嘉兴南电 小信号MOSFET

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2N7002DW1T1G,S-2N7002DW1T1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2N7002DW1T1G和S-2N7002DW1T1G两款小信号MOSFET的特性。内容包括最大额定值、热特性、电气特性曲线等。

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2N7002FWT1G,S-2N7002FWT1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2N7002FWT1G型号的小信号MOSFET。该器件具有低导通电阻、高密度设计等特点,适用于笔记本电源管理、便携式设备和电池供电系统等领域。

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2N7002WT1G,S-2N7002WT1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2N7002WT1G和S-2N7002WT1G两款小信号MOSFET。这些器件符合RoHS要求和无卤素标准,适用于汽车和其他需要独特位置和控制变更要求的领域。它们具有1000V的抗静电保护能力,并经过AEC-Q101认证。

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2N7002SDW1T1G,S-2N7002SDW1T1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2N7002SDW1T1G和S-2N7002SDW1T1G两款小信号MOSFET。这些器件符合RoHS要求和无卤素标准,适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的领域。它们具有低导通电阻、ESD保护和适用于低端负载开关、电平转换电路、DC-DC转换器和便携式设备。

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2SK3018WT1G,S-2SK3018WT1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2SK3018WT1G和S-2SK3018WT1G两款小信号MOSFET。这些器件具有低导通电阻、快速开关速度、易于并联等特点,适用于便携式设备等应用。

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2N7002KWT1G,S-2N7002KWT1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2N7002KWT1G型小信号MOSFET。该器件具有符合RoHS要求和无卤素的特点,适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的领域。它提供良好的ESD保护,并经过AEC-Q101认证和PPAP能力验证。

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2N7002FDW1T1G,S-2N7002FDW1T1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2N7002FDW1T1G型号的小信号MOSFET。该器件具有低导通电阻(RDS(ON) ≤ 8Ω @ VGS = 4V),适用于笔记本电源管理和便携式设备等应用。

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2N7002SWT1G,S-I2N7002SWT1G小信号MOSFET

该资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2N7002SWT1G和S-i2N7002SWT1G两款小信号MOSFET的特性。内容包括产品符合RoHS要求和无卤素标准,适用于汽车和其他特定应用,具有低导通电阻(RDS(on)),并提供了最大额定值、热特性、电气特性曲线和应用领域。

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2N7002KDW1T1G,S-2N7002KDW1T1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2N7002KDW1T1G型号的小信号MOSFET。该器件符合RoHS要求和无卤素标准,适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的场合。它具有ESD保护功能,并经过AEC-Q101认证和PPAP能力验证。

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NTS4409NWT1G,S-NTS4409NWT1G小信号MOSFET

本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd.生产的NTS4409NWT1G和S-NTS4409NWT1G两款小信号MOSFET。这些器件采用先进的平面技术,具有快速开关、低导通电阻(RDS(on))的特点,适用于提升效率并延长电池寿命。该产品符合无铅标准,针对汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应⽤提供支持。

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年产销350亿只!嘉兴南电授权世强硬创分销各类半导体分立器件

年产销350亿只的分立器件厂商嘉兴南电授权世强硬创,代理旗下瞬态抑制二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管静电保护元件等产品。

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