EMLE250ADA101MHA0G
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表面贴装铝电解电容器AIchipTM系列
该资料介绍了AIchip TM-MLE系列的表面贴装铝电解电容器。这些电容器具有长达7000至8000小时的寿命，工作温度为105℃。资料提供了详细的规格参数，包括额定电压范围、电容值、耐压电流、损耗因数等，并说明了其适用于高可靠性产品。
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LANBAO传感器及其配件选型表
LANBAO提供电感式传感器、薄型气体压力传感器、电容式传感器、光电式传感器、光纤放大器、激光测距传感器、色标传感器、数显激光测距传感器、数显型激光测距传感器、颜色传感器、数显型激光位移传感器及其配件选型，检测距离：0.8mm-150m；最小弯曲半径：R2/R15/R25；输出状态：485&开关量、NC、NO、 NO/NC、NO+NC；安装方式/检测方式：TOF、背景抑制式、背景抑制型、槽形对射式、对射式、非埋入式、埋入式、回归反射式、漫反射式、偏振反射式、透明体检测、限定反射式；外壳材质：316L不锈钢、ABS、PA66、PBT、PC、PC/ABS、PC+ABS、不锈钢、铝、铝合金、镍铜合金、特氟龙、铜镍合金。光幕传感器：保护高度120mm-1920mm；响应时间5ms-115ms；光轴数8轴-112轴。
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产品型号
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品类
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电源电压（V)
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输出逻辑
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输出状态
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安装方式/检测方式
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检测距离(mm）
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外壳材质
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连接方式
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LR04QAF08DNO
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电感式传感器
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DC10-30V
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NPN
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NO
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埋入式
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0.8mm
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不锈钢
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成型电缆
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选型表 - LANBAO 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
科信开关二极管选型表
提供科信电子开关二极管选型：其中包括低漏电流二极管 高速双二极管 表面贴装开关二极管 超高速开关应用二极管 硅开关二极管等品类，参数：VRRM：13.65V~600V，IF：0.015A~250A VF：0.16V~1V，IR：0.005uA~2500uA，封装外形有：SOD723\SOD523\SOD323\SOD123\SOD123F\LL34等
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产品型号
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品类
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package
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VR(V)
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IF(A)
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IFSM(A)
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VF(V) @ IF
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IR(uA) @ VR
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Cj(pF)
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trr(ns)
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1KS1010F
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Switching Diodes
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SOD323
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100V
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0.15A
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1A
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1.25V
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1uA
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2pF
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4ns
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选型表 - 科信 立即选型
HI-SEMICON超快恢复二极管（配对使用）选型表
HI-SEMICON提供超快恢复二极管（配对使用）以下参数选型，VRRM(V)：200~600V，IF(AV)(A)：10~30A，IFSM(A)：100~250A，TRR(nS)[typ]：25~50nS
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产品型号
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品类
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Package
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VRRM(V)
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IF(AV)(A)
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IFSM(A)
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VF(V)[typ]
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IRM
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TRR(nS)[typ]
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Status
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MUR1220CT
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超快恢复二极管
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TO-220-3L
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200
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12
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100
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0.93-0.95
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＜1
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25-30
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量产
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选型表 - HI-SEMICON 立即选型
LONTEN高压平面MOSFET选型表
提供LONTEN高压平面MOSFET选型：VDS：500V~650V；ID(A)：2~250A；VGS(V)：30；封装包括：TO-126,TO-126F,TO-220,TO-220F ,TO-247,TO-252,TO-262,TO-263等,具有低导通损耗,高雪崩耐量,高可靠性,更好的EMI兼容性等特点
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产品型号
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品类
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VDS(V)
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ID(A)25℃
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RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V)
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RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V)
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Qg(nC)(VGS=10V)
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VGS(V)
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VGS(th)(V)
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Package
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LND6507
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高压平面MOSFET
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650
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7
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1200
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1400
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20.7
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30
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3
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TO-220F
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选型表 - LONTEN 立即选型
ES5系列 5.0A表面贴装超快恢复二极管
ES5系列超快恢复二极管是一款高性能的表面贴装二极管，适用于LED电源、工业电源、高压钠灯镇流器、电信电源和LED路灯等应用场景。该系列二极管具有快速恢复特性，能够在高频应用中降低开关损耗，提高效率。产品提供多种封装类型，包括SMA/DO-214AC、SMB/DO-214AA、SMC/DO-214AB和DPAK/TO-252等，以满足不同设计需求。主要规格参数包括峰值重复反向电压、最大平均整流电流、最大峰值正向浪涌电流、正向压降、最大反向电流、典型结电容、最大反向恢复时间等。
THINKISEMI - 超快恢复二极管,ES5G,ES5GB,ES5J,ES5DB,ES5D,ES5JB,HID球泡灯镇流器,LED SMPS/工业电源,电信SMPS/LED路灯
ES1A-ES1M SMA Super Fast Recovery Diode（ES1A-ES1M SMA 超快恢复二极管）
该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的ES1A-ES1M系列超快恢复二极管。这些二极管具有内置应力释放、快速开关速度和超快恢复时间的特性，适用于表面贴装技术。资料提供了最大额定值、电特性参数以及典型特性曲线。
富信 - 超快恢复二极管,SUPER FAST RECOVERY DIODE,ES1C,ES1D,ES1E,ES1G,ES1J,ES1M,ES1A,ES1B
HDSE15U60G超快恢复二极管
该资料介绍了HDSE15U60G超快恢复二极管。它具有优异的反向恢复时间、开关速度和额定电流，适用于高压功率开关的电压限制和高频电流整流。产品特性包括高击穿电压、高速切换、雪崩能量评级和平面结构。
SEMIHOW - 超快恢复二极管,ULTRA FAST RECOVERY DIODE,HDSE15U60G,LED电源,充电器SMPS,CHARGER SMPS,LED POWER
MURS860FL 超快恢复二极管 8A FRED
MURS860FL是一款超快恢复二极管（FRED），具有低正向压降、快速反向恢复时间和高频操作等特性。该二极管采用高纯度高温环氧封装，具备增强的机械强度和防潮性能，并配有保护环以提高坚固性和长期可靠性。其典型应用包括开关电源、转换器、续流二极管和反向电池保护。该器件的最大额定参数包括：重复峰值反向电压为600V，平均整流输出电流为8A，非重复浪涌正向电流为70A，存储温度范围为-55至+175℃，结温范围为-55至+175℃。其典型的结电容为42pF。该产品采用ITO-220AC封装，符合RoHS标准，适用于表面贴装技术。订货信息显示，MURS860FL的最小包装数量为50个，内盒数量为1000个，外箱数量为5000个，通常以管状形式交付。
扬杰科技 - 二极管,续流二极管,超快恢复二极管,MURS860FL,反向电池保护,开关电源,转换器
ES1A~ES1J 超快恢复二极管
ES1A~ES1J 是一款超快恢复二极管，适用于表面贴装应用。其特点包括低外形封装、玻璃钝化芯片结、超级快速反向恢复时间、符合EUROHS 2011/65/EU指令的无铅设计。机械数据方面，采用SMA外壳，焊点符合MIL-STD-750标准，重量约为0.055克。这款二极管适用于各种高速开关电路和电源转换器，具有卓越的性能和可靠性。
芯派科技 - 超快恢复二极管,高速开关电路,ES1A~ES1J,电源转换器
E1AW-E1JW SOD-123FL超快恢复二极管
该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的E1AW-E1JW SOD-123FL超快恢复二极管。该产品具有内应力释放、快速开关速度和超快恢复时间的特性，适用于表面贴装技术。资料提供了最大额定值、电特性参数以及典型特性曲线。
富信 - 超快恢复二极管,SUPER FAST RECOVERY DIODE,E1CW,E1BW,E1AW,E1A,E1C,E1B,E1E,E1JW,E1D,E1G,E1GW,E1EW,E1DW,E1J
MUR1660CD 超快恢复二极管 8A*2 FRED
MUR1660CD 是一款超快恢复二极管（FRED），具有低正向电压降、快速反向恢复时间和高频操作等特性。该二极管采用高纯度高温环氧封装，增强机械强度和防潮性能，并配备保护环以提高坚固性和长期可靠性。其典型应用包括开关电源、转换器、续流二极管和反向电池保护。该二极管的额定参数包括：重复峰值反向电压为600V，平均整流输出电流为16A，浪涌非重复前向电流为100A，存储温度范围为-55至+175℃，结温范围为-55至+175℃，典型结电容为40pF。此外，它还具备出色的电气和热特性，如瞬时正向电压降在25℃时为1.45V，在150℃时为1.3V；直流反向电流在25℃时为5uA，在150℃时为200uA；反向恢复时间为25ns至35ns。MUR1660CD 采用TO-252封装，符合RoHS标准，适用于表面贴装工艺。其订货信息包括每卷2500个单位，外箱数量为25000个。
扬杰科技 - 快恢复二极管,续流二极管,超快恢复二极管,FRED,MUR1660CD,反向电池保护,开关电源,转换器
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