BUX44
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以下功率晶体管已停产，现已报废（EOL）（PDN01250）
本资料详细介绍了多种TO-3封装的功率晶体管的技术参数，包括最大集电极电流、功耗、击穿电压等关键性能指标。资料还提供了产品支持、设计支持/服务、产品镀层请求和联系方式等信息。此外，资料还列出了即将停产和已进入生命终结阶段（EOL）的晶体管型号，并提供了相应的替代产品建议。
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BUX44双极NPN器件采用密封TO3金属封装
本资料为Semelab公司生产的BUX44型双极性NPN晶体管的简明数据表。资料中详细列出了该晶体管的尺寸、封装、电气参数和测试条件。包括最大工作电压VCEO、集电极连续电流IC、电流增益hFE等关键参数。资料还提到该产品符合BS、CECC、JAN、JANTX、JANTXV和JANS等规格要求，并强调Semelab保留在不提前通知的情况下更改测试条件、参数限制和封装尺寸的权利。
TT ELECTRONICS - BUX44,双极NPN器件,BIPOLAR NPN DEVICE
发布时间 : 2025-03-03
PDN01250功率晶体管产品停产通知
中央半导体公司宣布，以下列出的功率晶体管产品已停产，并进入生命终结（EOL）状态。若库存已耗尽，部分设备可能可通过特殊订单获得；请联系您的中央半导体销售代表。中央半导体公司将继续努力生产其他制造商已宣布生命终结的设备，但在客户需求低于最低可持续水平时，行业惯例是停止生产某些设备。以下产品已转为生命终结状态，作为中央产品组合管理的一部分。最后采购订单的截止日期为公告发布之日起六个月，最终发货日期为公告发布之日起十二个月，可能适用最小订购量。如果库存可用，最后采购和发货日期可能延长。所有列出的产品均包括所有镀层类型（PBFREE，TIN/LEAD）。
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BUX11功率晶体管已停产，现在被归类为寿命终止（EOL）（PDN01155）
本资料主要介绍了多种功率晶体管的规格参数，包括型号、最大集电极电流、最大功耗、击穿电压、电流增益、开关频率等。同时，资料还提供了产品支持、设计支持/服务、产品镀层请求、联系方式以及产品停产通知等信息。
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Power TransistorsTO-3 Case (Continued)
本资料提供了一系列功率晶体管（TO-3封装）的技术规格，包括不同型号的NPN和PNP晶体管的电气参数和应用信息。资料涵盖了最大电流、电压、增益、频率响应等重要技术指标，并提供了产品设计支持和客户服务信息。
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Power Transistors TO-3 Case
该资料提供了一系列功率晶体管（TO-3封装）的技术规格，包括不同型号的NPN和PNP晶体管的电气参数和应用信息。资料还介绍了中央半导体公司的产品支持和服务，包括供应管理、设计支持和定制服务。
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功率晶体管TO-3外壳（续）
本资料详细介绍了多种TO-3封装的功率晶体管，包括NPN和PNP类型。资料中列出了不同型号的晶体管的关键参数，如最大集电极电流、最大功耗、击穿电压、电流增益、特征频率等。此外，资料还提供了产品支持、设计支持、产品定制、环保合规性等信息，以及如何请求特定产品镀层和联系方式。
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Central Semiconductor PDN01250 Product Discontinuation Notice
• 变更对象: Central Semiconductor 的多个功率晶体管型号（如 BDW51, BDW52, BDW94B, BDX 系列, BD 系列, MJE 系列, TIP 系列, 2N 系列等） • 变更原因: 由于市场需求下降至不可持续的水平，Central Semiconductor 决定对部分产品进行停产处理。 • 变更时间: 此通知发布日期为 2023 年 2 月 10 日。 • 产品因变更所受到的影响: 所有列出的产品将被归类为寿命终止 (EOL)，仅限现有库存销售。在库存耗尽后，部分设备可能可通过特殊订单获得。 • 生效时间: 最后采购订单的截止日期为此通知发布之日起六个月，最后发货日期为此通知发布之日起十二个月。
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BUX系列大功率晶体管
BUX系列是高性能的大功率晶体管，适用于各种高要求的电子设备和应用领域。该系列产品具有出色的电气性能和可靠性，广泛应用于音频放大器、电源管理、工业控制等领域。BUX系列晶体管采用多种封装形式，包括TO-3、TO-66、TO-220、TO-126等，以满足不同应用场景的需求。这些晶体管具备高电流处理能力、低饱和电压和快速开关特性，能够在极端温度条件下稳定工作。其主要规格参数包括最大集电极电流、最大耗散功率、最大集电极-发射极电压等。BUX系列晶体管不仅适用于消费电子产品，还广泛应用于工业自动化、通信设备、医疗仪器等领域，为用户提供可靠的解决方案。
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双极型晶体管（BJT）与场效应晶体管（MOS）特性及应用
本文详细介绍了晶体管的原理、分类、主要参数及应用场景。晶体管是一种半导体器件，由两个PN结组成，分为双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（MOS）。其核心功能包括电流放大、信号处理和开关控制。在性能特征方面，晶体管的关键参数包括β值（电流放大倍数）、反向击穿电压、任务频率等。其中，β值决定了晶体管的电流放大能力，通常选择30到80之间为宜；反向电流越小，晶体管的稳定性越高；反向击穿特性描述了晶体管在高电压下的工作情况。根据结构差异，晶体管可分为PNP型和NPN型，且按功率消耗分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。在实际应用中，晶体管广泛用于电源管理、信号处理、数字电路等领域。BJT适用于电流控制场景，而MOS则更适合电压控制场合。此外，晶体管在饱和区和截止区的工作状态也决定了其作为开关的应用特性。
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2N5686 高电流NPN双极功率晶体管
2N5686是一款高电流NPN双极功率晶体管，适用于大功率放大器和开关电路应用。该晶体管具有高电流能力，连续电流达到50安培，直流电流增益在25安培连续电流下为15-60。其集电极-发射极饱和电压低，最大为1.0伏特直流。2N5686还提供无铅封装选项，以满足环保要求。该产品适用于多种应用，包括工业、汽车电子和消费电子等领域。
ONSEMI - 分立器件和功率模块,2N5686G,大功率放大器和开关电路
2N3771G：30A，40V NPN双极功率晶体管
2N3771G是一款通用型低VCE(sat)的NPN双极功率晶体管，其主要特性包括30 A的连续集电极电流和40 V的最小集电极-发射极击穿电压。这款晶体管适用于线性放大器、串联旁路稳压器以及电感开关应用等场景。产品具有前向偏置二次击穿电流能力（I S/b = 3.75 Adc @ V CE = 40 Vdc），并且提供无铅封装选项以满足环保要求。该器件的主要参数包括饱和电压（V CE(sat) Max (V)）、最大功率耗散（P TM Max (W)）以及其他电气性能指标。其典型应用场景涉及工业控制、电源管理和电机驱动等领域，能够为用户提供高效率、高可靠性的解决方案。
PULSECORE SEMICONDUCTOR - 双极功率晶体管,2N3771G,串联旁路稳压器,电感开关应用,线性放大器
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