多晶硅

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VDMOS器件介绍

VDMOS为垂直导电双扩散金属氧化物场效应晶体管。VDMOS采用的大规模集成电路的微细工艺,准确的离子注入得到理想的杂质分布,多晶硅双层布线,多单元并联结构,单元密度高达1.8×104个/厘米2。当VGS<VT时,源漏之间隔着P区,漏结反偏,故无漏极电流。当VGS>VT时,栅下的P型硅表面发生强反型,形成连通源区和漏区的N型沟道,产生漏极电流ID 。

2023-11-30 -  技术探讨 代理服务 技术支持 批量订货

萨瑞微电子2023年专利介绍:一种Trench MOS器件及其制备方法

本发明涉及半导体电子器件领域,具体为一种Trench MOS器件及其制备方法。针对现有技术中沉积金属前注入与阱区掺杂离子同类导致BV下降的问题,本发明提出一种新制备方法,包括在P型外延衬底上刻蚀沟槽、沉积介质层、生长多晶硅栅极、进行N型和P型掺杂形成阱区和源极、在凹槽内先后进行P型和N型离子注入并沉积金属。该方法通过先注入P型离子抑制N型离子扩散,使阱区平滑,抑制BV下降,提高了器件性能。

2024-11-11 -  技术探讨 代理服务 技术支持 批量订货

DMD4523E耗尽型功率MOSFET

描述- 本资料介绍了DMD4523E型增强型耗尽模式MOSFET的特性及应用。该器件采用先进的平面技术,具有耐用的多晶硅栅极单元结构,符合RoHS标准且可提供无卤素版本。主要应用于瞬态保护、启动电路、转换器、常通开关、LED驱动电路、电源、电流源和电压源等领域。

型号- DMD4523E

May. 2022  - 方舟微  - 数据手册  - Rev.1.1 代理服务 技术支持 批量订货

多晶硅相关授权代理品牌:

蓉矽1200V 75/40mΩ工规级SiC MOS,采用多晶硅网络优化技术,充分降低栅极内阻

逆变器是光伏发电系统的核心,通过有规律地高频开关,将直流电转换为交流电,以满足长距离输送和大规模电力需求。当前市场上主流的逆变器拓扑结构通常由两级电路组成:前级电路和后级电路。其中,前级电路采用带MPPT(MaximumPower Point Tracking)功能的DC/DC电源,负责最大功率跟踪控制、产生高压直流母线电压;后级DC/AC逆变桥式电路则负责产生交流电。

2024-06-07 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

2024年5月17日最新有机硅报价及市场分析

在关于“当前有机硅产品的价格能够稳到月底吗?“的投票中,57%读者认为价格或将下跌;26%读者认为单体厂还会小幅上调价格以修复利润;16%读者认为当前价格可稳到月底。

2024-05-30 -  行业资讯 代理服务 技术支持 批量订货

安全便捷的指纹传感卡支付技术白皮书

描述- 本文探讨了指纹传感器技术在安全便捷的卡支付中的应用。随着智能卡技术的发展,安全性和便利性成为关键驱动力。文章指出,尽管EMV智能卡提高了卡片在场的欺诈安全性,但无法解决非卡片在场的欺诈和丢失或被盗卡的问题。指纹传感器技术提供了一种安全便捷的支付方式,通过持卡人的指纹进行授权。文章强调了使用大尺寸传感器的重要性,以提高用户体验和安全性,并讨论了低温度多晶硅(LTPS)传感器在制造大型、灵活传感器方面的优势。最后,文章指出,指纹传感器技术的广泛应用将取决于用户接受度和技术成熟度。

June 2019  - NEXT BIOMETRICS  - 白皮书  - V1.0 代理服务 技术支持 批量订货

【应用】肖特基整流器SBX3040-3G在多晶硅太阳能旁路保护的应用

太阳能发电原理是利用太阳光子照在多晶硅上,产生电子的移动,而电子移动的方向是随意性而且不确定的,它可以正向移动,也可以反向移动。旁路二极管主要的功能就是限制电子的反向流动(防反充),这样才有稳定的电流。太阳能面板中间部分多晶硅发生热斑效应(含故障情况)时,电流从旁路流过从而防止发电效率降低。

2019-07-05 -  应用方案 代理服务 技术支持 批量订货

PROGRAMMABLE DC POWER SUPPLY (SOLAR ARRAY SIMULATION) MODEL 62000H-S SERIES

描述- 该资料介绍了Chroma公司推出的62000H-S系列可编程直流电源(太阳能阵列模拟器)。该系列产品具备高精度电压和电流测量电路,支持高达1000V的电压和25A的短路电流。其主要功能包括快速瞬态响应、多晶硅材料I-V特性仿真、动态辐照强度和温度水平仿真、阴影I-V曲线输出仿真等。

型号- 62000H-S,62020H-150S,B620000,A620030,A620024,A620026,A620025,A620028,A620027,62050H-600S,62100H-600S,A620029,62150H-1000S,62150H-600S

2018/11/14  - CHROMA  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

IXFN 60N60 HiPerFET™ Power MOSFETs Single Die MOSFET

描述- 本资料介绍了IXFN 60N60 HiPerFET Power MOSFET的特性。该器件是一款增强型模式 avalanche 阶段额定、高 dv/dt、低 trr 的单晶圆体MOSFET,具有国际标准包装、AlN隔离、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极单元结构等特点。

型号- IXFN 60N60,IXFN60N60,IXFN 60N60

7/00  - LITTELFUSE  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

线束大幅面多晶硅退火

描述- 本文档介绍了Coherent公司的LineBeam系统,这是一种用于大规模生产低温度多晶硅(LTPS)显示屏背板的先进技术。该系统能够实现高效率和高产出的OLED和LCD显示器的制造。

型号- LB1000

1119  - COHERENT  - 数据手册  - Rev.A 代理服务 技术支持 批量订货

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品牌:TE connectivity

品类:连接器

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