性测试，以及与可比的封装器件相比，采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）的氮化镓晶体管具备更卓越的可靠性，不需要封装的时代来临了。现在，工程师可以利用报告所描述的模型来预测器件在不同压力下的可靠性及会否发生故障的情况。
分析师：你们有没有进一步开发基于氮化镓技术的集成电路？
Michael：有的。我们的全新集成电路系列加入了新成员——EPC2111氮化镓半桥功率晶体管，它可以帮助工程师提高整个负载点系统应用的效率，在14A、12V转到1.8V、5MHz开关时实现超过85%效率，以及在10MHz开关时实现超过80%效率。
分析师：氮化镓技术是否主要应用于射频、电源供电的领域？
Michael：不是的。氮化镓可以应用于其它很多的领域，例如由于氮化镓技术大大提升分辨率（resolution），从而推动了近来热门的激光雷达（LiDAR）系统的发展。
分析师：氮化镓场效应晶体管（GaN FET）替代MOSFET的优势是什么？在性能及成本上的比较如何？
Michael：与MOSFET相比，氮化镓场效应晶体管可以使得转换器在更高的频率下工作和实现更高的效率。结果是实现小型化转换器，从而可以提高性能及降低成本。
分析师：基于氮化镓技术的无线充电产品的下一步发展路线图是什么？
Michael：氮化镓技术已经被证实为可以在高度共振无线充电应用中比MOSFET的性能更优越。氮化镓晶体管可以提高无线功率转换器的功率，从而实现从无线充电到无线供电。这样，无线电源可以覆盖更大的面积，例如办公室的桌面可以对笔记本电脑、电脑显示器、桌灯及手机进行无线充电/供电。
分析师：你认为氮化镓基的无线充电系统何时会真正普及化？为什么会普及化？业界有不同的意见认为无线充电还有很多障碍需要跨越。
Michael：无线充电的普及是一个过程，而在这个过程中，我们需要跨越很多在技术和条例限制方面所遇到的障碍。由于无线充电非常方便，它的发展是必然的。要待更多制造商制造更多使用无线充电的产品后，普及化会加速。正如我们已经看到，Dell在2017年1月宣布他们将于7月推出配备无线充电功能的笔记本电脑。此外，多间公司正在生产信用卡大小的无线电源接受器，可安装于你的手机上。
分析师：请问有没有氮化镓器件与其它等效器件的比较数据或图表？
Michael：有的，但资料非常详尽及繁多，希望你的读者可以参考我们的《无线电源手册》第二版。
当分析师问到氮化镓器件在具体应用上有什么进展时，Michael分享了氮化镓在无线充电消费市场的最新发展，就是戴尔（Dell）刚刚推出的Latitude7285，是全球首部可利用无线充电的二合一产品。它是基于氮化镓技术并利用WiTricity的磁共振无线充电技术，为我们的工作间提供自由自在、没有电源线的环境。
相关技术文档：
EPC EPC2045增强型功率晶体管数据手册 详情>>>
EPC EPC2111增强型GaN功率晶体管半桥数据手册 详情>>>
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EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
|
0.14
|
0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）
描述- 本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR)，从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
【产品】低损耗高效率GaN高频增强型功率晶体管，总栅极电荷仅370pC
EPC的EPC8009导通电阻为90mΩ，具有很低的FOM值。
【经验】EPC进行一系列严格的压力测试，以保证eGaN FET可靠性
前面内容详细介绍了EPC公司的增强型氮化镓（eGaN）FET和集成电路（ICS）的现场可靠性经验。 eGaN器件卓越的现场可靠性证明了基于应力的鉴定测试能够确保客户应用的可靠性。 在本文中，我们将研究EPC设备进行压力测试来保证产品的合格性。EPC产品只有完成一系列严格的应力测试才能为生产做准备，同时在数据表规格内运行。采用压力测试来加速潜在的故障模式。
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
【白皮书】EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管FET电气特性（WP007）
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性，并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同，是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥10.5122
现货： 1,620
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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