1982

PT型IGBT和NPT型IGBT的区别有哪些？其导通的特性都有那些区分？

1、PT-IGBT图1其实是PT型1GBT芯片的内部结构，图2（c）是其导电的工作原理。所言的PT（PunchThrough，穿通型），指的是电场穿透了N-漂移区（图1中③），电子与空穴的重要汇合点在N1区［图1（c）］。NPT在实验室内完成的时间段（1982年）要早于PT（1985），但工艺上的因素促使PT规模商用化的时间段比NPT早，因此第1代igbt模块商品以PT型为主。PT-IGBT很切实解决了igbt模块的闩锁问题，但要增加外延层厚度，工艺复杂，成本也高。igbt模块芯片中的外延层与电压规格是直接关联的，电压规格越高、外延层越厚，IZOOV、2000V的PT-igbt模块外延层厚度各自实现了100μm和200μm。2、NPT-IGBT所言的NPT（Non-PunchThrough，非穿通），指的是电场没穿透N-漂移区，构如下图3所显示。NPT的基础工艺的工作原理是撤消N十缓冲区（图1中的④），直接在集电区（图1中的⑤）注入空间电荷形成高阻区，电子与空穴的重要汇合点换作了P十集电区。这项工艺又被称作离子注入法、离子掺杂工艺。3、PT-igbt模块与NPT-igbt模块生产工艺与技术性的差异PT与NPT生产工艺的差异如下所示：PT-igbt模块芯片的制造从集电区（P+背发射区）开始，先在单晶硅的反面形成低掺杂的P+发射区，之后用外延工艺在单晶硅的正面逐一形成N十缓冲区、MOS构造。NPT-igbt模块芯片的制造从基区（N-漂移区）开始，先往N型单晶硅的正面形成MOs构造，之后用研磨减薄工艺从反面减薄到igbt模块电压规格要L的厚度，再从反面用离子注入工艺形成集电区。PT-igbt模块与NPT-igbt模块介绍igbt模块的构造各式各样，但从纵向构造来说可归为穿通型，非穿通型。这2种igbt模块的区分依据为：临界击穿电压下Pbase-Ndrift结耗尽层的扩展能否穿透了N-基区。PT（punchthrough）：最“古老”的igbt模块工艺，在1980~1990年间占领主导作用，第1代igbt模块便是使用的PT工艺。NPT（non-punchthrough）：NPT-igbt模块由德国西门子公司于1987年推行，为上世纪90年代的主流产品。第2代igbt模块使用NPT工艺。