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在电子商城中找到“ROGERS silicone sponge”的结果20263条

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Rogers（罗杰斯）— 材料技术领域的世界领先者。Rogers（罗杰斯）是全球性的制造企业，已经成为全球用户的首选特殊材料供应商，总部设在美国。作为美国历史最悠久的上市公司之一，罗杰斯具有创新和与客户一起合作解决问题的优良传统。从1832年成立之初公司作为纸板生产商到现在，罗杰斯已经发展成为世界领先的特殊材料供应商，涵盖众多高技术设备和系统。

微波层压板、覆铜板、铜箔、半固化片、高频层压板、高频PCB材料、VLP铜箔、LOPRO铜箔、热固型半固化片、PPE半固化片

型号/品牌参数供应商价格库存服务

品类：Silicon Gate CMOS

系列：74HC02

描述：Quad 2 Input NOR Gate,High Performance Silicon Gate CMOS

封装/外壳/尺寸：SOP-14L

最小包装量：2,500

订货型号	74HC02M/TR
品牌	华冠半导体
型号系列	74HC02
品类	Silicon Gate CMOS
描述/说明	Quad 2 Input NOR Gate,High Performance Silicon Gate CMOS
封装/外壳/尺寸	SOP-14L
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Supply Voltage (V)	-0.5~7.0V
Input Current(mA)	±20mA
Output Drive Capability	10 LSTTL Loads
Power Dissipation(mW)	500mW

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1+: ¥ 0.6667 30+: ¥ 0.5715 100+: ¥ 0.5000 1000+: ¥ 0.4706

世强仓： 50 (约3个工作日)

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品类：Silicon Planar PNPN Thyristor

技术资料

CAD模型

系列：PCR406

描述：Silicon Planar PNPN Thyristor,RMS on-state current to 0.6 A

封装/外壳/尺寸：SOT-23

最小包装量：3,000

订货型号	PCR406
品牌	SLKOR
型号系列	PCR406
品类	Silicon Planar PNPN Thyristor
描述/说明	Silicon Planar PNPN Thyristor,RMS on-state current to 0.6 A
封装/外壳/尺寸	SOT-23
最小包装量	3,000
包装形式	无
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
RMS on-state current	0.6A
Repetitive peak off-state voltage	400V

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世强仓： 50 (当天发货)

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品类：SILICON BRIDGE RECTIFIER

技术资料

系列：2RS107M

描述：SILICON BRIDGE RECTIFIER,VRRM=1000V; Io=2.0A;IFSM=60A; Vf=1.1V; Ir=2.0 uA;

封装/外壳/尺寸：DO-214AC

最小包装量：1

订货型号	2RS107M
品牌	丽正国际
型号系列	2RS107M
品类	SILICON BRIDGE RECTIFIER
描述/说明	SILICON BRIDGE RECTIFIER,VRRM=1000V; Io=2.0A;IFSM=60A; Vf=1.1V; Ir=2.0 uA;
封装/外壳/尺寸	DO-214AC
最小包装量	1
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间	2021-06-11
VRRM	1000V
Io	2A
IFSM	60A
Vf	1.1V
Ir	2.0 uA

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1+: ¥ 0.7357 500+: ¥ 0.6867 1000+: ¥ 0.6438

世强仓： 300 (当天发货)

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品类：Surface Mount General Purpose Silicon Rectifiers

技术资料

CAD模型

系列：M20

描述：...Mount General Purpose Silicon Rectifiers, 封装: SMA, VRRM=2000V, IF(AV)=1A, IFSM=30A

封装/外壳/尺寸：SMA

最小包装量：3,000

订货型号	M20A
品牌	高特
型号系列	M20
品类	Surface Mount General Purpose Silicon Rectifiers
描述/说明	...Mount General Purpose Silicon Rectifiers, 封装: SMA, VRRM=2000V, IF(AV)=1A, IFSM=30A
封装/外壳/尺寸	SMA
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

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1+: ¥ 0.2000 100+: ¥ 0.1500 3000+: ¥ 0.1200

世强仓： 100 (当天发货)

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品类：Silicon Zener Diodes

技术资料

CAD模型

系列：3SMB5932A

描述：Silicon Zener Diodes

最小包装量：1

订货型号	3SMB5932A
品牌	鲁光电子
型号系列	3SMB5932A
品类	Silicon Zener Diodes
描述/说明	Silicon Zener Diodes
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Case Style	SMB
VZ(Nom)	20V
Pd（W）	3.0
IZT(mA)	18.7
IR(uA)	1
VR(V)	15.2

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1+: ¥ 0.3143 500+: ¥ 0.2933 3000+: ¥ 0.2750

世强仓： 50 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：AS3D005120A

描述：1200V,5A Silicon Carbide Schottky Diode

封装/外壳/尺寸：TO-220-2

最小包装量：3,000

订货型号	AS3D005120A
品牌	安邦
型号系列	AS3D005120A
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	1200V,5A Silicon Carbide Schottky Diode
封装/外壳/尺寸	TO-220-2
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VRRM(V)	1200
IF(A)	9.5
Qc(nC)	18.5

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¥ 4.9625

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：AS3D004065F

描述：650V,4A Silicon Carbide Schottky Diode

封装/外壳/尺寸：TO-220-2F

最小包装量：3,000

订货型号	AS3D004065F
品牌	安邦
型号系列	AS3D004065F
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	650V,4A Silicon Carbide Schottky Diode
封装/外壳/尺寸	TO-220-2F
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VRRM(V)	650
IF(A)	4.9
Qc(nC)	9

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¥ 5.3400

世强仓： 10 (当天发货)

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品牌：Central Semiconductor

品类：SILICON ZENER DIODES

技术资料

CAD模型

系列：CZ5338B

描述：SILICON ZENER DIODES 3.3 THRU 200 VOLT5W, 5% TOLERANCE

封装/外壳/尺寸：DO-201

最小包装量：500

订货型号	CZ5338B BK PBFREE
品牌	Central Semiconductor
型号系列	CZ5338B
品类	SILICON ZENER DIODES
描述/说明	SILICON ZENER DIODES 3.3 THRU 200 VOLT5W, 5% TOLERANCE
封装/外壳/尺寸	DO-201
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

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世强仓： 15 (当天发货)

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品牌：Central Semiconductor

品类：SILICON ZENER DIODES

技术资料

CAD模型

系列：CZ5339B

描述：SILICON ZENER DIODES 3.3 THRU 200 VOLT5W, 5% TOLERANCE

封装/外壳/尺寸：DO-201

最小包装量：500

订货型号	CZ5339B BK PBFREE
品牌	Central Semiconductor
型号系列	CZ5339B
品类	SILICON ZENER DIODES
描述/说明	SILICON ZENER DIODES 3.3 THRU 200 VOLT5W, 5% TOLERANCE
封装/外壳/尺寸	DO-201
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

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世强仓： 15 (当天发货)

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品类：SILICON ZENER DIODE

技术资料

CAD模型

系列：1SMA5922-AU Series;1SMA5922-AU

描述：Silicon planar Zener diode, low profile surface-mount package,low leakage current.

封装/外壳/尺寸：SMA

最小包装量：1,800

订货型号	1SMA5922-AU_R1_000A1
品牌	PANJIT
型号系列	1SMA5922-AU Series;1SMA5922-AU
品类	SILICON ZENER DIODE
描述/说明	Silicon planar Zener diode, low profile surface-mount package,low leakage current.
封装/外壳/尺寸	SMA
最小包装量	1,800
包装形式	编带/卷装
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VZ@IZT（Nom. ）	7.5V@50mA
VZ@IZT	7.13V~7.88V@50mA
ZZT@IZT	3Ω@50mA
ZZK@IZK	400Ω@0.5mA
IR@VR	5uA@6V

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1+: ¥ 0.3552 100+: ¥ 0.3315 2000+: ¥ 0.2925

世强仓： 1,813 (当天发货)

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品类：SILICON ZENER DIODE

技术资料

CAD模型

系列：1SMA5931-AU Series;1SMA5931-AU

描述：Silicon planar Zener diode, low profile surface-mount package,low leakage current.

封装/外壳/尺寸：SMA

最小包装量：1,800

订货型号	1SMA5931-AU_R1_000A1
品牌	PANJIT
型号系列	1SMA5931-AU Series;1SMA5931-AU
品类	SILICON ZENER DIODE
描述/说明	Silicon planar Zener diode, low profile surface-mount package,low leakage current.
封装/外壳/尺寸	SMA
最小包装量	1,800
包装形式	编带/卷装
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VZ@IZT（Nom. ）	18V@20.8mA
VZ@IZT（Min. ）	17.1V@20.8mA
VZ@IZT（Max. ）	18.9V@20.8mA
ZZT@IZT	12Ω@20.8mA
ZZK@IZK	650Ω@0.25mA
IR@VR	1uA@13.7V

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1+: ¥ 0.3552 100+: ¥ 0.3315 2000+: ¥ 0.2925

世强仓： 1,809 (当天发货)

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品类：晶闸管;SILICON MOSFET

技术资料

CAD模型

系列：S2M0025120K

描述：MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

封装/外壳/尺寸：TO-247-4

最小包装量：1

订货型号	S2M0025120K
品牌	SMC
型号系列	S2M0025120K
品类	晶闸管;SILICON MOSFET
描述/说明	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装/外壳/尺寸	TO-247-4
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
安装类型	通孔
Polarity	N 通道
功率 - 最大值	功率耗散446W（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 15mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4402 pF @ 1000 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	130 nC @ 20 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	34 毫欧 @ 50A，20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	63A（Tc）
技术	SiCFET（碳化硅）

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1+: ¥ 174.9280 250+: ¥ 162.4326 500+: ¥ 142.1285 1000+: ¥ 133.7680

世强仓： 30 (当天发货)

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品类：晶闸管;SILICON MOSFET

技术资料

CAD模型

系列：S2M0040120K

描述：MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

封装/外壳/尺寸：TO-247-4

最小包装量：1

订货型号	S2M0040120K
品牌	SMC
型号系列	S2M0040120K
品类	晶闸管;SILICON MOSFET
描述/说明	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装/外壳/尺寸	TO-247-4
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
安装类型	通孔
Polarity	N 通道
漏源电压（Vdss）	1200 V
技术	SiCFET（碳化硅）

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一支起订

授权代理

1+: ¥ 99.5870 250+: ¥ 92.4736 500+: ¥ 80.9144 1000+: ¥ 76.1548

世强仓： 30 (当天发货)

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品类：晶闸管;SILICON MOSFET

技术资料

CAD模型

系列：S2M0080120D

描述：MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

封装/外壳/尺寸：TO-247AD

最小包装量：1

订货型号	S2M0080120D
品牌	SMC
型号系列	S2M0080120D
品类	晶闸管;SILICON MOSFET
描述/说明	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装/外壳/尺寸	TO-247AD
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
安装类型	通孔
Polarity	N 通道
功率 - 最大值	功率耗散（最大值）231W（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 10mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1324 pF @ 1000 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	54 nC @ 20 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	100 毫欧 @ 20A，20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	41A（Tc）
技术	SiCFET（碳化硅）

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1+: ¥ 41.6670 250+: ¥ 38.6905 500+: ¥ 33.8542 1000+: ¥ 31.8628

世强仓： 25 (当天发货)

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品类：晶闸管;SILICON MOSFET

技术资料

CAD模型

系列：S2M0025120D

描述：MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

封装/外壳/尺寸：TO-247AD

最小包装量：1

订货型号	S2M0025120D
品牌	SMC
型号系列	S2M0025120D
品类	晶闸管;SILICON MOSFET
描述/说明	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装/外壳/尺寸	TO-247AD
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
安装类型	通孔
Polarity	N 通道
功率 - 最大值	功率耗散446W（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 15mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4402 pF @ 1000 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	130 nC @ 20 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	34 毫欧 @ 50A，20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	63A（Tj）
技术	SiCFET（碳化硅）

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一支起订

授权代理

1+: ¥ 173.3890 250+: ¥ 161.0040 500+: ¥ 140.8785 1000+: ¥ 132.5916

世强仓： 23 (当天发货)

加入清单

品类：晶闸管;SILICON MOSFET

技术资料

系列：S2M0040120D

描述：MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

封装/外壳/尺寸：TO-247-3

最小包装量：1

订货型号	S2M0040120D
品牌	SMC
型号系列	S2M0040120D
品类	晶闸管;SILICON MOSFET
描述/说明	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装/外壳/尺寸	TO-247-3
最小包装量	1
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间
安装类型	通孔
Polarity	N 通道
漏源电压（Vdss）	1200 V
技术	SiCFET（碳化硅）

更多参数

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一支起订

授权代理

1+: ¥ 98.0490 250+: ¥ 91.0450 500+: ¥ 79.6644 1000+: ¥ 74.9783

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator

技术资料

CAD模型

系列：AS5001;5001

描述：All Silicon OSC,100.0000MHz HCSL,封装尺寸 3225

封装/外壳/尺寸：3225

最小包装量：250

订货型号	5001FAC100M0000BBIT
品牌	南京益昂
型号系列	AS5001;5001
品类	全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator
描述/说明	All Silicon OSC,100.0000MHz HCSL,封装尺寸 3225
封装/外壳/尺寸	3225
最小包装量	250
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
频率（MHz）	100.0000MHz
输出格式	HCSL
总稳定度（ppm）	50ppm

更多参数

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一支起订

授权代理

¥ 22.5000

世强仓： 498 (当天发货)

加入清单

品类：全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator

技术资料

CAD模型

系列：AS5001;5001

描述：All Silicon OSC,150.0000MHz LVDS,封装尺寸 3225

封装/外壳/尺寸：3225

最小包装量：250

订货型号	5001DAC150M0000BBIT
品牌	南京益昂
型号系列	AS5001;5001
品类	全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator
描述/说明	All Silicon OSC,150.0000MHz LVDS,封装尺寸 3225
封装/外壳/尺寸	3225
最小包装量	250
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
频率（MHz）	150.0000MHz
输出格式	LVDS
总稳定度（ppm）	50ppm

更多参数

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一支起订

授权代理

¥ 22.5000

世强仓： 498 (当天发货)

加入清单

品类：全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator

技术资料

CAD模型

系列：AS5001;5001

描述：All Silicon OSC,200.0000MHz LVDS,封装尺寸 3225

封装/外壳/尺寸：3225

最小包装量：250

订货型号	5001DAC200M0000BBIT
品牌	南京益昂
型号系列	AS5001;5001
品类	全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator
描述/说明	All Silicon OSC,200.0000MHz LVDS,封装尺寸 3225
封装/外壳/尺寸	3225
最小包装量	250
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
频率（MHz）	200.0000MHz
输出格式	LVDS
总稳定度（ppm）	50ppm

更多参数

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授权代理

¥ 25.0000

世强仓： 495 (当天发货)

加入清单

品类：全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator

技术资料

CAD模型

系列：AS5001;5001

描述：All Silicon OSC,200.0000MHz LVPECL,封装尺寸 3225

封装/外壳/尺寸：3225

最小包装量：250

订货型号	5001AAC200M0000BBIT
品牌	南京益昂
型号系列	AS5001;5001
品类	全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator
描述/说明	All Silicon OSC,200.0000MHz LVPECL,封装尺寸 3225
封装/外壳/尺寸	3225
最小包装量	250
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
频率（MHz）	200.0000MHz
输出格式	LVPECL
总稳定度（ppm）	50ppm

更多参数

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授权代理

¥ 25.0000

世强仓： 493 (当天发货)

加入清单

品类：全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator

技术资料

CAD模型

系列：AS5001;5001

描述：All Silicon OSC,150.0000MHz LVDS,封装尺寸 5032

封装/外壳/尺寸：5032

最小包装量：250

订货型号	5001DAC150M0000ABIT
品牌	南京益昂
型号系列	AS5001;5001
品类	全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator
描述/说明	All Silicon OSC,150.0000MHz LVDS,封装尺寸 5032
封装/外壳/尺寸	5032
最小包装量	250
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
频率（MHz）	150.0000MHz
输出格式	LVDS
总稳定度（ppm）	50ppm

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授权代理

¥ 22.5000

世强仓： 493 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSD04065G1

描述：Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):4, VF(V)typ:1.4

最小包装量：2,500

订货型号	MSD04065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSD04065G1
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):4, VF(V)typ:1.4
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	4A
反向耐压 VR[V]	650V
正向压降 VF[V] (TYP)	1.4V
工作结温 Tj [°C]	175℃

更多参数

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授权代理

¥ 5.2000

世强仓： 200 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP20065G1

描述：Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):20, VF(V)typ:1.4

最小包装量：50

订货型号	MSP20065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP20065G1
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):20, VF(V)typ:1.4
封装/外壳/尺寸
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	20A
反向耐压 VR[V]	650V
正向压降 VF[V] (TYP)	1.4V
工作结温 Tj [°C]	175℃

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¥ 25.0000

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品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP06065G1

描述：Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):6, VF(V)typ:1.5

最小包装量：50

订货型号	MSP06065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP06065G1
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):6, VF(V)typ:1.5
封装/外壳/尺寸
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	6A
反向耐压 VR[V]	650V
正向压降 VF[V] (TYP)	1.4V
工作结温 Tj [°C]	175℃

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品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP10120G1

描述：Silicon Carbide Schottky Diode

最小包装量：50

订货型号	MSP10120G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP10120G1
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	Silicon Carbide Schottky Diode
封装/外壳/尺寸
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	10A
反向耐压 VR[V]	1200V
正向压降 VF[V] (TYP)	1.45V
工作结温 Tj [°C]	175℃

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¥ 26.0000

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品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP10065G1

描述：Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):10, VF(V)typ:1.4

最小包装量：50

订货型号	MSP10065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP10065G1
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):10, VF(V)typ:1.4
封装/外壳/尺寸
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	10A
反向耐压 VR[V]	650V
正向压降 VF[V] (TYP)	1.4V
工作结温 Tj [°C]	175℃

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品类：全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator

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CAD模型

系列：AS5001;5001

描述：All Silicon OSC,100.0000MHz HCSL,封装尺寸 5032

封装/外壳/尺寸：5032

最小包装量：250

订货型号	5001FAC100M0000ABIT
品牌	南京益昂
型号系列	AS5001;5001
品类	全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator
描述/说明	All Silicon OSC,100.0000MHz HCSL,封装尺寸 5032
封装/外壳/尺寸	5032
最小包装量	250
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
频率（MHz）	100.0000MHz
输出格式	HCSL
总稳定度（ppm）	50ppm

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¥ 22.5000

世强仓： 491 (当天发货)

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品类：全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator

技术资料

CAD模型

系列：AS5001;5001

描述：All Silicon OSC,200.0000MHz LVDS,封装尺寸 5032

封装/外壳/尺寸：5032

最小包装量：250

订货型号	5001DAC200M0000ABIT
品牌	南京益昂
型号系列	AS5001;5001
品类	全硅晶振;Low Jitter Fixed Frequency Oscillator;all-silicon oscillator
描述/说明	All Silicon OSC,200.0000MHz LVDS,封装尺寸 5032
封装/外壳/尺寸	5032
最小包装量	250
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
频率（MHz）	200.0000MHz
输出格式	LVDS
总稳定度（ppm）	50ppm

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¥ 25.0000

世强仓： 22 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSD05120G1

描述：Silicon Carbide Schottky Diode

最小包装量：50

订货型号	MSD05120G1
品牌	美浦森
型号系列	MSD05120G1
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	Silicon Carbide Schottky Diode
封装/外壳/尺寸
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	5A
反向耐压 VR[V]	1200V
正向压降 VF[V] (TYP)	1.45V
工作结温 Tj [°C]	175℃

更多参数

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¥ 8.6800

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Schottky Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP04065G1

描述：Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):4, VF(V)typ:1.4

最小包装量：50

订货型号	MSP04065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP04065G1
品类	Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明	Silicon Carbide Schottky Diode; VR(V):650, IF(A):4, VF(V)typ:1.4
封装/外壳/尺寸
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	4A
反向耐压 VR[V]	650V
正向压降 VF[V] (TYP)	1.4V
工作结温 Tj [°C]	175℃

更多参数

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¥ 4.2000

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP16065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):16, VF(V)TYP 1.4

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	MSP16065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP16065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):16, VF(V)TYP 1.4
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：16A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.4V

更多参数

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¥ 16.3360

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP05120G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):5, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	MSP05120G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP05120G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):5, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：5A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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¥ 11.1840

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP02120G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200 IF(A):2, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	MSP02120G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP02120G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200 IF(A):2, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：2A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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¥ 5.2320

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSF10120G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):10, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-220F

最小包装量：50

订货型号	MSF10120G1
品牌	美浦森
型号系列	MSF10120G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):10, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-220F
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：10A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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¥ 21.3120

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSF08065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):8, VF(V)TYP 1.4

封装/外壳/尺寸：TO-220F

最小包装量：50

订货型号	MSF08065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSF08065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):8, VF(V)TYP 1.4
封装/外壳/尺寸	TO-220F
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：8A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.4V

更多参数

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¥ 8.5280

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSF06065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):6, VF(V)TYP 1.4

封装/外壳/尺寸：TO-220F

最小包装量：50

订货型号	MSF06065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSF06065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):6, VF(V)TYP 1.4
封装/外壳/尺寸	TO-220F
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：6A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.4V

更多参数

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¥ 6.6560

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSD06065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):6, VF(V)TYP 1.4

封装/外壳/尺寸：TO-252

最小包装量：2,500

订货型号	MSD06065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSD06065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):6, VF(V)TYP 1.4
封装/外壳/尺寸	TO-252
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：6A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.4V

更多参数

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¥ 6.4000

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSNP10065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):10, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	MSNP10065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSNP10065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):10, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：10A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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¥ 11.5520

世强仓： 10 (当天发货)

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品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSNP08065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):8, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	MSNP08065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSNP08065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):8, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：8A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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¥ 9.7760

世强仓： 10 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSNP06065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):6, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	MSNP06065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSNP06065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):6, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：6A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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授权代理

¥ 7.8080

世强仓： 10 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSD02120V1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):2, VF(V)TYP 1.4

封装/外壳/尺寸：TO-252

最小包装量：2,500

订货型号	MSD02120V1
品牌	美浦森
型号系列	MSD02120V1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):2, VF(V)TYP 1.4
封装/外壳/尺寸	TO-252
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：2A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.4V

更多参数

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授权代理

¥ 4.7040

世强仓： 10 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSB20120G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):20, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-263

最小包装量：50

订货型号	MSB20120G1
品牌	美浦森
型号系列	MSB20120G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):20, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-263
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：20A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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授权代理

¥ 41.7440

世强仓： 10 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSF10065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):10, VF(V)TYP 1.4

封装/外壳/尺寸：TO-220F

最小包装量：50

订货型号	MSF10065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSF10065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):10, VF(V)TYP 1.4
封装/外壳/尺寸	TO-220F
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：10A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.4V

更多参数

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一支起订

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¥ 10.3040

世强仓： 6 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSH20120G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):20, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-247

最小包装量：50

订货型号	MSH20120G1
品牌	美浦森
型号系列	MSH20120G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):20, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-247
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：20A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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授权代理

¥ 42.4000

世强仓： 5 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP08065G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):8, VF(V)TYP 1.4

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	MSP08065G1
品牌	美浦森
型号系列	MSP08065G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):8, VF(V)TYP 1.4
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：8A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.4V

更多参数

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¥ 8.5280

世强仓： 5 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MSP02120V1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):2, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	MSP02120V1
品牌	美浦森
型号系列	MSP02120V1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):2, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：2A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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授权代理

¥ 5.2320

世强仓： 5 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MS2H32120G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):32, VF(V)TYP 1.4

封装/外壳/尺寸：TO-247

最小包装量：50

订货型号	MS2H32120G1
品牌	美浦森
型号系列	MS2H32120G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):650, IF(A):32, VF(V)TYP 1.4
封装/外壳/尺寸	TO-247
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：32A
反向耐压	VR：650V
正向压降	VF TYP：1.4V

更多参数

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授权代理

¥ 32.4800

世强仓： 5 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MS2H40120G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):40, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-247

最小包装量：50

订货型号	MS2H40120G1
品牌	美浦森
型号系列	MS2H40120G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):40, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-247
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：40A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.45V

更多参数

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授权代理

¥ 85.2480

世强仓： 5 (当天发货)

加入清单

品类：Silicon Carbide Diode

技术资料

CAD模型

系列：MS2H20120G1

描述：Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):20, VF(V)TYP 1.45

封装/外壳/尺寸：TO-247

最小包装量：50

订货型号	MS2H20120G1
品牌	美浦森
型号系列	MS2H20120G1
品类	Silicon Carbide Diode
描述/说明	Silicon Carbide Diode,VR(V):1200, IF(A):20, VF(V)TYP 1.45
封装/外壳/尺寸	TO-247
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
正向电流	IF：20A
反向耐压	VR：1200V
正向压降	VF TYP：1.45V

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技术资料

CAD模型

系列：MESH STRIP®

描述：MESH STRIP® with elastomer core incorporates an elastomer material encapsulated in a knit wire mesh to improve on compression set characteristics and extend gasket life

最小包装量：1

订货型号	01-0504-1861
品牌	PARKER CHOMERICS
型号系列	MESH STRIP®
品类	EMI Gasketing;EMI衬垫
描述/说明	MESH STRIP® with elastomer core incorporates an elastomer material encapsulated in a knit wire mesh to improve on compression set characteristics and extend gasket life
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
材料	Ferrex
内芯	Silicone Sponge
屏蔽效能	>80dB

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