GaN FET
相关结果约546030条EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
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86
|
67
|
20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
誉鸿锦-氮化镓晶体管选型表
誉鸿锦提供关于氮化镓晶体管的以下参数选型:电压量程:650V~800V,电流量程:5A~105A,RDS:80mΩ~240mΩ,Vgs:-10V~20V,包含多种封装形式。
产品型号
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品类
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电压量程
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电流量程
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RDS
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Vgs
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Package
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YHJ-65P150AMC
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氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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650V~800V
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12A~21A
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150mΩ
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-20V~+20V
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DFN 8×8mm
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选型表 - 誉鸿锦 立即选型
广告 发布时间 : 2025-01-06
虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表
虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表主要提供以下参数选型,Vces(Max):650V~ 1700V,ID(Max):3A~165A,IDM:9A~555A,Typ Rds(on):800mΩ~ 1Ω,Qg(tot):1.2nC~ 216nC,Coss:16pF~239pF。
产品型号
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品类
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沟道
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封装
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VDS(Max)
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ID(Max)
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VTH(Typ)
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Max Rds(on)
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Qg(tot)
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Coss
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HMN11N65D
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GaN FET
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N沟道
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DFN8X8-2L
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650V
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13A
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1.65V
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125mΩ
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20nC
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56pF
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选型表 - 虹美功率半导体 立即选型
UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型表
UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5,Saturated Power(W):14-180,Bias(mA):0.1-1300,Bias(V):30-50.
产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
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23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
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130
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75 @ 0.44
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640
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50
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Ceramic Metal Flange
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选型表 - UMS 立即选型
【应用】泰高氮化镓场效应晶体管用于快充充电器,可直接PWM驱动器,不需要外部VCC
便携性设备的快充技术的发展越来越快,能有如此快的快充技术与快充产品离不开半导体材料与新型电路拓扑结构的发展。本文介绍泰高的360mΩ/650V氮化镓场效应晶体管TP44400SG在快充充电器的应用。
GAN FET相关授权代理品牌:
华轩阳电子氮化镓晶体管选型表
华轩阳电子氮化镓晶体管选型表提供如下参数,ID:10A~17A;VDSS:650V;RDON:100mR~160mR;多种不同封装:DFN8X8、DFN5X6、LSON-8-1(8x8).
产品型号
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品类
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ID
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VDSS
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RDON
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VGS
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TYPE
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封装
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HCG65140DAA
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氮化镓晶体管
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17A
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650V
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100mR
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-1.4~+7V
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N沟道
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DFN8X8
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选型表 - 华轩阳电子 立即选型
正芯(RealChip)氮化镓场效应管选型表
正芯 - 氮化镓场效应管,RC65D160G,RC65D600E,RC65D270G,RC65E300Y,RC65D110A,RC65D600G,RC65D900G,RC65D270B,RC65D160A,RC65E160Y,RC65E160H,RC65D270E
技术信息:中央半导体氮化镓场效应晶体管的栅极驱动器建议
本资料推荐了与Central Semiconductor的GaN FET器件兼容的栅极驱动器。由于栅极驱动器规格对于Central的GaN FET器件的利用至关重要,因此对这些非Central Semiconductor制造的栅极驱动器进行了测试,并推荐用于以下列出的特定Central GaN FET器件。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - GAN FETS,氮化镓场效应晶体管,闸门驱动器,GATE DRIVER,CDFG6517N,UCC28056,CDFG6511N,CCSPG1060N,MPQ1918,TEA2017AT,BQ25980,LMG1205,MP8699B,CDF56G6517N,CDF56G6511N,CCSPG0420N,HR1211,CCSPG0450N
东科半导体AC-DC转换器选型表
本表提供东科半导体AC-DC转换器选型,包含Topology、Standby Power、Output Power、GaN FET BV/Rdson、fMAX、VDD Range六大参数可供选择。
产品型号
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品类
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Topology
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Standby Power
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Output Power
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GaN FET BV/Rdson
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fMAX
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VDD Range
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DK8710AD
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AC-DC转换器
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AHB
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<50mW
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100W
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HS 700V/480mΩ+LS 700V/480mΩ
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800KHz
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-0.3~27V
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选型表 - 东科半导体 立即选型
CE65H270DNDI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管规格书
CE65H270DNDI系列650V GaN HEMT是Corenergy公司生产的氮化镓场效应晶体管,具有低导通和开关损耗,适用于适配器、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
CORENERGY - GAN FETS,氮化镓场效应晶体管,氮化镓高电子迁移率晶体管,GALLIUM NITRIDE FETS,GAN HEMT,CE65H270DNDI,CE65H270DNDI SERIES,伺服电动机,可再生能源,工业,数据通信,汽车,电信,适配器,ADAPTER,AUTOMOTIVE,DATA-COM,INDUSTRIAL,RENEWABLE ENERGY,SERVO MOTORS,TELECOM
MGZ18N65 650V氮化镓场效应晶体管增强型
MGZ18N65是一款650V GaN FET增强型场效应晶体管,具有低导通电阻、低开关损耗和易于驱动等特点。该产品适用于电源适配器、低功耗SMPS和照明等领域。
MP - GAN FET,增强型氮化镓场效应晶体管,氮化镓场效应管,ENHANCEMENT MODE GAN FET,MGZ18N65,低功耗开关电源,照明,电源适配器,LIGHTING,LOW POWER SMPS,POWER ADAPTERS
【应用】耐压650V的国产氮化镓场效应管CGL65R260B助力开关电源PFC设计,导通电阻低至200mR
某室内LED灯供电的开关电源PFC设计,需要120W的AC/DC电源,输入参数为176-264VAC,输出参数为40V恒压,要求PF值大于9,要求效率至少在93%以上。据此需求,本文推荐聚能创芯推出的氮化镓开关管CGL65R260B,耐压650V。
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>