5-1437537-7
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1437539-2 DIP插座，800系列客户图纸
TE CONNECTIVITY - 5-1437537-7,双列直插式插座,DIP SOCKET,1-1437539-6,1-1437539-7,840-AG11D-ES,1816-AR111D,1818-AG111D,1814-AG111D,3-1437538-9,5-1437537-6,5-1437537-8,820-AR44D-ESL,814-AG11D,816-A
广告 发布时间 : 2025-03-03
长晶科技TVS二极管&ESD二极管选型表
长晶科技提供如下TVS二极管&ESD二极管的技术选型:Ppp(W)范围：+19~+15000；VRWM(V)范围：+1.5~+45633；IR(uA)范围：+0.01~+5000；VC(V)范围：+3.88~+828.....长晶科技的TVS二极管&ESD二极管有SOD-723、SOP8、SOT-143、DFNWB2×2-3L、DO-15等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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Ppp(W)
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VRWM(V)
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VBRMin(V)
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VBRMax(V)
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IR(uA)
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VC(V)
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IPP(A)
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it(mA)
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Package
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SMDJ440CA_SMCG
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TVS二极管
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Active
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3000
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440
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492
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543
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1
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713
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4.21
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1
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SMCG
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选型表 - 长晶科技 立即选型
爱浦电子DC-DC电源模块选型表
如下表格提供爱浦电子DC-DC电源模块选型，输入电压(VDC)4.5-1500，输入电流(mA)0.5-14368，输出电压(VDC)-24-48，输出效率(%TYP)75-91，输出电流(mA)-2000-25000
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产品型号
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品类
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输入电压(VDC)
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输入电流(mA)
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输出电压(VDC)
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输出效率(%TYP)
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输出电流(mA)
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UD6-18S3V3E3
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DC-DC电源模块
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9-36
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20
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3.3
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76
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1200
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选型表 - 爱浦电子 立即选型
顶诺微 射频二极管选型表
顶诺微提供如下二极管的技术选型，击穿电压（ Iʀ=-10μA）：5V~60V，反向漏电流 （Vʀ=-3V）：80nA ~200nA ，电容（Vʀ=0V, f=1MHz）：0.28pF~0.48pF，涵盖SOD-523、SOT-23、SOT-143、DFN1006封装。
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产品型号
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品类
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正向电流
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反向电压
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击穿电压（ Iʀ=-10μA）
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差动正向电阻（Iғ=5mA, f=10kHz）
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电容（Vʀ=0V, f=1MHz）
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工作温度
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存储温度
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封装
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TPM2840-01
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射频二极管
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130mA
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5V
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5V ~ 7V
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9Ω
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0.48pF
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-55℃~125℃
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-55℃~150℃
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SOD-523
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选型表 - 顶诺微 立即选型
韬略科技半导体静电抑制器选型表
韬略科技提供半导体静电抑制器的选型：Package：DFN0603-2L、DFN1006-2L、DFN1006-3L、DFN1610-6、DFN2510-10L、SOD-323、SOD-523、SOD-923、SOT-143、SOT-23、SOT-23-6L、SOT-563；Directional：Bi、Uni；VRAM Max (V)：3.3~36V;VC (V):5.4~55V
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产品型号
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品类
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Package
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Directional
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Channel
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VRAM Max (V)
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Vbr@IT=1mA Min (V)
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VC (V)
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CJ@ Vr=0V,f=1MHz Type (pF)
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Applications
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TEVA15R0V05B1X
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半导体静电抑制器
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DFN0603-2L
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Bi
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1
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5
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5.6
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6
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15
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General I/O
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选型表 - 韬略科技 立即选型
SUMSEMI(世谋微)瞬态抑制二极管选型表
SUMSEMI(世谋微)提供瞬态抑制二极管选型：VRWM (V)：3.3-36，IR (Max) (μA)：0.01-5，VC (Max) (V)：9-75，IPP (A)：1.5-300，多种不同封装：SOD-523/SOT-143/DFN1006-2/DFN1610-2等。
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产品型号
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品类
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VRWM(V)
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IR(Max)(μA)
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VC(Max)(V)
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IPP(A)
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CJ(Typ)(pF)
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PPK(W)
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Configuration
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Package
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SESD3V3D5
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瞬态抑制二极管
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3.3
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0.08
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9.4
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11.2
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105
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158
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Uni
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SOD-523
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选型表 - SUMSEMI 立即选型
桑德斯（SMC) TVS阵列选型表
桑德斯（SMC)提供如下TVS阵列的技术选型，Pd (8/20μs)(W)范围：+170~+500；VWM (V)范围：+3~+36；VBR Min. @1mA (V)范围：+4~+40；VC Max.@1A (V)范围：+7~+108；IR Max.@VWM (μA)范围：+0.08~+200；Cj Max. (f=1MHz) @0V (pF)范围：+1~+800；а(VBR) Max.(mv/°C)范围:-5~+200.....桑德斯的TVS阵列有SOD-523、SO-8、SO-14、SO-16、SOT-23、SOT-143等多种Package，可广泛应用于VRM,笔记本电脑,平板电脑,TWS蓝牙耳机,电子锁,阀门,水表,气表,流量计,无刷电机等领域。
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产品型号
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品类
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Package
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Pd (8/20μs)(W)
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VWM (V)
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VBR Min. @1mA (V)
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VC Max.@1A (V)
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IR Max.@VWM (μA)
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Cj Max. (f=1MHz) @0V (pF)
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а(VBR) Max.(mv/°C)
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Part Status
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CESD12VD5
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TVS阵列
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SOD-523
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220
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12
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14.1
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16.5
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1
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45
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-
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Active
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选型表 - SMC 立即选型
TVS二极管与快恢复二极管的区分方法
TVS二极管和快恢复二极管都是重要的半导体器件，分别在电路保护和高频整流中扮演关键角色。虽然它们的外形和结构可能相似，但工作原理和应用场景却截然不同。本文辰达行来为大家介绍TVS二极管与快恢复二极管的区分方法，希望对各位工程师朋友有所帮助。
深圳瞬态微半导体有限公司 静电保护器件
深圳瞬态微半导体有限公司提供多种静电保护器件，包括单路和多路静电抑制器、多层结构静电抑制器、聚合物静电抑制器、通用TVS二极管、大功率系列TVS二极管、大功率浪涌保护器件、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、变容二极管、三极管、小信号MOSFET、低压功率MOSFET、集成电路、三端稳压器、DCDC转换器、低压差线性稳压器、晶闸浪涌保护器TSS等。这些产品广泛应用于电子设备中的过电压保护和防静电保护，具有高性能、高可靠性、小尺寸等特点。
SXSEMI - 静电保护器件,集成电路,电子设备中的过电压保护和防静电保护,晶闸浪涌保护器TSS,大功率浪涌保护器件,变容二极管,稳压二极管,大功率系列TVS二极管,低压差线性稳压器,开关二极管,聚合物静电抑制器,DCDC转换器,肖特基二极管,小信号MOSFET,三端稳压器,三极管,低压功率MOSFET,单路和多路静电抑制器,多层结构静电抑制器,通用TVS二极管
TVS二极管5KP54：瞬态抑制二极管，高脉冲电流能力
TVS二极管（瞬态抑制二极管）是一种用于保护电路免受瞬态电压冲击的半导体器件。与稳压二极管相比，TVS二极管具有更大的PN结面积，因此能承受更高的反向电流和瞬态脉冲功率。例如，型号为5KP54的TVS二极管，其最大脉冲电流可达到50A，瞬时脉冲功率高达千瓦级别。TVS二极管分为单向和双向两种类型，单向TVS管主要用于直流电压保护，负极接在电压的正极；双向TVS管则适用于交流场合，如防雷、电源电压抑制等，因为它可以双向抑制电压冲击。此外，还有集成芯片形式的TVS二极管阵列，广泛应用于高速信号处理电路和数据接口电路，如USB接口、差分信号接口、视频接口等。这种集成芯片提高了集成度，减少了多个单个TVS管的需求。
广东佑风微电子有限公司 - 二极管,数据接口电路,瞬态抑制二极管,5KP54,电源电压抑制,防雷,静电保护,高速信号处理电路
肖特基二极管与TVS二极管该如何区分？
肖特基二极管和瞬态抑制二极管（TVS Diode）是两种非常重要但用途截然不同的二极管。由于它们在结构、功能和应用场景上的差异显著，清楚地理解两者的特点和区别对于选型和设计具有重要意义。本文中辰达行来为大家介绍如何区分肖特基二极管与TVS二极管，希望对各位工程师朋友有所帮助。
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