IGBT单管
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SLKOR（萨科微）功率元器件和模块选型指南
超结场效应管/IGBT单管/可控硅 公司介绍 碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管 二极管 静电保护器件/瞬态抑制二极管 三极管/电源IC 运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥/霍尔传感器 光耦/石英晶体谐振器
SLKOR - IGBT,IGBT单管,GBT单管,三合会,三极管,二极管,低压差线性稳压器,光敏晶体管,光电三端双向可控硅,光耦,光耦合器设备,单向可控硅,参考电源,双向可控硅,双极性结型晶体管,可控硅,可控硅光耦,场效应管,基准电源,开关二极管,快恢复二极管,整流二极管,整流桥,晶体管光耦,瞬态抑制二极管,石英晶体,石英晶体谐振器,碳化硅场效应管,碳化硅肖基特二极管,碳化硅肖特基二极管,稳压二极管,肖特基二极管,超结场效应管,达林顿晶体管阵列,达林顿阵列,运放,运算放大器,霍尔传感器,静电保护器件,静电放电,高速光耦,高速光耦合器,齐纳二极管,HALL传感器,SIC场效应晶体管,SIC备用电池,低压差线性稳压器LDO,电源IC,直流-直流,超级结MOSFET,BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR,DARLINGTON ARRAY,DC-DC,DIODE,ESD,FAST RECOVERY DIODE,HALL SENSOR,HIGH-SPEED OPTOCOUPLERS,LDO,MOSFET,OPERATIONAL AMPLIFIER,OPTICALCOUPLER EQUIPMENT,PHOTO TRANSISTOR,PHOTO TRIAC,QUARTZ CRYSTAL,RECTIFIER BRIDGE,RECTIFIER DIODE,REFERENCE POWER SUPPLY,SCHOTTKY DIODE,SCR,SIC MOSFET,SIC SBD,SUPER JUNCTION MOSFET,SWITCHING DIODE,TRIACS,TVS,ZENER DIODE,BTW69,MB10S,SL25T135FL,BTA26-1000,SL2306,SL2307,MB10F,SL2308,SMCJ440CA,SL2309,SL55X,SL40N60C,SL2310,SL2312,SL3400,SL54X,SL3402,SL3404,SL4614,RS1A,RS1M,不间断电源,充电桩,军事,医疗设备,大功率开关电源,太阳能光伏,太阳能光伏系统,手提电脑,新能源汽车,智慧家居,智慧家电,智能手机,智能扫地机器人,智能机器人,机器人,清洁能源发电,物联网,电动工具,电动车辆,电子烟,笔记本电脑,能源互联网领域,航天领域,车联网,通讯电力设备,通讯设备,锂电池保护,高端装备,高端设备,3C数码产品,LED照明,3C DIGITAL PRODUCTS,COMMUNICATION EQUIPMENTS,ELECTRIC POWER TOOLS,ELECTRIC VEHICLES,HIGH-END EQUIPMENTS,INTELLIGENT ROBOTS,IOT,IOV,LAPTOPS,LED LIGHTING,MEDICAL EQUIPMENTS,SMART HOME APPLIANCES,SMART PHONES,SOLAR PHOTOVOLTAIC SYSTEMS
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展，共襄科技盛宴！
日前，阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域。
广告 发布时间 : 2025-03-03
虹美功率半导体IGBT单管选型表
虹美功率半导体IGBT单管选型表主要提供以下参数选型，Vces(Max)：650V~1350V，Vges：20V~30V，Vge(th)：5V~5.8V，Ic(Typ/100℃)：15A~200A，Ic(Max/25℃)：30A~400A，Icm(Max)：60A~640A，Pd(Max)：155W~ 1071W，主要应用产品：工业变频器/变频家电电机驱动等中低频领域，感应加热电磁炉电饭煲逆变器/电焊机UPS/PFC等高频领域，光伏储能等。
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产品型号
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品类
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沟道
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封装
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Vces(Max)
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Vges
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Vge(th)
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Ic(Typ/100℃)
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Ic(Max/25℃)
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Icm(Max)
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Pd(Max)
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应用产品
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HM40N120AT
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IGBT单管
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N-IGBT沟槽电场截止型
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TO-247
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1200V
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30V
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5.4V
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40A
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80A
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160A
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416W
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工业变频器/变频家电/电机驱动等中低频领域
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选型表 - 虹美功率半导体 立即选型
Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用
常州银河世纪微电子股份有限公司（Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.）发布了一系列IGBT产品，包括单管和模块，适用于多种应用领域。产品线涵盖650V至1700V电压等级，包括工缝、逆变器、电机控制、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、电池管理系统等。资料详细介绍了产品型号、技术参数、应用领域和性能对比。
银河微电子 - IGBT,IGBT单管,工业和光伏组件,车用模组,IGBT模块,IGBT芯片,PIM 模块,屏蔽栅沟槽MOSFET,混合IGBT+SIC SBD,AUTOMOTIVE MODULE,HYBRID IGBT+SIC SBD,INDUSTRIAL AND PV MODULES,MOS,SGT MOS,GM200HF120S4T1,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM15P]120E1T3A,GM400HF120S4T1M,BL042N10TH,GKU40N65EH3,GM240TU120Q1F2,GKU25N120ET2,GKU50N65ET,GM40FFB120,不间断电源,交流焊机,伺服,便携式储能,便携式储能电源,便携式逆变电源,储能,储能领域,充电桩,光伏,光伏逆变器,光伏领域,全氟化碳,压缩机,变频器,变频微波炉,商灶,商用电磁灶,壁挂式直流桩,家用电磁灶,工业电源,工缝,感应加热领域,户储,数码发电机,数码电焊机,新能源大巴,新能源汽车领域,新能源车,新能源车空压机,新能源车空压泵,水泵,热管理系统,焊机,电机控制,电机驱动,电机驱动领域,直流充电桩,空压机,空调,空调压缩机,逆变器,逆变电源,重卡,高频电源,高频电源领域,AUXILIARY INVERTER辅电机驱动器,BMS电池管理系统,DCDC公司,HV-LV DCDC变换器,IH电饭煲,MAIN INVERTER主电机驱动器,OBC 车载充电机,PTC公司,PTC加热器,新能源车PTC,空调INVERTER,DCDC,OBC,PFC,PTC,UPS
IGBT单管相关授权代理品牌：
【应用】汽车级单管IGBT用于电动汽车空调PTC加热器项目，可有效降低能耗
电动汽车的空调PTC加热器进行加热的原理是：电流流过PTC元件使之产生热量，低温时会流过大电流，产生大量热量，随着发热量的增加，电阻值增大，电流受限，从而抑制发热量。利用这些特性，可加热空气和水，并使之循环，从而成为制热用的热源。这里主要会用到IGBT作为主要开关器件，IGBT常处于导通状态，故需求的导通压降要低。本文推荐罗姆的RGS00TS65D作为300V电动汽车空调PTC加热器的开关器件。
东海半导体授权世强硬创，代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS
40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。
长晶科技IGBT选型表
长晶科技提供如下IGBT的技术选型:VCES(V)范围：+650~+1700；Ic@Tc=100℃(A)范围：+6~+600；Ic@Tc=25℃(A)范围：+12~+170；Vcesat(V)范围：+1.5~+1.8；Eon(mJ)范围：+0.052~+145.....具有industrial、automotive两种Product Grade，Diode Type:SiC，长晶科技的IGBT有TO-263、TO-220FA、TO-247、TO-247plus等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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VCES(V)
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Ic@Tc=100℃(A)
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Ic@Tc=25℃(A)
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Vcesat(V)
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Switching Frequency(KHZ)
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Short Current Withstand Time(us)
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Eon(mJ)
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Eoff(mJ)
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Package
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Type
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Product Grade
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Diode Type
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CGR140N120F3KAD_TO-247plus
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IGBT单管
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Active
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1200
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140
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170
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1.6
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20-45
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-
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5.5
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13.6
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TO-247plus
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FST3.0
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industrial
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silicon
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选型表 - 长晶科技 立即选型
扬杰科技IGBT模块/单管选型表
扬杰科技提供IGBT模块、IGBT单管产品，提供如下参数产品：IGBT模块：集电极-发射极电压1200V，直流集电极电流10A~450A，集电极-发射极饱和电压1.75V~3V，开启开关损耗1.53mJ~91mJ；IGBT单管：集电极-发射极电压650V~1200V，直流集电极电流10A~160A，集电极-发射极饱和电压1.25V~2.1V，开启开关损耗0.65mJ~8.62mJ。
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产品型号
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品类
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Package
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VCES_Min(V)
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IC@TC=80℃(A)
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VCE(sat)_Typ(V)
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Eon+Eofftyp.Tj=125℃（mJ）
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Rth(j-c)_Max((℃/W)
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DGW50N65CTL1
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IGBT单管
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TO-247
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650
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50
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1.6
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2.31
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0.46
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
【经验】H6.5 IGBT功率模块相比于单管IGBT寄生电感低，助力光伏并网逆变器加入“领跑者”
光伏并网逆变器要想加入“领跑者”行列，必须在整机效率上达到要求。传统单相光伏逆变器基本上采用的都是IGBT单管方案，拓扑方面基本集中在H5,H6,HERIC这三种。近年来随着户用分布式的需求，单相10kW光伏并网逆变器成为各家逆变器厂家争相推出的机型。但随着功率等级的提升，电流等级的提升，对IGBT的工作环境就有了较为严苛的要求。
森未科技授权世强硬创代理全线100+产品，涵盖IGBT晶圆/模块/单管
产品已广泛应用于工业变频、光伏/储能、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。
IGBT应用在那些地方呢 ？
IGBT应用范围按照领域的不同主要可以分为三大类：消费类，工业类，汽车类。IGBT单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器；IGBT模块主要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车（电机控制器、车载空调、充电桩）等领域；而IPM模块应用于变频空调、变频冰箱等白色家电产品。
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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