晶体管
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长晶科技达林顿管&晶体管&双晶体管选型表
长晶科技提供如下达林顿管&晶体管&双晶体管的技术选型:VCEO(V)范围：-400~+400；PCM范围：150(mW)~2(W)；IC范围：-10(A)~10(A)；VCBO(V)范围：-400~+400；VEBO(V)范围：-10~+15，具有PNP、NPN两种Polarity模式可选.....长晶科技的达林顿管&晶体管&双晶体管有TO-126、TO-220-3L、DFNWB3×2-8L、SOT-223、SOT-23等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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Polarity
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VCEO(V)
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PCM
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IC
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VCBO(V)
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VEBO(V)
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hFE@VCE(V)
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hFE MIN
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hFE@IC
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VCEsat(V)
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VCE@IC
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VCE@IB
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Package
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PZTA06_SOT-223
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晶体管
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Active
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NPN
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80
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1(W)
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0.5(A)
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80
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4
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1
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100
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0.01(A)
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0.25
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0.1(A)
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0.01(A)
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SOT-223
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选型表 - 长晶科技 立即选型
誉鸿锦-氮化镓晶体管选型表
誉鸿锦提供关于氮化镓晶体管的以下参数选型：电压量程:650V~800V,电流量程：5A~105A，RDS：80mΩ~240mΩ，Vgs：-10V~20V，包含多种封装形式。
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产品型号
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品类
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电压量程
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电流量程
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RDS
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Vgs
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Package
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YHJ-65H225DDC
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氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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650V~800V
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5A~13A
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225mΩ
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-10V~+15V
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DFN5×6mm
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选型表 - 誉鸿锦 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
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产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHK015A-QIA
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氮化镓功率晶体管
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13 @ 6GHz
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Up to 6
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15
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50 @ 3GHz
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100
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50
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QFN
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选型表 - UMS 立即选型
群芯微晶体管光电耦合器选型表
群芯微晶体管光电耦合器，30v-350v VCE；DIP4、DIP4M、SMD4、DIP4、DIP4M、SMD4等多种封装方式
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产品型号
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品类
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CTR 档位
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CTR Min(%)
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CTR Max(%)
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CTR @IF
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CTR @Vce
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Vce
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Viso @1min
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安规
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封装
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框架
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QX354A-CUH-S
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晶体管光电耦合器
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A
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50%
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150%
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±1mA
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5V
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80V
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3750Vrms
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Halogen Free
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SOP4
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Cu
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选型表 - 群芯微 立即选型
晶体管相关授权代理品牌：
时科双极型晶体管选型表
时科提供双极型晶体管的以下参数选型：PCM(mW)：-1200~10000mW，Hfe MIN：25~8000，Hfe MAX：180~1200
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产品型号
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品类
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POLARITY
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PCM(mW)
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Ic(mA)
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BVcbo(V)
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BVceo(V)
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BVebo(V)
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Hfe MIN
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Hfe MAX
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Hfe@VCE(V)
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Hfe@lc(mA)
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VCE(SAT)(V)
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VCE(SAT)@lc(mA)
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VCE(SAT)@Ib(mA)
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Ft(Mhz)
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Package
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MMBT3906
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双极型晶体管
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PNP
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225
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-200
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-40
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-40
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-5
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100
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300
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-1
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-10
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-0.4
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-50
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-5
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250
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SOT-23
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选型表 - 时科 立即选型
华联光敏晶体管输出型光耦选型表
华联光敏晶体管输出型、光敏达林顿晶体管输出型光耦选型，光敏晶体管输出型光耦电流传输比50~600(%)，光敏达林顿晶体管输出型光耦电流传输比500~7500(%)，介质耐压3750VRMS、5000VRMS，产品符号UL、VDE、CQC安规认证，应用于系统与系统之间的电气绝缘隔、电路与电路之间的电气绝缘隔。
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产品型号
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品类
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封装
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通道数
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击穿电压 (V)
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电流传输比 CTR(%)
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工作温度(℃ )
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介质耐压(VRMS)
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安规认证
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HPC817
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光敏晶体管输出型光耦
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DIP4/SMD4(4.5x6.4x3.6)
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1
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>80
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50~600
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﹣55~110℃
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5000Vrms
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UL、VDE、CQC
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选型表 - 华联电子 立即选型
SUMSEMI(世谋微)晶体管选型表
SUMSEMI(世谋微)晶体管选型：VBO(V)：-160~180V，Vceo(V)：-150~160V,VEBO(V):-5~6，Ic(Max)(A)：-1.5~1.5.
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产品型号
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品类
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Package
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Type
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VBO(V)
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Vceo(V)
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VEBO(V)
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Ic(Max)(A)
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hFE Condition
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hFE Min
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hFE Max
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MMBT5551
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晶体管
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SOT-23
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NPN
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180
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160
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6
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0.6
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Vce = 5V, Ic = 10mA
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100
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300
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选型表 - SUMSEMI 立即选型
【经验】晶体管和二极管的区别
本文ROHM带你了解晶体管和二极管的内容。晶体管和二极管的区别：一个是元器件的结构（MOSFET、双极晶体管、功率元器件等）不同，另一个是电气特性（耐压、最大电流、功率、频率）不同。
【技术】晶体管输入、输出特性及电流传输特性的分析
合科泰半导体将在本文进行晶体管输入、输出特性及电流传输特性的分析。晶体管特性是其表示之间的关系的曲线的电流和电压一的晶体管在特定配置。通过将晶体管配置电路视为类似于双端口网络，可以使用以下类型的特性曲线来分析它们。
银河微电子晶体管光耦选型表
银河微电子晶体管光耦选型：VISO：5KV，VCEO：80V，CTR：50%~600%，安装方式：表面安装/插件安装，应用等级：消费&工业。
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产品型号
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品类
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VISO
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VCEO
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CTR
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封装
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安装方式
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应用等级
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等级认证标准
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BL817 DIP-4L
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晶体管光耦
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5KV
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80V
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50%-600%
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DIP-4L
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插件安装
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消费&工业
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ROHS VDE UL CQC
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选型表 - 银河微电子 立即选型
信路达达林顿晶体管选型表
达林顿晶体管工作电压在5V~50V，开关电压50V，有7、8个通道可供选择，输出电流为500mA，有多种封装形式可供选择，性能高，稳定性强，广泛应用于驱动灯、继电器、或各种工业和消费应用中的打印机锤子、白炽灯等领域。
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产品型号
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品类
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产品名称
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封装
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通道数
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TTL输入电压（V）
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开关电压（V）
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IOUT（mA）
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XL2803A
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达林顿晶体管
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达林顿晶体管阵列
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SOP18
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8
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5V
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50
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500
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选型表 - 信路达 立即选型
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电子商城
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
