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1N6263 SILICON LOW CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE

2018/07/21  - 数据手册 本资料由Central Semiconductor Corp.提供,主要内容包括产品支持、设计支持服务、产品镀层请求、联系方式以及产品生命周期的通知。资料强调了公司的供应链管理、库存管理、定制标签和包装等服务,同时提供了在线技术数据和参数搜索、免费快速样品等设计支持服务。此外,还介绍了如何请求特定类型的镀层,并提供了全球范围内的联系信息和分销商信息。

CENTRAL SEMICONDUCTOR  -  1N649,硅低电流肖特基势垒二极管,SILICON LOW CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE,1N64,CBR35-100P,CR3-010GPP,CR3-040,CZ5348B,CZ5336B,CBR10-010P,CBRSDSH5-60,1N4634,CR3U-100,1N4742A,CMHZ4620,MMPQ2907A,CBR35-100,CR3-080GPP,CCLM57,低电流、快速开关应用,LOW CURRENT, FAST SWITCHING APPLICATIONS

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1N6492密封肖特基整流器

2021/02/06  - 数据手册 本资料介绍了Semelab生产的1N6492型密封肖特基整流器。该产品具有极低的正向压降和反向恢复电荷,适用于高浪涌能力应用。它采用TO-39封装,提供高可靠性筛选选项。

TT ELECTRONICS  -  1N6492,密封肖特基整流器,HERMETIC SCHOTTKY RECTIFIER,1N6492-JQRS.DA,1N6492-JQRS,1N6492-JQRS.GRPC,1N6492-JQRS.GCDE,1N6492-JQRS.GCDM

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CPD04-1N649-WN,标准回收整流器,RECTIFIERS,STANDARD RECOVERY RECTIFIERS,整流管,CBRHD-01,CPD04-CBRHD-06-WN,CPD04-1N647-WN,CBRHD-06,CPD04-1N647-CT,CPD04-1N645-WR,CPD04-1N649-CT,CBRHD-02,CBRHD-04

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1N4460-1N4496和1N6485-1N6491硅齐纳二极管

November 2, 2006  - 数据手册 本资料介绍了硅稳压二极管(Zener Diodes)的技术规格和应用。内容包括产品特性、机械数据、最大额定值和电气特性。

灿阳科技  -  1N6491,SILICON ZENER DIODES,硅稳压二极管,1N4469,1N6490,1N4491,1N4490,1N4471,1N4493,1N4470,1N4492,1N4473,1N4495,1N4472,1N4494,1N4475,1N4496,1N4474,1N4477,1N4476,1N4479,1N4478,1N4480,1N4

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CMPD200 FORWARD REFERENCE DIODE (STABIS TOR) JEDEC DO-35 CASE

2019/08/20  - 数据手册 本资料由Central Semiconductor Corp.提供,主要内容包括产品支持、设计支持服务、产品镀层请求、联系方式以及产品寿命终止通知。资料详细介绍了公司的供应链管理、库存管理、产品设计咨询等服务,并提供了全球范围内的联系信息和分销商信息。

CENTRAL SEMICONDUCTOR  -  1N649,FORWARD REFERENCE DIODE,正向参考二极管,1N64,CBR35-100P,CR3-010GPP,CR3-040,CZ5348B,CZ5336B,CBR10-010P,CBRSDSH5-60,1N4634,CR3U-100,1N4742A,2N2222A TIN/LEAD,CMHZ4620,MMPQ2907A,CBR35-100

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CTLM1074-M832D SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) PNP TRANSISTOR AND LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

19-February 2010  - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CTLM1074-M832D多离散模块,这是一种集成了低VCE(SAT) PNP晶体管和低VF肖特基整流器的表面贴装硅器件。它适用于小型化、高效能和高功率密度的应用。

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CTLDM8120-M832D SURFACE MOUNT DUAL, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS

2-August 2011  - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CTLDM8120-M832D增强型双通道P沟道场效应晶体管。这是一种专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计的MOSFET,具有低rDS(ON)和低阈值电压的特点。

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