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中瑞宏芯SiC MOSFET器件在汽车空调电动压缩机中的应用，有效降低损耗，提高整体效率
为了满足日益增长的需求，如降低成本、缩小尺寸、减少振动和噪声、提高功率和能效等，电动压缩机的设计和器件选型显得尤为重要。在这方面，SiC MOSFET器件凭借其卓越的性能，正逐渐成为行业的首选。中瑞宏芯（macrocore）推荐1200V/40mΩ＆ 80mΩ SiC MOSFET：HX2M040120K，HX1M040120J，HX1M080120K和HX1M080120J。
WM2A040120L N沟道SiC功率MOSFET
本资料介绍了CETC公司生产的WM2A040120L型号SiC功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频驱动等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
中电国基南方 - WM2A040120L,N通道SIC功率MOSFET,N-CHANNEL SIC POWER MOSFET,可再生能源,模式电源开关,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,EV BATTERY CHARGERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,RENEWABLE ENERGY,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
发布时间 : 2025-03-03
ASWCZM040120A
本资料详细介绍了N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET（碳化硅功率MOSFET）的产品特性，包括物理特性、电气特性、绝对最大额定值等，适用于各种高功率应用。
安邦 - ASWCZM040120A,N沟道碳化硅功率场效应管,N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER MOSFET
B2M040120Z碳化硅MOSFET
本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。
基本半导体 - B2M040120Z,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,太阳能逆变器,开关模式电源,模式电源开关,电动机驱动器,电源逆变器,DC/DC变换器,EV充电站,DC/DC CONVERTER,EV CHARGING STATION,MOTOR DRIVERS,POWER INVERTER,SMPS,SOLAR INVERTER,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
G2M040120N碳化硅MOSFET
本资料介绍了型号为G2M040120N的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、热特性、电学特性、动态特性、体二极管特性和典型特性曲线。该器件适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。
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OWIHPM404012微型复合材料注塑成型
该资料介绍了一种名为OWIHPM404012的小型复合注塑模具电感器。该电感器具有小型化设计，高额定电流，频率可达3 MHz，软饱和特性，最高总温度操作为125°C，低核心损耗，以及由于注塑结构导致的超低嗡嗡声。产品适用于笔记本电脑、PC、开关和服务器、基站、DC/DC转换器、电池供电设备和固态硬盘模块。电感器具有详细的电气特性和尺寸信息。
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S3M0040120K 1200V SiC功率MOSFET数据表
本资料详细介绍了S3M0040120K型1200V SiC功率MOSFET的技术数据。该器件采用TO-247-4封装，是一款高压n沟道增强型MOSFET，具有非常低的导通损耗和稳定的开关特性，适用于能源敏感、高频应用以及恶劣环境中的挑战性环境。
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PIN-PIN替换C2M0040120D,ROHM公司推出的sic MOS是否有相应型号推荐？
推荐ROHM 1200V 40mΩ sic MOS SCT3040KLGC11 PIN-PIN替换，具体资料链接：https://www.sekorm.com/doc/864453.html。
紧凑型PCI机箱ISO 14067:2018（ARES）产品碳足迹验证意见（ARES/TW/2304012P）
本资料包含两份产品碳足迹查证意见书，分别针对NEXTRONICS ENGINEERING CORP.生产的Compact PCI Chassis和Apollo Z-L12R44CP42A0L产品。意见书基于ISO 14064-3:2019和ISO 14067:2018标准，对产品的生命周期评估进行验证，确认其符合相关环保要求。意见书编号、发布日期、有效期和版本号等信息亦在文中明确列出。
正凌 - 紧凑型PCI机箱,COMPACT PCI CHASSIS
MSH040120M1/MSK040120M1 1200V碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式
本资料介绍了1200V碳化硅功率MOSFET（MSH040120M1 / MSK040120M1）的特性、规格和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器、电池充电器、电机驱动器和脉冲功率应用。
美浦森 - MSK040120M1,1200V碳化硅功率MOSFET,1200V SILICON CARBIDE POWER MOSFET,MSH040120M1,太阳能逆变器,模式电源开关,电动机驱动,脉冲功率应用,蓄电池充电器,高压DC/DC变换器,BATTERY CHARGERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,MOTOR DRIVES,PULSED POWER APPLICATIONS,SOLAR INVERTERS,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
飞来峰POK飞来峰POK 404012
该资料为Weidmüller公司生产的Klippon POK 404012 EX型聚酯外壳的数据表。该外壳采用玻璃纤维增强聚酯材料，具有耐腐蚀、抗冲击和高防护等级的特点，适用于多种工业环境和应用。
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