DMOS
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MS3989/MS3989N四DMOS全桥驱动程序
该资料介绍了MS3989/MS3989N四通道DMOS全桥驱动器，适用于驱动步进电机或直流电机。它具有固定关断时间脉冲宽度调制（PWM）电流调节器和2位非线性数字模拟转换器，支持步进电机的全、半、四分之一步控制以及直流电机的正转、反转和滑行模式。产品特性包括高电流输出、同步整流、过压锁定保护和热关断电路。
瑞盟科技 - 四DMOS全桥驱动器,QUAD DMOS FULL-BRIDGE DRIVER,MS3989,MS3989N
6英寸晶圆DMOS SGS（SVHC）测试报告（SHAEC24020925908）
本报告为SGS出具的一份SVHC（高度关注物质）测试报告，编号SHAEC24020925908，日期为2024年9月19日。报告内容涉及客户提供的6英寸晶圆样品DMOS的SVHC筛查，测试方法包括ICP-OES、UV-VIS、GC-MS、HPLC-DAD/MS和比色法。测试结果显示，样品中241种SVHC候选物质和14种潜在SVHC的含量均低于0.1%（w/w），符合欧盟REACH法规的要求。报告还包括测试方法、结果、备注和附录等内容。
华润微电子 - 彩色硅片,6英寸晶片,6 IN WAFER,COLORFUL SILICON WAFER
发布时间 : 2025-03-03
CPC3982 N沟道耗尽型垂直DMOS FET
本资料介绍了IXYS Integrated Circuits公司生产的CPC3982型N通道耗尽模式垂直DMOS场效应晶体管（FET）。该器件采用第三代垂直DMOS工艺制造，具有高耐压、低导通电阻等特点。适用于汽车点火模块等高功率应用。
IXYS - N沟道耗尽型垂直DMOS FET,N沟道耗尽型场效应晶体管, DEPLETION MODE, FIELD EFFECT TRANSISTOR,N-CHANNEL,N-CHANNEL DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET,CPC3982T,CPC3982TTR,CPC3982,固态继电器,常开开关,恒流稳压器,无线通讯,点火模块,电源,转换器,CONSTANT CURRENT REGULATOR,CONVERTERS,IGNITION MODULES,NORMALLY-ON SWITCHES,POWER SUPPLY,SOLID STATE RELAYS,TELECOMMUNICATIONS
HR4985 DMOS微步驱动器，带转换器和过流保护
HR4985是一款集成了译码器和过流保护的DMOS微步驱动器，适用于全步、半步、四分之一步和八分之一步模式。它具有低RDS(ON)输出、自动电流衰减模式检测/选择、混合和慢速电流衰减模式、同步整流等功能，旨在简化操作并提高电机控制精度。
禾润 - DMOS微步驱动器,完整的微步进电机驱动器,COMPLETE MICROSTEPPING MOTOR DRIVER,DMOS MICROSTEPPING DRIVER,HR4985,HR4985SQ
XL62083 8沟道漏型DMOS晶体管阵列
XL62083系列是一款8通道源极开漏型DMOS晶体管阵列，内置钳位二极管，适用于切换感性负载。该产品具有高电压、高电流、低输入电压等特点，封装为SOP18。
信路达 - DMOS晶体管阵列,8沟道漏型DMOS晶体管阵列,8CHANNEL SINK TYPE DMOS TRANSISTOR ARRAY,DMOS TRANSISTOR ARRAY,XL62083 SERIES,XL62083
DMOS推荐品牌：
CPC3980 N沟道耗尽型垂直DMOS FET
该资料介绍了IXYS Integrated Circuits Division生产的CPC3980型800V N沟道耗尽模式垂直DMOS晶体管。该器件采用专有的垂直DMOS工艺制造，具有高输入阻抗，适用于高压应用。其主要特性包括高击穿电压（800V）、低导通电阻（最大45Ω）、小封装尺寸（SOT-223）等。
LITTELFUSE - N沟道耗尽型垂直DMOS FET,800V，N沟道，耗尽型，场效应晶体管（FET）,高可靠性FET器件, DEPLETION-MODE, FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET), N-CHANNEL,800V,HIGHLY RELIABLE FET DEVICE,N-CHANNEL DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET,CPC3980,CPC3980Z,CPC3980ZTR,固态继电器,常开开关,无线通讯,电流调节器,电源,转换器,CONVERTERS,CURRENT REGULATORS,NORMALLY-ON SWITCHES,POWER SUPPLY,SOLID STATE RELAYS,TELECOMMUNICATIONS
【元件】时科采用沟槽DMOS技术的MOS管SK38N04BD，具备卓越开关性能，可承受140A脉冲电流
在开关应用电路的领域中，设计者们始终面临着两大主要挑战：开关速率和抗浪涌能力。时科的SK38N04BD MOS管是为解决这些挑战而设计的理想之选，具备承受高达140A脉冲电流的能力，采用沟槽DMOS技术，拥有卓越的散热性能。
OCB8870 3.6A全桥DMOS PWM电机驱动器
该资料介绍了OCB8870型3.6A全桥DMOS PWM电机驱动器。它适用于脉冲宽度调制（PWM）控制直流电机的速度和方向，具有宽输入电压范围、低导通电阻、内置保护功能等特点。
灿瑞科技 - 全桥DMOS PWM电机驱动器,FULL-BRIDGE DMOS PWM MOTOR DRIVER,OCB8870ESAE,OCB8870,商业安装,打印机,扫频仪,汽车信息娱乐,电动换档器旋钮,车载充电器,HUD投影仪调整,AUTOMOTIVE INFOTAINMENT,COMMERCIAL INSTALLATION,HUD PROJECTOR ADJUSTMENT,MOTORIZED SHIFTER KNOBS,ON-BOARD CHARGERS,PRINTER,SWEEPER
ZVP2106B P CHANNEL ENHANCEMENTMODE DMOS FET
本资料介绍了ZVP2106B P通道增强型DMOS FET的机械数据和电气特性。该器件具有快速开关速度、无二次击穿、优异的温度稳定性、高输入阻抗和低电流驱动等特点。
TT ELECTRONICS - P通道增强模式DMOS FET,P CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS FET,ZVP2106B
带转换器和过电流保护的HR4988 DMOS微步驱动器
HR4988是一款集成了译码器和过流保护的DMOS微步驱动器，适用于全步、半步、四分之一步等多种微步模式。它具有低导通电阻、自动电流衰减模式、同步整流等功能，可应用于各种电机控制场合。
中科微 - 带转换器和过流保护的DMOS微步驱动器,DMOS MICROSTEPPING DRIVER WITH TRANSLATOR AND OVERCURRENT PROTECTION,HR4988SQ,HR4988
【产品】内置功率DMOS FET的电机驱动器BD16852EFV-C，符合AEC-Q100标准
ROHM推出的BD16852EFV-C是一款内置功率DMOS FET的电机驱动器。它采用120°转向无感测器驱动，无需霍尔器件作为位置检测传感器；所有输出保护均具有自诊断和自恢复功能，简化了系统配置。
【产品】-60V/-16A P沟道MOSFET RM16P60LD，使用沟槽DMOS技术
丽正国际推出的RM16P60LD是一款P沟道MOSFET，使用沟槽DMOS技术，最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲，非常适合高效快速开关应用。在TC=25°C时，RM16P60LD可以承受的极限漏源电压为-60V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为-16A，结温和储存温度范围为-50~150℃。
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