偏压功率
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详解VD MOSFET寄生电容与栅电荷
VD MOSFET为单极性器件，如N-Channel VD MOSFET内只有电子作为载流子流动，由于没有少子注入，可以在栅偏压小于阈值电压时立即夹断沟道，多子密度在半导体内重新平衡（该过程为电介质释放时间）。对典型的硅功率MOSFET，介质释放时间一般在皮秒级，由此看出功率MOSFET的开关速度应当极快，但实际上其开关速度会受到寄生电容的限制。本文介绍VD MOSFET寄生电容与栅电荷。
EPC氮化镓®FET EPC2302鉴定报告
本报告总结了EPC2302产品的认证测试结果，该产品是一款100V eGaN功率晶体管，采用QFN封装。测试包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）、高温存储（HTS）、湿度敏感度等级（MSL）、无偏压高度加速应力测试（uHAST）等多种环境下的可靠性测试。所有测试均符合或超过了规定的标准，EPC2302已通过认证并可用于生产。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FET,EPC2302
广告 发布时间 : 2025-03-03
【IC】新洁能NSG6000 650V单通道半桥栅极驱动芯片，自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通
NCE新洁能NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定。
【应用】升压驱动IC SGM3720YTN6G/TR助力楼宇室内终端实现7寸TFT液晶屏的背光驱动及LCD偏压的产生
楼宇对讲系统，由单元门口机和室内终端构成，笔者设计的一款楼宇室内终端采用圣邦微的升压驱动IC SGM3720YTN6G/TR实现7寸TFT液晶屏的背光驱动及LCD偏压的产生。 SGM3720YTN6G/TR是一款多功能恒流LED驱动器，具有高效率升压转换器架构。内部集成40V/1.6A功率MOSFET，大大缩小了PCB布局空间，并最大限度地减少了外部元件总数。
NR1700DC（-P）系列AEC-Q100可靠性报告
本报告为NR1700DC(-P)系列汽车级元器件的可靠性测试报告。内容包括加速环境应力试验、加速寿命模拟试验、封装完整性测试、晶圆制造可靠性测试、电气验证测试、缺陷筛选测试和腔体封装完整性测试等多个方面。所有测试项目均符合标准要求，产品性能稳定可靠。 - 加速环境应力试验包括温度湿度偏压、无偏高温高湿、温度循环、功率温度循环等。 - 加速寿命模拟试验包括高温工作寿命、早期失效率、非易失性存储器耐久性等。 - 封装完整性测试包括焊接强度、可焊性、物理尺寸等。 - 晶圆制造可靠性测试包括电迁移、热载流子注入等。 - 电气验证测试包括功能/参数测试、人体模型静电放电等。 - 缺陷筛选测试包括工艺平均测试、统计分箱/良率分析等。 - 腔体封装完整性测试包括机械冲击、振动等。
NISSHINBO - NR1700DCP,NR1700DCP SERIES,NR1700DC SERIES,NR1700DC
【产品】15W超高输出的双级高功率放大器，拥有24dB线性增益
UMS推出的CHA8610-99F系列双级高功率放大器，频率范围为8.5~11GHz。其线性增益高达24dB，拥有超高线性度的优点，频率响应曲线好，具有低失真度的特性。功率附加效率为40%，输出功率为15W，直流偏压为30V，可保证放大器工作在线性范围。其工作温度范围在-40℃~85℃，存储温度范围在-55℃~150℃，结温为230℃，具有更高的使用安全性。可用于从军事到商业通信系统的广泛应用。
【产品】可提供100%额定电流回收能力的电网仿真电源61800
Chroma的61800系列回收式电网仿真电源使用全数字式控制技术，可在最大相电压300V及30Hz到100Hz频率的输出范围下，提供最大功率。所有型号都可输出非常纯净的正弦波，可在50Hz/60Hz满载输出下低于0.5%总谐波失真率。不仅可输出纯交流电压，还有AC+DC输出模式来扩大应用，测试直流偏压成份。
【经验】IGBT模块应用于小功率电机驱动系统时需考虑的因素
Vincotech的IGBT模块在小功率电机驱动系统中应用时，需要考虑一些因素，包括开关频率、死区时间、阻抗匹配、电机端电压、逆变器损耗和反向偏压安全工作区，并就Vincotech的IGBT模块在死区时间设计时的优势做了简要介绍。
集成负偏压的IVCR1401 35V 4A SiC和IGBT 8针驱动器
该资料介绍了IVCR1401，一款由InventChip开发的单通道高速栅极驱动器。它适用于低边和高边功率应用，具有内置负偏置生成、失饱和检测和可编程欠压锁定功能。该产品专为高效和安全地驱动碳化硅MOSFET和IGBT而设计，提供4A的源极和漏极峰值驱动电流，支持宽电源电压范围高达35V。
瞻芯电子 - 集成负偏压的8针驱动器,8-PIN DRIVER WITH INTEGRATED NEGATIVE BIAS,IVCR1401DP,IVCR1401DR,IVCR1401DPR,IVCR1401D,IVCR1401,不间断电源,交直流变换器,充电站,光伏助推器,电动汽车车载充电器,逆变器,DC/DC转换器,EV/HEV逆变器,AC/DC CONVERTERS,CHARGING STATIONS,DC/DC CONVERTERS,EV ON BOARD CHARGERS,EV/HEV INVERTERS,INVERTERS,PV BOOSTERS,UPS
通信设备收发组件上想要用检波二极管实现对PA功放输出的信号做功率检测，有合适推荐吗
您好，可以看一下顶诺微的TPM2860C系列直流偏压检波二极管，SOD-523，SOT-23，SOT-143多种封装，具有良好的射频应用性能，数据手册：https://www.sekorm.com/doc/3579099.html
可靠性报告1/06电力半导体器件（2004年1月-2005年12月）
本报告由IXYS Corporation发布，详细介绍了该公司在2004年1月至2005年12月期间对功率半导体器件的可靠性测试结果。报告涵盖了多种测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、湿度测试、功率循环和温度循环等，旨在评估器件在不同环境下的性能和可靠性。报告提供了详细的测试数据、失效模式和敏感参数，以及器件的平均失效时间（MTTF）和失效率（FIT）。
IXYS - 功率半导体器件,POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
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