屹晶微电子(Egmicro)逆变器/驱动芯片/电源管理芯片/D类功放/传感器/运放/单片机/安防报警产品选型指南
公司简介 产品概览 逆变器/驱动芯片 非隔离DC-DC 大功率AC-DC 中小功率AC-DC 电池充电管理芯片/移动电源管理芯片 线性电源/LED驱动/D类功放 微波红外感应/滚动码/霍尔传感器 运放/比较器/单片机 解决方案
屹晶微电子 - MEDIUM POWER AC-DC,中小功率AC-DC,电池充电管理芯片,D类功放,NON-ISOLATED DC-DC,运放芯片,D类放大器,滚动码芯片,滚动码,DRIVE,三相SPWM逆变器,逆变器发电机专用芯片,低成本8位单片机,定时芯片,HALL SENSOR,LED驱动芯片,单片机,逆变器,双重定时芯片,电池充电管理,比较器,32位单片机,HALL传感器,三相逆变器,驱动,HIGH POWER AC-DC,LED DRIVE,LED驱动器,电源管理芯片,线性电源,LDO,COMPARER,放大器,D-CLASS AMPLIFIER,比较器芯片,带ADC PWM功能单片机,LED驱动,INVERTER,单相SPWM逆变器,霍尔传感器,正弦波逆变器,微波红外感应,AMPLIFIER,中功率AC-DC,数码发电机逆变器,逆变器芯片,驱动芯片,移动电源管理芯片,大功率AC-DC,单相逆变器,纯正弦波逆变器,非隔离DC-DC,MOS驱动,MCU,运放,EG1182,EG6599,EG1185,EG4002C,EG12521,EG1611,EG3116,EG3113,EG8025,EG8542,EG0001,EG3112,EG1177,EG4321,EG8301,EG8543,EG4320,EG7335,EG8303,EG8305,EG3116D
屹晶微电子驱动芯片选型表
屹晶微电子提供如下参数的驱动芯片:死区,低端电源,输出电流,悬浮电源,高端/低端电源欠压保护
产品型号
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品类
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悬浮电源(V)
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低端电源(V)
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输入逻辑
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输出电流
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低端电源欠压保护(V)
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高端电源欠压保护(V)
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闭锁保护
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使能
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死区(nS)
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封装
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EG1160
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驱动芯片
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600
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10-20
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HIN,LIN
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2.0/2.5
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8.5/7.9
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8.2/7.5
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有
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无
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160
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SOP16
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选型表 - 屹晶微电子 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
屹晶微电子电源管理芯片选型表
如下表格提供屹晶微电子电源管理芯片选型,包含输入电压、启动电流、开关频率、输出电压精度、是否内置功率管五大参数可供选择。
产品型号
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品类
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输入电压
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启动电流
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输出电压精度
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EG4321
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电源管理芯片
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3.5V-18V
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1.6mA
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0.01
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选型表 - 屹晶微电子 立即选型
【应用】零功耗使能降压DCDC电源芯片EG1192H用于两轮车控制器中,可解决96V电摩兼容设计问题
在两轮车电控方面,通常会做一款兼容设计,这就使得在电控上对一级电源的要求比较高,目前96V的应用中,通常需要120V的一级电源作为前级输入,并且需要比较大的电流,通常为1.5A/2A。零功耗使能降压DCDC电源芯片EG1192H作为宽压DC-DC,满足120V输入的要求,并且可以输出5V/1.5A的电压、电流。
【选型】耐压高达300V的大功率MOS管EG2132满足TEC控制器制冷或发热需求,静态功耗小于5μA
屹晶微推出的EG2132是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 栅极驱动专用芯片,该芯片高端的工作电压可达300V,VCC的电源电压范围11V~20V,输出电流能力IO+/- 1/1.5A,静态功耗小于5uA。提供HIN、LIN两个逻辑输入驱动HO、LO组成半桥结构,采用SOP8封装。
【应用】升压型同步整流DC-DC电源管理芯片EG1164用于大功率BOOST电路,输入电压范围4~20V
屹晶微电子推出的EG1164是一款高压大电流的升压型同步整流DC-DC电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、逐周限流控制、半桥驱动等功能,非常适合高压大电流场合应用。芯片的宽输入电压范围,可以满足为基站设备供电的需求。
【经验】屹晶微电子推出的逆变器EG8010死区时间的选择经验
屹晶微电子推出的EG8010是一款数字化的、功能完善的、自带死区时间控制的纯正弦波逆变器芯片,EG8010有四种可配置的死区时间,本文从客户项目入手,结合开关管参数,简述如何选择合适的死区时间,避免上下管同时导通且减少波形失真。
【应用】国产屹晶微电子DCDC EG1190用于120W直流电源设计,设计成本和设计周期低
在120W直流电源模块中,客户需要完成24V输入电压,12V电压10A电流输出,传统采用的是TI以及NXP的电源IC实现,但由于目前TI等外国芯片的涨价和紧缺,本文将介绍成本更低,设计周期更短的国产屹晶微电子DCDC EG1190的方案。
【应用】基于EG1163、EG358的12V/8A高效率同步整流非隔离DC-DC,极大提高了电源转换效率,最高达97%
本方案基于屹晶微电子EG1163、EG358开发设计。在11V-85V宽范围输入电压下,实现5V/8A或者12V/8A或者24V/8A高效率输出。本方案采用典型的同步整流BUCK拓扑结构。同时采用同步整流MOS管代替快恢复整流二极管,极大的提高了电源转换效率,最高效率达到97%。
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