EPC23102
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EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
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氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（一）——氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用
本文介绍氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用。
广告 发布时间 : 2025-03-03
用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介
本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用，重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用，包括高效能计算和电信应用，以及汽车电子领域。此外，还提供了相关产品的详细规格和开发板信息，以帮助工程师进行设计和评估。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VPwr(V)
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IOUT(A)
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IOUT Peak(A)
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VDD(V)
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Input Logic(V)
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F Max(MHz)
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Package(mm)
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Development Board
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EPC23102
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ePower™ Stage IC
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HS FET + Driver + Level Shift
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100
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35
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140
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6
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5.5 V
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3 MHz
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QFN 3.5 x 5
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EPC90147
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选型表 - EPC 立即选型
【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用，可减少损耗
Efficient Power Conversion (EPC) 作为全球领先的功率转换技术供应商，提供基于氮化镓 (GaN) 的场效应晶体管 (FET) 和集成电路 (IC)。EPC 的 GaN 基器件具有高效率、快速开关速度、小型化和低成本等优势，广泛应用于消费电子、通信、汽车和可再生能源领域。资料中详细介绍了 GaN 基 DC-DC 转换器，包括企业电源架构、功率密度、EPC9159 转换器规格、转换器概述、特色 GaN FET 以及效率与损耗测量等。此外，还讨论了 GaN FET 在提高功率密度和简化设计方面的优势。
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EPC9176演示板快速入门指南
EPC9176演示板是一款基于EPC23102 eGaN IC的3相BLDC电机驱动逆变器板，具有14V至65V宽输入直流电压范围。该板可提供高达35Apk（25ARMS）的稳态输出电流和高达40Apk（28.3ARMS）的脉冲输出电流。EPC9176包含所有必要的功能电路，以支持完整的电机驱动逆变器，包括栅极驱动器、辅助电源轨、电压和温度感应、精确的电流感应和保护功能。该板与多种兼容控制器配合使用，支持快速开发。
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EPC新推100V ePower™ IC EPC23103/4，可在不同功率预算提高功率密度和简化设计
EPC新推两款新型100V功率级IC EPC23104（15A）和EPC23103（25A），内含采用半桥配置的对称FET、半桥驱动器、电平转换器、自举充电和输入逻辑接口；提高功率密度和简化设计以满足DC/DC应用、电机驱动器和D类音频放大器的不同功率要求。
增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。
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氮化镓集成电路简化仿人机器人电机关节逆变器设计
本文介绍了基于氮化镓（GaN）技术的逆变器设计，特别是在人形机器人电机关节逆变器中的应用。文章强调了GaN技术在提高开关频率、降低无源元件数量、减少开关损耗和提高功率密度方面的优势。EPC ePower™ Stage ICs技术简化了逆变器设计，并介绍了EPC23102/3/4系列GaN集成电路及其在逆变器性能中的应用。文章还讨论了EPC提供的参考设计板，这些设计板展示了GaN技术在电机驱动逆变器设计中的简化与空间减少。实验结果表明，GaN技术的应用提高了系统效率，并实现了更紧凑的逆变器设计。
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增强型氮化镓技术
本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。
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EPC‘s 100V, 35A eGaN IC EPC23102 Boosts Power Density and Simplifies Design
EPC introduces the latest ePower™ Stage IC that integrates a complete GaN half-bridge power stage capable of up to 35 A at 1 MHz operation offering higher performance and smaller solution size for high power density applications including DC-DC conversion, motor drives, and class-d audio amplifiers.
氮化镓可靠性和寿命预测：第16阶段
本报告详细探讨了氮化镓（GaN）器件的可靠性，包括失效机制、测试方法以及在不同应用中的可靠性预测。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用，并提供了针对不同应用（如太阳能、DC-DC转换和激光雷达）的可靠性预测指南。此外，报告还讨论了热机械可靠性、过电压指南以及优化焊接工艺的方法。
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