功率晶体管

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以下功率晶体管已停产,现已报废(EOL)(PDN01250)

本资料详细介绍了多种TO-3封装的功率晶体管的技术参数,包括最大集电极电流、功耗、击穿电压等关键性能指标。资料还提供了产品支持、设计支持/服务、产品镀层请求和联系方式等信息。此外,资料还列出了即将停产和已进入生命终结阶段(EOL)的晶体管型号,并提供了相应的替代产品建议。

CENTRAL SEMICONDUCTOR  -  功率晶体管,POWER TRANSISTORS,BD138-10,BD138-16,PMD16K60,BUW34,2N4232,2N6532,2N4231,BUW36,CEN1111,2N6530,BUW35,2N4233,2N6531,BD675A,TIP102,MJE170,MJE171,MJE172,TIP107,CEN597,2N2222

2/10/23  - 产品变更通知及停产信息 代理服务 技术支持 采购服务

2SC5824功率晶体管(60V,3A)

本资料介绍了2SC5824型功率晶体管的技术规格和应用。该晶体管具有高速开关特性、低饱和电压和强放电能力,适用于高频切换和放大器电路。

SLKOR  -  功率晶体管,POWER TRANSISTOR,2SC5824

2022/7/13  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

2SD1963功率晶体管

本资料介绍了SMD类型的功率晶体管2SD1963的特性。该晶体管具有低饱和电压、优异的直流电流增益特性,并提供了详细的绝对最大额定值和电气特性参数。

科信  -  功率晶体管,POWER TRANSISTOR,2SD1963

2020/2/24  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】EPC推出面向高频应用的300V氮化镓功率晶体管

宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。

2018-07-23 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

功率晶体管相关授权代理品牌:

【经验】SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较

本篇讲述比较各SiC-MOSFET功率晶体管结构和特征。功率晶体管的特征因材料和结构而异。在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。

2018-12-08 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

2SB1184功率晶体管生产规范

本资料为2SB1184功率晶体管的生产规格说明书。内容包括了该晶体的最大额定值、电气特性、典型特性以及封装信息。

银河微电子  -  功率晶体管,POWER TRANSISTOR,2SD1760,2SB1184

2019/10/14  - 数据手册  - Rev.A 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】时代速信频率高达6GHz的功率晶体管GHPS060020AT助力基站设计,线性增益达到21.5dB

针对基站设计,本文推荐时代速信的功率晶体管GHPS060020AT,是一种20W(P3dB)的SiC高电子迁移率晶体管上的分立氮化镓,工作频率从DC到6GHz。具有高线性度,线性增益达到21.5dB,减少信号传输的误差。

2023-04-28 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】650V/10A聚能创芯增强型氮化镓功率晶体管CGL65R260B,效率高于硅功率晶体管

聚能创芯推出的CGL65R260B增强型氮化镓功率晶体管,高电压击穿和高开关频率。RDS(ON)和Qg的组合极低,导通和开关功率损耗均降至最低,提供比硅功率晶体管更高的效率。TC=25°C下漏源电压极限值650V,连续漏极电流极限值10A。

2022-06-14 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

2SD1898 SOT-89功率晶体管(80V,1A)

本资料介绍了型号为2SD1898的高压功率晶体管。该晶体管具有高集电极-发射极电压(80V)和高连续集电极电流(1A),适用于各种高压应用。资料提供了详细的电气特性、典型特性和分类信息。

鲁光电子  -  功率晶体管,POWER TRANSISTOR,2SD1898

20170701  - 数据手册  - Revision:20170701-P1 代理服务 技术支持 采购服务

2SD2136功率晶体管

该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的2SD2136型号NPN硅晶体管。这是一种专为功率应用设计的晶体管,具有高正向电流转移比hFE和低集电极到发射极饱和电压VCE(SAT)。资料提供了产品的特性描述、订购信息和电气特性。

UTC  -  功率晶体管,应用功率,NPN硅晶体管,NPN SILICON TRANSISTOR,POWER TRANSISTOR,2SD2136L-X-AA3-R,2SD2136L-X-T6C-K,2SD2136L-X-T6S-K,2SD2136G-X-T6C-K,2SD2136G-X-T6S-K,2SD2136G-X-T60-K,2SD2136L-X-T60-K,2SD2136G-X-TN3-R,2SD2136,2SD213,POWER APPLICATION

2023/4/13  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

推挽驱动电路使用功率晶体管,60-80V耐压,电流7A可满足要求,贴片封装,推荐合适的国产品牌晶体管

推荐长晶科技NPN管MJD3055(60V 10A TO252),资料链接:https://www.sekorm.com/doc/2332128.html。 PNP管MJD2955(-60V -10A TO252),资料链接:https://www.sekorm.com/doc/2332126.html。

2021-06-25 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

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品牌:Central Semiconductor

品类:Transistor

价格:¥77.5463

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品牌:SLKOR

品类:Darlington Power Transistors

价格:¥1.1250

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品牌:TI

品类:晶体管

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品牌:纳芯微电子

品类:Gate Driver

价格:¥7.0000

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晶体回路匹配测试

测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

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波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

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