EPC2001

EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

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使用增强型硅上氮化镓功率FET（氮化镓®FET）应用笔记

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EPC2001C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

本资料为EPC2001C增强型功率晶体管的电子数据表，介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域和热设计。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、电容特性、热阻特性、封装尺寸和标记等内容。

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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240501）

EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售部分编号见附录I。

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