IGBT模块
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扬杰科技IGBT模块/单管选型表
扬杰科技提供IGBT模块、IGBT单管产品，提供如下参数产品：IGBT模块：集电极-发射极电压1200V，直流集电极电流10A~450A，集电极-发射极饱和电压1.75V~3V，开启开关损耗1.53mJ~91mJ；IGBT单管：集电极-发射极电压650V~1200V，直流集电极电流10A~160A，集电极-发射极饱和电压1.25V~2.1V，开启开关损耗0.65mJ~8.62mJ。
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产品型号
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品类
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Package
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VCES_Min(V)
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IC@TC=80℃(A)
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VCE(sat)_Typ(V)
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Eon+Eofftyp.Tj=125℃（mJ）
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Rth(j-c)_Max((℃/W)
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MG75P12E2A
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IGBT模块
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E2A
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1200
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75
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1.85
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15.2
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0.339
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
GSF400HF65D2 IGBT模块
该资料详细介绍了CREATEK Microelectronics生产的GSF400HF65D2型号IGBT模块。文档涵盖了其技术规格、电气特性、开关特性、热阻、封装尺寸和应用领域。其中包括最大额定值、工作条件下的电学特性、开关损耗以及反向恢复特性。
CREATEK - IGBT模块,IGBT MODULE,GSF400HF65D2,不间断电源,UPS
广告 发布时间 : 2025-03-03
BS75HF12B1SDD IGBT模块1200V/75A 2个，单封装
该资料详细介绍了BS75HF12B1SDD型1200V/75A IGBT模块的特性和电气参数。该模块具有超快开关速度、出色的短路耐受性，适用于焊接、感应加热、UPS等高频应用。
萃锦半导体 - IGBT,IGBT模块,IGBT MODULE,BS75HF12B1SDD,不间断电源,感应加热,焊接,高频应用,HIGH-FREQUENCY APPLICATIONS,INDUCTIVE HEATING,UPS,WELDING
CSFF75R17RBF 1700V 75A IGBT模块
该资料详细介绍了型号为CSFF75R17RBF的1700V 75A IGBT模块的技术规格和应用。内容包括电气特性、典型应用领域以及封装细节。
国科赛思 - IGBT模块,IGBT MODULE,CSFF75R17RBF,不间断电源系统,大功率变频器,电机驱动,HIGH POWER CONVERTERS,MOTOR DRIVES,UPS SYSTEM
【技术】IGBT及其IGBT模块是如何进行导通的？
本文slkor将介绍IGBT及其IGBT模块导通原理。其中IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控制电压驱动功率半导体器件。IGBT模块是由IGBT和FWD通过特殊的电路桥封装而成的模块化半导体产品。
IGBT模块相关授权代理品牌：
美林电子IGBT选型表
美林电子选型表，包含IGBT芯片、IGBT模块、IGBT单管，电压650V-1700V
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产品型号
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品类
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电压(V)
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电流(A)
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频率
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VCEsat(Typ@25℃)(V)
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IFmax(@100℃)(A)
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VF(Typ@25℃)(V)
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拓扑
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技术
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MG200MB170BTH1
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IGBT模块
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1700V
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200A
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通用\Low
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2.1V
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200A
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1.78V
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half-bridge
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Trench&FS
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选型表 - 美林电子 立即选型
长晶科技IGBT选型表
长晶科技提供如下IGBT的技术选型:VCES(V)范围：+650~+1700；Ic@Tc=100℃(A)范围：+6~+600；Ic@Tc=25℃(A)范围：+12~+170；Vcesat(V)范围：+1.5~+1.8；Eon(mJ)范围：+0.052~+145.....具有industrial、automotive两种Product Grade，Diode Type:SiC，长晶科技的IGBT有TO-263、TO-220FA、TO-247、TO-247plus等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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VCES(V)
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Ic@Tc=100℃(A)
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Vcesat(V)
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Switching Frequency(KHZ)
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Short Current Withstand Time(us)
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Eon(mJ)
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Eoff(mJ)
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Configuration
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Package
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MCF100N120S2B1_B1
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IGBT模块
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Ready
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1200
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100
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1.6
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8~20
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10
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10.4
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2
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half-bridge
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B1
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选型表 - 长晶科技 立即选型
AMG820H75H1H3RA 750V/820A IGBT模块
该资料介绍了750V/820A IGBT模块的技术规格和应用信息。内容包括产品特性、关键参数、应用领域、封装尺寸和电路拓扑图等。
阿基米德半导体 - IGBT模块,IGBT MODULE,AMG820H75H1H3RA,汽车应用,混合电动汽车,电动汽车,电机驱动,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,EV,HEV,MOTOR DRIVES
只需一颗螺丝钉就能搞定的IGBT模块封装
还使用复杂传统的焊接模式进行模块封装？别再out啦！新型MiniSKiiP封装模块，只需一颗螺丝钉就可完成安装，更能降低安装成本哟~
PARA LIGHT 光鼎电子IGBT功率器件&IGBT功率模块&IGBT分立器件选型表
PARA LIGHT提供IGBT管和IGBT模块选型表产品，Bvce：650V~1200V，ID：50A~600A
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产品型号
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品类
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封装
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电压
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电流(max)
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Vce (sat)
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PM300T9170LS2
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IGBT模块
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EconoDUAL 3
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Bvce:1200V
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ID:300A
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2.2V
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选型表 - PARA LIGHT 立即选型
SHEIER IGBT模块选型表
乐山希尔（SHEIER）提供如下IGBT模块的技术选型，Repetitive Peak Reverse Voltage覆盖：1000~2000V；Maximum Average Rectified Current ：75~200A；Maximum Forward Peak Surge Current：950~6600A；Maximum Forward Voltage：1.2~1.5V；
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产品型号
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品类
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Repetitive Peak Reverse Voltage（V）
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Maximum Average Rectified Current （A）
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Maximum Forward Peak Surge Current（A）
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Maximum Forward Voltage（V）
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Maximum Reverse Current(μA)（Tj=25℃）
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Maximum Reverse Current(μA)（Tj=150℃）
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Junction Temperature（℃）
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Insulating Voltage（V）
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Package
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MDS75DB160
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IGBT模块
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1600
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75
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950
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1.25
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5
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500
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-40～+150
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2000
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MDS-DB
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选型表 - SHEIER 立即选型
IGBT模块使用上的注意事项
提到IGBT模块相信大家并不陌生，那么在IGBT模块的使用上有哪些注意事项呢？本文XDM将为您进行介绍。
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电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
