CP635-MJ2955
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Central Semiconductor（中央半导体）裸芯片器件（二极管/整流器/晶体管/场效应管/晶闸管/保护器件）选型指南
本指南介绍了Central Semiconductor公司提供的裸片产品，包括标准裸片器件和定制服务。指南涵盖了小信号晶体管、MOSFET、双极性功率晶体管、二极管、保护器件、整流器和晶闸管等。指南详细介绍了产品的编号、包装方式、测试能力和定制服务，并提供了在线产品目录和报价请求信息。
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PROCESS CP635 Power Transistor PNP - Silicon Power Transistor Chip
本资料介绍了Centrale Semi公司生产的PROCESS CP635型号PNP型硅功率晶体管芯片。该芯片采用玻璃钝化Mesa工艺制造，具有特定的尺寸和金属化层厚度，适用于各种电子设备。
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广告 发布时间 : 2025-03-03
通用晶体管
该资料详细列出了多种通用晶体管的产品信息，包括中央零件编号、最小VCEO、最小IC、VCE(SAT)、hFE最小值、晶圆尺寸、晶圆厚度、顶部金属化和底部金属化等参数。资料中涵盖了不同电压和电流规格的晶体管，适用于各种电子应用。
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格瑞普电池选型表
格瑞普锂电池，磷酸铁锂电池，高压锂电池，镍氢电池，低温锂电池，快充电池，三元锂电池选型表。倍率(C)：1~50C，容量(mAh)：48~40000mAh，电压：1.2V~4.35V
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产品型号
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品类
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倍率Rate(C)
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Thickness(mm)
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Width(mm)
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Length(mm)
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容量(mAh、mA)
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Voltage(V)
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CP6431122-R1A
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三元锂电池
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1C
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6.4mm
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31mm
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122mm
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3000mAh
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3.7V
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选型表 - 格瑞普 立即选型
工艺CP635功率晶体管PNP-硅功率晶体管芯片
该资料介绍了型号为CP635的PNP型硅功率晶体管芯片的加工工艺和几何参数。芯片采用玻璃钝化Mesa工艺制造，尺寸为106 x 106 MILS，厚度12 MILS。基极和发射极的键合面积分别为25 x 33 MILS和30 x 36 MILS。芯片正面金属化采用铝，背面金属化采用银。资料还提供了背面集电极R0的几何尺寸和每4英寸晶圆的芯片数量，以及主要器件类型为MJ2955R1。
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Central Semiconductor提供符合MIL-PRF-38534/19500标准的上筛选产品
Central Semiconductor可以根据MIL-PRF-38534（H级和K级等效产品），MIL-PRF-19500（HC和KC级等效产品）以及客户提供的初始控制图纸筛选COTS裸芯片产品。
PDN01203：CP635晶圆工艺已停产，现被归类为停产（EOL）产品停产通知
中央半导体公司宣布CP635晶圆加工工艺已停产，并进入生命终结（EOL）阶段。尽管公司尽力继续生产其他制造商已宣布EOL的设备，但根据行业惯例，当客户需求低于最低可持续水平时，将停止某些设备的生产。因此，以下产品已转为EOL状态，并提供了替代产品信息。最后采购订单的截止日期为通知发布之日起六个月，最终发货日期为通知发布之日起十二个月，可能适用最小订购量。如有库存，最后采购和发货日期可能延长。所有列出的项目均包括所有电镀类型（PBFREE，TIN/LEAD）。如无替代产品，中央半导体公司愿意提供额外信息或技术数据，以帮助寻找替代来源。如需协助，请访问https://my.centralsemi.com/submit-inquiry?type=ER提交在线查询。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - CP635-2N3791-CM,CP635-H2N3791-CM
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品牌：Central Semiconductor
品类：General Purpose Transistors
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