BUW44
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以下功率晶体管已停产，现已报废（EOL）（PDN01250）
本资料详细介绍了多种TO-3封装的功率晶体管的技术参数，包括最大集电极电流、功耗、击穿电压等关键性能指标。资料还提供了产品支持、设计支持/服务、产品镀层请求和联系方式等信息。此外，资料还列出了即将停产和已进入生命终结阶段（EOL）的晶体管型号，并提供了相应的替代产品建议。
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. BUW44
本资料为Semelab公司生产的BUW44型双极性NPN晶体管的短版数据表。该器件采用TO3封装，具有金属外壳，适用于高功率应用。数据表中包含了尺寸规格、引脚排列、工作电压、集电极电流、放大系数等关键参数。
TT ELECTRONICS - BUW44,双极NPN器件,BIPOLAR NPN DEVICE
发布时间 : 2025-03-03
PDN01250功率晶体管产品停产通知
中央半导体公司宣布，以下列出的功率晶体管产品已停产，并进入生命终结（EOL）状态。若库存已耗尽，部分设备可能可通过特殊订单获得；请联系您的中央半导体销售代表。中央半导体公司将继续努力生产其他制造商已宣布生命终结的设备，但在客户需求低于最低可持续水平时，行业惯例是停止生产某些设备。以下产品已转为生命终结状态，作为中央产品组合管理的一部分。最后采购订单的截止日期为公告发布之日起六个月，最终发货日期为公告发布之日起十二个月，可能适用最小订购量。如果库存可用，最后采购和发货日期可能延长。所有列出的产品均包括所有镀层类型（PBFREE，TIN/LEAD）。
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BUX11功率晶体管已停产，现在被归类为寿命终止（EOL）（PDN01155）
本资料主要介绍了多种功率晶体管的规格参数，包括型号、最大集电极电流、最大功耗、击穿电压、电流增益、开关频率等。同时，资料还提供了产品支持、设计支持/服务、产品镀层请求、联系方式以及产品停产通知等信息。
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Power TransistorsTO-3 Case (Continued)
本资料提供了一系列功率晶体管（TO-3封装）的技术规格，包括不同型号的NPN和PNP晶体管的电气参数和应用信息。资料涵盖了最大电流、电压、增益、频率响应等重要技术指标，并提供了产品设计支持和客户服务信息。
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Power Transistors TO-3 Case
该资料提供了一系列功率晶体管（TO-3封装）的技术规格，包括不同型号的NPN和PNP晶体管的电气参数和应用信息。资料还介绍了中央半导体公司的产品支持和服务，包括供应管理、设计支持和定制服务。
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功率晶体管TO-3外壳（续）
本资料详细介绍了多种TO-3封装的功率晶体管，包括NPN和PNP类型。资料中列出了不同型号的晶体管的关键参数，如最大集电极电流、最大功耗、击穿电压、电流增益、特征频率等。此外，资料还提供了产品支持、设计支持、产品定制、环保合规性等信息，以及如何请求特定产品镀层和联系方式。
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Central Semiconductor PDN01250 Product Discontinuation Notice
• 变更对象: Central Semiconductor 的多个功率晶体管型号（如 BDW51, BDW52, BDW94B, BDX 系列, BD 系列, MJE 系列, TIP 系列, 2N 系列等） • 变更原因: 由于市场需求下降至不可持续的水平，Central Semiconductor 决定对部分产品进行停产处理。 • 变更时间: 此通知发布日期为 2023 年 2 月 10 日。 • 产品因变更所受到的影响: 所有列出的产品将被归类为寿命终止 (EOL)，仅限现有库存销售。在库存耗尽后，部分设备可能可通过特殊订单获得。 • 生效时间: 最后采购订单的截止日期为此通知发布之日起六个月，最后发货日期为此通知发布之日起十二个月。
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BUW系列高功率晶体管
BUW系列是专为高功率应用设计的晶体管，广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。该系列产品包括多个型号，如BUW11、BUW132A、BUW40A等，封装形式多样，涵盖TO-3PN、TO-220、TO-3P等。这些晶体管具有出色的电气性能和可靠性，适用于高压、大电流的工作环境。BUW系列晶体管的主要特点包括：高击穿电压、低饱和压降、高开关速度和良好的热稳定性。它们被广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、开关电源等领域。BUW系列晶体管不仅在性能上表现出色，而且在封装设计上也考虑到了散热需求，确保了在高温环境下的稳定运行。此外，BUW系列晶体管还具备多种保护功能，如过流保护、短路保护等，进一步提高了系统的安全性。BUW系列晶体管凭借其卓越的性能和可靠性，成为众多高功率应用的理想选择。
CHANGZHOU GLOBALTONE INTERNATIONAL TRADE CO., LTD. - BUW44,晶体管,BUW38,BUW39,BUW12W,BUW75,BUW73,BUW74,BUW34,BUW13A,BUW36,BUW35,BUW40A,BUW132H,BUW12F,BUW64B,BUW40B,BUW64C,BUW133,BUW132A,BUW131,BUW49,BUW48,BUW12,工业,开关电源,汽车,消费电子,电机驱动,电源管理,逆变器
时科双极型晶体管选型表
时科提供双极型晶体管的以下参数选型：PCM(mW)：-1200~10000mW，Hfe MIN：25~8000，Hfe MAX：180~1200
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产品型号
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品类
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POLARITY
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PCM(mW)
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Ic(mA)
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BVcbo(V)
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BVceo(V)
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BVebo(V)
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Hfe MIN
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Hfe MAX
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Hfe@VCE(V)
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Hfe@lc(mA)
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VCE(SAT)(V)
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VCE(SAT)@lc(mA)
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VCE(SAT)@Ib(mA)
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Ft(Mhz)
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Package
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BC846AW
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双极型晶体管
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NPN
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200
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100
|
80
|
65
|
6
|
110
|
220
|
5
|
2
|
0.6
|
100
|
5
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100MIN
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SOT-323
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MJ11012:30A，60V NPN达林顿双极功率晶体管
该资料介绍了ON Semiconductor公司生产的MJ11012型号NPN达林顿双极型功率晶体管。该晶体管适用于作为互补通用放大器应用的输出器件，具有高直流电流增益、单片结构以及内置基极发射极分流电阻等特点。
ONSEMI - NPN达林顿双极功率晶体管,NPN DARLINGTON BIPOLAR POWER TRANSISTOR,MJ11012G
双极型晶体管（BJT）与场效应晶体管（MOS）特性及应用
本文详细介绍了晶体管的原理、分类、主要参数及应用场景。晶体管是一种半导体器件，由两个PN结组成，分为双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（MOS）。其核心功能包括电流放大、信号处理和开关控制。在性能特征方面，晶体管的关键参数包括β值（电流放大倍数）、反向击穿电压、任务频率等。其中，β值决定了晶体管的电流放大能力，通常选择30到80之间为宜；反向电流越小，晶体管的稳定性越高；反向击穿特性描述了晶体管在高电压下的工作情况。根据结构差异，晶体管可分为PNP型和NPN型，且按功率消耗分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。在实际应用中，晶体管广泛用于电源管理、信号处理、数字电路等领域。BJT适用于电流控制场景，而MOS则更适合电压控制场合。此外，晶体管在饱和区和截止区的工作状态也决定了其作为开关的应用特性。
踏歌科技 - 双极型晶体管,场效应晶体管,晶体管,NPN管,MOS,小功率晶体管,大功率晶体管,PNP管,BJT,中功率晶体管,信号处理,开关控制,数字电路,电源管理
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