ASC30N1200D21
相关结果约227条爱仕特D21系列三相桥碳化硅模块,具有高效能、高功率密度和优秀的散热性能,引领车载空调压缩机发展
在2024年上海慕尼黑电子展上,爱仕特隆重推出了创新力作D21系列模块——1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构,以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能,展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势,为电动汽车空调压缩机、车载充电机及工业驱动系统等提供了创新解决方案,推动行业向更高效、更环保的方向迈进。
爱仕特SiC Chips选型表
提供爱仕特SiC Chips选型,覆盖TO-247-3,TO247-4L,TO-247-4,DFN8*8,DFN 10*12等常规封装,覆盖常规功率段,电压650V-3300V,电流5A-100A
产品型号
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品类
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Package
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Voltage(V)
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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选型表 - 爱仕特 立即选型
广告 发布时间 : 2025-01-06
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。
爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南
公司简介和芯片/模块产品规则 芯片 模块 参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍
爱仕特 - 半导体碳化硅芯片,单芯片,碳化硅芯片,SIC MOS模块,SIC MOS芯片,SIC功率模块,SIC模块,六英寸SIC MOS芯片,碳化硅MOS器件,SIC CHIPS,SIC MODULES,ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,AS,充电器,充电机,充电桩,动车,医疗电源,医疗设备,变频器,变频洗衣机,变频空调,国防军工,地铁,坦克,太阳逆变器,家电电器,微波炉,感应加热,新能源发电,新能源汽车,无功补偿器,智能电网,有源滤波器,核磁共振仪,消费电子,混合动力汽车,潜艇,激光炮,牵引变流器,电动汽车,电厂除尘设备,电子计算机断层扫描仪,电机控制器,电池储能电站,电焊机,电磁炉,电磁炮,舰船,节能环保,计算机断层扫描,车载充电机,车载电源,轨道交通,轻型直流输电,辅助电源,适配器,雷达,风电换流器,鱼雷,PFC电源,CT
ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅(SiC)技术,具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。
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【元件】爱仕特全新34mm封装碳化硅模块适用于大功率工业应用,具有高过载和高耐温循环能力
深圳爱仕特科技有限公司新增一款34mm工业标准封装模块,具有更多灵活性和可靠性,主要应用于工业焊机、电机传动、UPS电源、高频开关、大功率变流器等工业领域。
【产品】N沟道碳化硅MOSFET ASC30N1200MT3,静态漏源导通电阻典型值80mΩ
ASC30N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET,采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性;低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,也确保了该产品具有低电容和栅极电荷。
ASC30N1200MT7 1200V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了ASC30N1200MT7型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅(SiC)技术,具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻等特性,适用于电动汽车充电、高压DC/DC转换器、开关电源和功率因数校正模块等应用。
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【产品】国产自研SiC MOSFET ASC30N650MT4,适用于电动汽车充电、DC/DC转换器
本文主要介绍深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发SiC MOS芯片。ASC60N650MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。
ASC30N900MT3 900V N沟道MOSFET\n
该资料详细介绍了ASC30N900MT3型碳化硅(SiC) MOSFET的特性。这种MOSFET采用全新技术,提供比硅基器件更优越的开关性能和更高的可靠性。其主要特点是低导通电阻、高阻断电压、易于并联驱动,且符合ROHS标准和无卤素要求。适用于电动汽车充电、直流/直流转换器、开关模式电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。
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ASC30N1200MT4PB 1200V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了ASC30N1200MT4PB这款1200V N-Channel MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术,具有高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻等特性,适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关模式电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。
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【产品】符合ROHS标准的SiC MOS芯片ASC30N900MT4,易于并行和简单驱动
SiC MOS芯片ASC30N900MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优点包括系统效率最高,工作频率更快,功率密度增加,电磁干扰能力降低。
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