消除MOS管的GS波形振荡
相关结果约312262条【技术】如何消除MOS管的GS波形振荡
测试MOS管GS波形时,有时会看到图中的波形,在芯片输出端是非常好的方波输出,但一旦到了MOS管的G极就出问题了,有振荡,这个振荡小的时候还能勉强过关,但是有时候振荡特别大,看着都教人担心会不会重启。有没有办法消除?时科带您一起来看看!
MOS管的GS波形分析及如何消除GS波形振荡?
本文介绍如何消除MOS管的GS波形振荡。对于咱们电源工程师来讲,我们很多时候都在看波形,看输入波形,MOS开关波形,电流波形,输出二极管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。
广告 发布时间 : 2024-12-10
MOS管DS关断振荡怎么消除
震荡是由内部的寄生电感和电容产生的,属于正常现象,后级带负载后震荡就会变小了
Mos管栅极上管输入波形,当下管开关时存在振荡,请问有什么解决方法
MOS管栅极驱动波形存在振荡,可能是由回路中存在的杂散电感引起的,建议优化电路布局和PCB走线,降低杂散电感,改善驱动波形。
【经验】一文教你分析MOS管的驱动波形是否异常
一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。在MOS的G,S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单,很容易造成驱动波形异常。大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后,再经过隔离驱动MOS的方法,其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。推荐使用专用的MOSFET驱动芯片来驱动MOS管,Siliconlabs针对MOS管驱动推出了半桥MOS驱动芯片SI823X
MOS管输出特性曲线,你看明白了吗?
我们知道,三极管是利用IB的电流去控制电流IC的,所以说三极管是电流控制电流的器件。而MOS管是利用VGS的电压去控制电流Id的,所以说MOS管是电压控制电流的器件。对于N沟道增强型的MOS管,当VGS>VGS(th)时,MOS就会开始导通,如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
开关电源MOS管的8大损耗计算及6大选型原则
在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算(所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下,利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形,套用公式进行理论上的近似计算)。本文介绍开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则。
WINSOK场效应管选型表
WINSOK场效应管选型:Type:N-Ch/P-Ch,VDS(V):-200~650V,VGS±(V):-20~30V,ID (A)Max.:-132~400A,QgS(nC):0.3~80nC,Ciss(pF):5.5-13900pF。
产品型号
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品类
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Configuration
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Type
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VDS(V)
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VGS±(V)
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ID (A)Max.
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VGS(th)(v)Min.
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VGS(th)(v)Typ.
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VGS(th)(v)Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@10V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@10V-Max.
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RDS(ON)(mΩ)'@6V-Typ.
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RDS(ON)(mΩ)'@6V-Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@4.5V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@4.5V-Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@2.5V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@2.5V-Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@1.8V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@1.8V-Max.
|
Qg (nC)'@10V
|
Qg (nC)'@4.5V
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QgS(nC)
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Qgd(nC)
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Ciss(pF)
|
Coss(pF)
|
Crss(pF)
|
Package
|
WST2008
|
场效应管
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Dual
|
N-Ch
|
20
|
10
|
0.05
|
0.5
|
1
|
1.5
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
20000
|
40000
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
5.5
|
1.6
|
6.5
|
SOT-363-6L
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选型表 - WINSOK 立即选型
【选型】MOS管型号推荐
MOS管会出现VGS为零时状况,但能不能达到200mA还要取决于VDS电压,要是能承受200mA电流的MOS还是很多的,可以将自己的要求具体化,例如:电流、耐压和封装等去进行选型。本文SLKOR主要介绍MOS管型号推荐。
华轩阳MOS管HXY60N03DF助力车载手机充电器优化,采用DFN封装,提供低RDS(on)和高栅源电压
这篇文章将为您介绍一款非常值得考虑的MOS管——华轩阳电子制造的HXY60N03DF。该产品是一款60A、30V的MOS管,封装形式为DFN3X3-8L;拥有低RDS(on)和高栅源电压(VGS)的特点,这使得它在开关状态下能够保持稳定的电流,并且能够在高温环境下正常工作,提高了系统的稳定性和可靠性;这些参数使得它非常适合用于车载手机充电器的设计中。
【技术】浅析增强型与耗尽型MOS管
本文美浦森将介绍增强型MOS管与耗尽型MOS管,供工程师参考。所谓增强型是指:当UGS=0V时管子是呈截止状态,加上正确的UGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。
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