EPC2214
相关结果约993条EPC(宜普)eGaN® 氮化镓晶体管(GaN FET)和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
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在车载激光雷达产品中需要一款GaN用来驱动VCSEL激光二极管,要求峰值电流到20A,脉冲宽度在2-4ns,耐压到80V。要求车规。
推荐世强代理的EPC2214,、,尺寸1.35 mm x 1.35 mm,通过AEC Q101认证测试.耐压到80V。可以实现在300us内的峰值电流为47 A,完全满足2-4ns内峰值电流20A的要求。 数据手册链接:https://www.sekorm.com/doc/1403762.html
广告 发布时间 : 2025-01-06
最近在找一个氮化镓,是用在汽车的激光雷达上面的,现在是需要80v,10A左右,内阻要求在30毫欧内,车规级,有推荐吗?
您好! 推荐EPC的EPC2214,这个氮化镓的耐压在80v,内阻20毫欧,电流10A,车规级的 详细参数请参考数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1403762.html
【应用】具有VGA分辨率的车规级TOF模组设计方案,这个驱动IC有方案吗
驱动有2种方案: 1、采用eGaN FET EPC2214,适合高速大电流驱动。资料如下:https://www.sekorm.com/doc/1403762.html 2、采用集成芯片 ISL58303, 驱动电流800mA: https://www.sekorm.com/doc/329007.html
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2214
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single – AEC-Q101
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80
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6
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20
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1.8
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0.5
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0.3
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8
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0
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198
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129
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1.8
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10
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47
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150
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BGA 1.35 x 1.35
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Apr, 2019
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选型表 - EPC 立即选型
世强你好,在激光雷达上需用到驱动器驱动激光管,普通MOS无法满足高速的需求,请帮忙推荐合适的驱动,谢谢,
您好,推荐EPC(宜普电子)的氮化镓MOS EPC2214,是一种硅基增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),耐压80V,最大脉冲电流达到47A,导通电阻仅为15毫欧,封装尺寸小至1.35x1.35mm。详情请参考链接:https://www.sekorm.com/doc/1403762.html
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及其集成电路的应用范围,包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势,如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时,提供了eGaN®SR系列产品的参数对比,并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外,还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
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世强你好,请推荐一款GaN驱动,要求耐压60V以上、脉冲电流45A、过AEC-Q101认证,128线激光雷达项目使用,谢谢。
您好,推荐宜普(EPC)的GaN驱动EPC2214,满足VDS耐压80V,脉冲电流47A,过AEC-Q101认证。资料可参考链接:https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=1403762#page=3
增强型氮化镓技术
本文介绍了eGaN®技术,这是一种基于氮化镓(GaN)的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比,eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外,还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。
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世强你好,在激光雷达项目发射端上预计采用GaN+MX5114T 方案驱动激光管,LD功率在45W,对GaN峰值电流要求45A,导通电阻在20mΩ以内。是否有合适GaN MOSFET推荐?
您好,推荐EPC的GaN MOSFET EPC2214,导通电阻典型值仅15mΩ,能够使TOF相机发热量更小,脉冲电流为47A、满足45A需求,可在极短脉宽实现大电流。详细资料可参考链接:https://www.sekorm.com/doc/1403762.html
EPC Altium库PCBLIB&SCHLIB&INTLIB
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目前在做激光雷达项目,需要eGaN FET,耐压80V以上,峰值电流20A,峰值2ns或4ns。希望推荐目前有在持续出货的。 因空间结构有限的问题,eGAN FET尺寸要求尽量小的。
您好,给您推荐EPC的EPC2214适配20A需求 EPC2214的最大脉冲电流为47A,一般可适用驱动100W、120W的LD激光二极管,测量距离100m的需求,当然在激光接收链路APD具有足够高的灵敏度设计时,也可以实现更远的测距,可满足200m测距的需求,这个涉及到系统级设计。 相关参数请参考 https://www.sekorm.com/product/119034.html
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