8SO
相关结果约52条
LabTool-T400 7.10版设备列表
这份资料列出了多种类型的存储器芯片，包括闪存、NOR闪存和NAND闪存等，涉及多个品牌和型号。芯片类型包括不同容量和封装形式，如SOIC、QFN、BGA等。资料中还包括了芯片的技术规格和封装尺寸信息。
AEC - TM-GD5F-8SON2,S71GL032N40-0P,RD38F2210WWYD,MX29GL512FD,S71PL064JB0,JS27AP1G16SSDA,MX29GL512EL,MX29GL512EH,FM91L03208BA,KS03208AB-GH,EN25QA256,EM73E044
MSTB 2.5/..-STF 产品变更通知 (MSTB 2.5/..-STF Product Change)
该资料宣布对2-8位注塑模具进行变更，包括产品标识区域更新和带法兰版本区域变更为凹槽。外部尺寸和技术参数保持不变。新版本产品预计于2023年8月1日首次发货，老版本库存将继续销售至售罄。详细变更物料清单和对比图见附件。如需咨询新/老版本产品购买，请联系销售人员。如有疑问，请联系变更协调人刘新。
PHOENIXCONTACT - 连接器,CONNECTOR,1837886,1439911,MSTBT 2,5/ 4-ST BK BD:49-52,5/ 5-ST BKBDNZ30B5729,5/ 4-ST BKCP12BDW-23SO,MSTBTP 2,5/ 3-ST GY CP1BD2,5/ 4-ST GY
广告 发布时间 : 2025-03-03
Dataman-48XP/48UXP 12.10版设备列表
这份资料为Dataman-48XP/48UXP版本12.10的设备列表，包含多种类型的存储器芯片，如SDRAM、Flash、EEPROM等。列表中详细列出了各种型号的芯片及其封装形式，如SOIC、PLCC、TSSOP等。此外，还包括了部分芯片的供应商信息，如AMD、Analog Devices、Atmel等。
DATAMAN - MC68HC11A1,CAT28F010/I,T89C51RD2,MC68705R5,AT45DB021E(264)*8SS,MC68HC11A8,AT25640A,CAT64LC10,EN25QH128A(2T),FT24C128A,AT29C040,@100TQ,A25L040AM-F,A25L
材料成分声明8SO E-AMP TR
本资料为一份关于元器件中物质声明的文件，由制造商Onsemi提供。文件详细列出了产品中包含的各种物质及其含量，并声明产品符合欧盟RoHS指令的要求。文件还包括了产品的技术参数、制造地点、重量等信息。
ONSEMI - FOD2742B
7000系列适合大批量、宽压的、小封装的产品OEM加工中的应用 DATA SHEET
MERIT SENSOR - 8SO-0100-9T,7000,8SC-0300-9T,8SH-0500-9T,7SH-0100-5T,8SC-0300-5T,8SH-0500-5T,7SC-0500-5T,7SC-0070-9T,8SO-1000-5T,7SC-0070-5T,8SO-1000-9T,7SH-0100-9T,7
电子组件 IC 门驱动半桥 8SO L6387ED013TR
该产品是一款电子组件，型号为L6387ED013TR，属于IC门驱动半桥类别。该型号具有8SO封装，适用于多种电子设备中，如电机驱动、电源管理等。产品的主要规格参数包括但不限于输入电压、输出电流、开关频率等，具体参数请参考产品规格书。该型号具有高效、稳定、可靠的性能特点，广泛应用于工业控制、汽车电子、消费电子等领域。
NATION TECHNOLOGY (HK) COMPANY LIMITED - 电子组件,门驱动半桥,集成电路,IC,L6387ED013TR,电机驱动,电源管理
MT25QL128ABA1ESE-0SIT 128Mbit SPI 133MHz 8SO IC闪存
MT25QL128ABA1ESE-0SIT是一款由Micron Technology Inc.生产的非易失性存储器，属于IC FLASH类别。该产品采用SPI（串行外围设备接口）进行数据传输，具有高达133MHz的时钟频率。它拥有128Mbit的存储容量，组织结构为16M x 8。该产品适用于多种应用场景，如数据存储、通信设备等。它支持2.7V至3.6V的供电电压，工作温度范围为-40°C至85°C。封装形式为8-SOIC（0.209英寸，5.30毫米宽度）。MT25QL128ABA1ESE-0SIT具有快速的数据写入周期，包括8ms的单词写入周期和2.8ms的页面写入周期，适用于对存储性能有较高要求的系统。
KST - 内存,MEMORY,MT25QL128ABA1ESE-0SIT,数据存储,通信设备
VNS3NV04D-E N沟道功率驱动IC 8SO封装
VNS3NV04D-E 是一款N沟道功率驱动IC，采用1:1的比例设计，适用于各种功率驱动应用。该器件采用8SO封装，具备高效、稳定的性能特点。它能够提供强大的电流驱动能力，适用于多种应用场景，包括但不限于智能生活、家庭娱乐、车辆应用和通信网络等。这款IC具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频率下保持高效工作，同时确保较低的功耗和热量产生。其主要参数包括：工作电压范围宽广，支持多种电源输入；最大输出电流高达数安培，确保足够的驱动能力；内置保护机制，如过热保护和短路保护，提高了系统的可靠性和安全性。此外，该器件还具备良好的电磁兼容性，适合在复杂电磁环境中使用。
深圳市全球芯元件有限公司 - 集成电路,功率驱动IC,IC,VNS3NV04D-E,家庭娱乐,智能生活,车辆应用,通信网络
M24512-WMW6TG IC EEPROM 512K I2C 1MHz 8SO
M24512-WMW6TG 是一款由 STMicroelectronics 提供的高性能 512-Kbit 串行 I2C EEPROM 存储芯片，专为各种应用场景下的可靠非易失性存储设计。该芯片的工作电压范围为 1.7V 至 5.5V，支持最高 1MHz 的时钟频率，确保灵活且高速的操作性能。其内部结构分为 64 个区块，每个区块包含 256 字节，能够实现高效的数据存储与读取。此外，该芯片还配备了写保护机制以防止意外数据丢失，并提供硬件写保护引脚来禁用写入操作，从而保障数据完整性。M24512-WMW6TG 采用紧凑型 SO8N 封装形式，兼容工业标准如 I2C 协议，非常适合空间受限的应用环境。凭借至少 400 万次擦写周期和超过 40 年的数据保存时间，这款 EEPROM 芯片在严苛条件下也表现出高可靠性和耐用性，广泛应用于汽车、消费电子以及工业设备领域。
CENSTRY ELECTRONICS CO., LIMITED - 内存,集成电路电可擦除只读存储器,IC EEPROM,MEMORY,M24512-WMW6TG,工业设备,汽车,消费电子,AUTOMOTIVE,CONSUMER ELECTRONICS,INDUSTRIAL EQUIPMENT
TNY285DG-TLDip 离线式开关飞回IC 8SO
TNY285DG-TLDip 是一款离线式开关飞回IC，适用于低功率电源应用。该产品属于TinySwitch®-4系列，由Machtsintegratie制造，具有高可靠性和集成度。它支持67%的占空比和124kHz至140kHz的开关频率，最大输出功率为8.5W。该IC具备多种保护功能，如过流、开路、过温、过压和短路保护，确保在各种工作条件下的稳定运行。其工作温度范围为-40°C至150°C（TJ），封装形式为8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽度），7引脚。TNY285DG-TLDip广泛应用于PC备用电源、DVD/PVR解码器、消费电子设备、工业系统、测量仪器以及手机、PDA、数码相机、MP3播放器等便携设备的充电器和适配器中。其特点包括精确的热关断保护、自动重启、快速AC恢复、低组件数量以提高可靠性，并且提供出色的瞬态负载响应。
SZ ADE ELECTRONICS CO., LTD - 电源管理 (PMIC),集成电路 (ICS),596-1605-1-ND,TNY285DG-TL,工业系统,手机充电器,数码相机充电器,测量仪器,消费电子设备,DVD/PVR解码器,MP3播放器充电器,PC备用电源,PDA充电器
博通有限HCPL-0211-500E 3.75kV推挽式8SO OptoISO
Broadcom Limited的HCPL-0211-500E是一款高性能的光隔离器，具有3.75KV的隔离电压，适用于逻辑输出。该产品采用8-SOIC封装，具有DC输入和推挽输出，适用于多种电子设备中的隔离应用。其主要特性包括5MBd的数据速率，25mA的输出电流，以及快速上升和下降时间。该产品适用于各种应用场景，如工业控制、汽车电子、通信设备等。
SHENZHEN DASEN ELECTRONICS CO., LTD. - 隔离器/光隔离器 - 逻辑输出,HCPL-0211-500E-DS,HCPL-0211-500E,工业控制,汽车电子,通信设备
DMT8012LSS-13二极管MOSFET N通道80V 9.7A 8SO
DMT8012LSS-13 是一款符合欧盟最新环保标准并通过ROHS认证及REACH指令的N通道MOSFET。其主要参数包括：漏源电压80V，连续漏极电流9.7A（Ta），驱动电压4.5V和10V，不同Id、Vgs时导通电阻16.5毫欧@12A,10V，不同Id时Vgs(th)最大值3V@250μA，不同Vgs时栅极电荷最大值34nC@10V，Vgs最大值±20V，不同Vds时输入电容最大值1949pF@40V，功率耗散最大值1.5W（Ta），工作温度-55°C~150°C（TJ）。封装形式为8-SO。适用于各种高性能电子设备中的开关和电源管理应用。
东为电子 - MOSFET,DMT8012LSS-13,医疗设备,汽车工业,能源,通讯设备
|
|
|
