1-2306614-2

1-2306614-2 2POS 8mm高压，插头180°，组件

TE CONNECTIVITY - 1-2306614-2,汽车外壳,AUTOMOTIVE HOUSINGS

2024/09/30 - 产品图纸 - Revision B1 代理服务技术支持采购服务

1-2306614-2汽车外壳3D PDF

TE CONNECTIVITY - 1-2306614-2,汽车外壳,AUTOMOTIVE HOUSINGS

2017-12-01 - CAD模型库 - Revision B 代理服务技术支持采购服务

TE CONNECTIVITY - 1-2306614-2,高压线加工设备,HIGH VOLTAGE WIRE PROCESSING EQUIPMENT,9-2380201-1,2-2286938-3,1-2177063-2,2-2286917-1,2-2286938-1,1-2177063-1,2-2286917-3,2-2286917-5,2-2286938-5,2326576-1,2-2286932-1,1-217706

2023-03-06 - 数据手册 - Revision G4 代理服务技术支持采购服务

UMS功率放大器（PA）选型表

UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品，频率最高可达105GHz，带宽超过20GHz，Gain(dB)：10-38.5，Bias(mA)：30-2300，Bias(V）：2.5-30.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

选型表 - UMS 立即选型

GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表

GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.

RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ、Ω)

选型表 - GOFORD 立即选型

DCY 片式绕线铁氧体功率电感选型表

DCY 提供片式绕线铁氧体功率电感选型：Tolerance（%）：5%，Q Min：13-75，S.R.F(MHz)Min：1.9-230，DCR(Ω)Max：0.62-44，IDC(mA)(max）：50-700。

产品型号	品类	Inductance (μH)	Tolerance（%）	DCR(Ω)Max	Q Min	S.R.F(MHz)Min	IDC(mA)(max）	L,Q Test Freq(MHz)
D1008LS-102J	片式绕线铁氧体功率电感	1	5	0.62	48	230	700	7.9

选型表 - DCY 立即选型

【经验】如何正确选择mosfet场效应晶体管？

近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等行业广泛使用场效应管产品，功率场效应管备受关注。在未来，场效应晶体管仍将是许多刚进入该领域的工程师会接触到的器件。本文SLKOR将从基础上讨论场效应晶体管的一些基本知识，包括关键常数的选择、介绍、系统和散热考虑等。

2022-01-02 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

场效应管原理-场效应管参数怎么看？场效应管是做什么用的？

本文详细介绍了场效应管（FET）的工作原理，特别是金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的三端结构和电场调制效应，阐明了FET在放大、开关、调节电流以及高频应用等电子设备中的多样化用途，并解释了关键性能参数对FET工作特性的影响。

2024-05-25 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

650V-3300V SIC MOS：碳化硅金属氧化物场效应晶体管

650V-3300V SIC MOS系列是基于碳化硅（SiC）材料的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），具有高耐压、低导通电阻和高效能的特点。该系列产品适用于高压和高温环境，广泛应用于电力电子设备中，如电动汽车、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器等。产品封装主要为TO-247和TO-247-4L两种，具体型号包括DCC040M65G2、DCC080M120A、DCCF060M65G2、DCCF080M120A2、DCCF040M65G2、DCC030M120G2、DCC016M120G3、DCCF020M65G2、DCC016M120G2、DCCF016M120G3、DCCF1K0M170G1、DCC020M65G2、DCC160M120G1、DCC060M65G2等。这些器件在电压范围从650V到1200V不等，电流范围从18A到120A，能够满足不同应用场景的需求。此外

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乐山MOS管：小信号、低压及高压功率MOS管半导体

MOS管，全称为金属—氧化物—半导体场效应晶体管（或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管），属于场效应管中的绝缘栅型，因此有时也被称为绝缘栅场效应管。该产品系列包含小信号MOS管、低压功率MOS管以及高压功率MOS管。MOS管广泛应用于半导体领域，其主要功能是作为开关或放大元件使用，适用于多种电子电路设计中。MOS管的特点在于低功耗、高输入阻抗和良好的频率特性，这些优势使其在现代电子设备中具有重要地位。尽管具体内容未详细提及具体参数和封装信息，但其分类明确表明了其应用场景的多样性，涵盖了从信号处理到功率控制等多个方面。

超瑞达电子 - 高压功率MOS管,功率控制,半导体,低压功率MOS管,小信号MOS管,信号处理,电子电路设计

650V-3300V SIC MOSFET 碳化硅金属氧化物场效应晶体管

650V-3300V SIC MOSFET 系列是专为高压应用设计的碳化硅金属氧化物场效应晶体管。这些器件具有出色的开关性能和高耐压能力，适用于各种工业和电力电子应用领域。主要参数包括工作电压范围从650V到3300V，最大电流从18A到120A不等。封装类型主要包括TO-47和TO-47-4L两种。该系列MOSFET具备低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点，广泛应用于太阳能逆变器、电动汽车、不间断电源（UPS）、电机驱动和其他需要高效能功率转换的设备中。其优势在于能够在高温环境下稳定工作，并且具有良好的热性能和可靠性。

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650V-3300V SIC MOS：高效碳化硅金属氧化物场效应晶体管

650V-3300V SIC MOS是一款高性能的碳化硅金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），适用于高压、高温和高频率的应用环境。该系列产品具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，能够在各种严苛条件下稳定工作。主要应用领域包括电动汽车、太阳能逆变器、工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动等。这些特性使得SIC MOS在提高系统效率和可靠性方面表现出色。其封装形式多样，包括TO-247-4L等，能够满足不同应用场景的需求。此外，产品还提供了详细的数据手册和技术文档，方便用户进行设计和选型。

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