AO4354
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科信电子N沟道场效应管选型表
提供科信电子N沟道场效应管选型:参数:BVDSS(V):-30V~900V，VGSS(V):5V~600V，ID(A):-3A~200A，PD(W):0.1W~1250W，Qg(nC):0.8~6000，封装外形有:SOT23,SOT23-3,PDFN3.3×3.3,PDFN5×6,DFN2×2,SOP08,TO252等
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产品型号
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品类
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package
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VGSS(V)
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RDSON(mΩ)
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PD(W)
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AO4354
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N-Channel MOSFET
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SOP-8
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30
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23
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20
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5.3
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3.1
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选型表 - 科信 立即选型
无边界MOSFET选型表
无边界MOSFET选型表分为多种不同封装，有N沟道和P沟道两种，电压范围8V~1700V，电流范围21mA~519A，功率范围100mW~500W。
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产品型号
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品类
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封装
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类型
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电压
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电流
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功率
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AO4354-CN
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单 FET;MOSFET
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8-SOIC
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N-Channel
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30V
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23A
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3.1W
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选型表 - 无边界 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
AO4354（KO4354）N沟道MOSFET
本资料介绍了SMD型N沟道MOSFET AO4354（KO4354）的技术规格和应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能，适用于各种电源管理电路。
科信 - AO4354,N沟道贴片MOS管,MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,KO4354
InnoSwitch3 Pro系列数字可控离线CV/CC QR反激式开关IC，集成高压MOSFET、同步整流和FluxLink反馈数据表
PI - AO4354,数控离线CV/CC QR反激开关IC,DIGITALLY CONTROLLABLE OFF-LINE CV/CC QR FLYBACK SWITCHER IC,INN3375C,INN33X5C,BAV16WS-7-F,PIC16F18325,INN3367C,UD4KB100-BP,V12P12-M3,TSM160N10LCR,IR876ADP-T1-GE3,INN3377C,DZ2S100M0L,INN3365C,INN3377C-H30,多化学工具,多协议适配器,直接充电移动设备充电器,通用电池充电器,CC LED镇流器,可调CV,高效USB PD 3.0+PPS/QC适配器,ADJUSTABLE CV,CC LED BALLAST,DIRECT-CHARGE MOBILE DEVICE CHARGERS,GENERAL PURPOSE BATTERY CHARGERS,HIGH EFFICIENCY USB PD 3.0 + PPS/QC ADAPTERS,MULTI-CHEMISTRY TOOL,MULTIPROTOCOL ADAPTERS
AO4354 30V N通道AlphaMOS
该资料详细介绍了AO4354型30V N-Channel AlphaMOS功率MOSFET的特性，包括其技术特点、电气特性、热特性、开关参数等。资料还提供了典型电气和热特性曲线，以及测试电路和波形图。
AOS - AO4354,工业,服务器,波尔,电信,计算,DC/DC转换器,COMPUTING,DC/DC CONVERTERS,INDUSTRIAL,POL,SERVERS,TELECOM
* AO4354-VB 高性能N沟道MOSFET
AO4354是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOP8封装。该产品具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高性能电源开关、电机控制和逆变器等领域的模块。其导通电阻在10V时为5mΩ，在4.5V时为6.5mΩ，门源电压范围为20V(±V)，阈值电压为1.72V。
VBSEMI - AO4354,MOSFET,VBA1303,电机控制和逆变器等领域的模块,高性能电源开关
使用InnoSwitch的45 W USB PD 3.0，带3.3 V–21 V PPS（3.3 V–11 V的电源为APDO 5 A）™ 3-Pro氮化锂™ INN3379C-H302和VIA实验室VP302控制器设计示例报告
本报告详细介绍了使用InnoSwitch3-Pro INN3379-H302 IC和VIA Labs VP302 USB PD控制器设计的45W USB PD 3.0电源。该电源支持多种输出配置，包括固定输出和可编程输出。报告涵盖了电源规格、原理图、PCB布局、材料清单、变压器规格和性能数据。设计特点包括高集成度、高效率、低EMI和符合DOE6和CoC v5 2016效率要求。
PI - AO4354,CL21A475KBQNNNE,DFLR1800-7,30-00463-00,INN3379C-H302,ERJ-3EKF10R0V,UD4KB100-BP,RAPC322X,ERJ-8GEYJ105V,ERJ-8ENF2323V,ERJ-8ENF2004V,ERJ-6GEYJ5R6V
AO4354塑料封装器件产品可靠性报告
本报告总结了AOS半导体公司AO4354产品的可靠性测试结果。报告详细介绍了各种加速环境测试，包括高温高湿、高加速应力测试等，所有测试均未出现故障。最终电测试结果表明AO4354符合AOS的质量和可靠性要求。报告还提供了故障率（FIT）和平均无故障时间（MTTF）等关键可靠性指标。
AOS - AO4354
30W USB PD 3.0电源，3.3 V–21 V PPS输出，使用InnoSwitch™3-PRO PowiGallium Nitride™INN3378C-H302和VIA Labs VP302控制器
本报告详细介绍了使用InnoSwitch3-Pro INN3378-H302 IC和VIA Labs VP302 USB PD控制器设计的30W USB PD 3.0电源。电源支持多种输出电压和电流配置，包括固定和可编程输出。报告涵盖了电源规格、电路图、PCB布局、物料清单、变压器规格和性能数据，展示了高集成度和效率。电源满足DOE6和CoC v5 2016平均效率要求，具有低无载输入功率和符合CISPR22/EN55022 Class B传导电磁干扰标准。
PI - AO4354,CV/CC QR反激式转换开关IC,USB PD TYPE-C控制器,CV/CC QR FLYBACK SWITCHER IC,USB PD TYPE-C CONTROLLER,M50-3930842,VJ0805A470JXGAT5Z,ERJ-8ENF2004V,ERJ-2GEJ220X,ERJ-3GEYJ470V,AO4576,ERJ-3EKF2551V,DFLR1200-7,ERJ-2GEJ470X,UPW1H220MDD,ERJ-8ENF1004V,V,PS电源适配器,USB PD接口,PS POWER ADAPTER,USB PD
采用InnoSwitch的42W双端口隔离反激式电源，30W USB PD 3.0和12W USB-A端口™ 3-Pro氮化锂™ INN3379C-H302设计示例报告
本报告介绍了一款42W双USB端口隔离式反激电源设计，适用于墙壁插座和电源插座应用。该电源由InnoSwitch3-Pro控制，提供30W USB PD 3.0（USB Type-C）输出，同时为5V/2.4A输出（USB Type-A）DC/DC转换器提供直流输入。设计采用InnoSwitch3-Pro IC，具有高集成度和数字控制特性，适用于高效率USB PD 3.0应用。报告包含电源规格、原理图、物料清单、变压器文档、PCB布局、设计电子表格和性能数据。
PI - AO4354,ERJ-3EKF10R0V,DX07S024WJ3R400,30-00469-00,SX-813-1,C1608C0G2E221J,C1608X7R1H223K,ERJ-2GEJ204X,GRM188Z71E225KE43D,ERJ-3GEYJ470V,MM3Z47VB,VP302,4
AOS半导体产品可靠性报告AO4354，A版塑料封装器件
本报告概述了AOS半导体公司AO4354产品的可靠性测试结果。报告详细介绍了产品的技术参数、封装信息、环境应力测试结果和可靠性评估。测试包括MSL、HTGB、HTRB、HAST、压力罐和温度循环等，所有测试均未出现故障。可靠性评估显示，AO4354的FIT率为7，MTTF为15704年。
AOS - AO4354
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