IV1Q06040T3Z
相关结果约22条瞻芯电子的一站式SiC功率半导体和芯片解决方案亮相慕尼黑华南展,车规级SiC MOSFET芯片达到国际一流水平
瞻芯电子作为中国领先的SiC功率半导体和芯片方案提供商,现场的展品干货满满,受到业界伙伴们的广泛关注。具体展品,包括一系列技术指标领先、参数规格齐全,封装形式多样的高可靠SiC MOSFET、SiC SBD、SiC模块产品,以及栅极驱动和控制芯片。
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
目录- 公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅(SiC)MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅(SiC)肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
型号- IV1Q06040T3,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR240
广告 发布时间 : 2024-12-10
目前我在做一个3KW的 DCDC电源项目,400V输入,48V输出,LLC拓扑,输出做同步整流,目前想要评估下国产的SIC MOS,请问有推荐吗?
如沟通,推荐国产瞻芯电子,SIC MOS,IV1Q06040T3,650V 40mΩ,TO-247-3封装,数据手册链接:https://www.sekorm.com/doc/2500208.html
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:汽车级&工业级,VDS(V):650V~1700V,RDS(ON) :15mΩ~10000mΩ。
产品型号
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品类
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Qualification
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VDS(V)
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RDS(ON) (mΩ)
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ID(TC=25°C)(A)
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VTH( TJ =25°C)(V)
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VTH( TJ =175°C)(V)
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Qg(nC)
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Operating Junction Temperature(°C)
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
在开发一款30kw的UPS,想使用SIC 器件,请问碳化硅材料目前应用成熟吗是否有相关的应用案例。
目前SIC器件已经应用比较成熟了,在车载DCDC,OBC,USP,光伏逆变器,充电桩充电模块等领域在大量使用。30kw的UPS如果是使用分立器件方案,PFC采用的拓扑是三相维也纳,推荐Si二极管和Sic mos,可提升效率和功率密度,推荐如下; SIC二极管推荐泰科天润,1200V 40A,G3S12040PP,详细参考:https://www.sekorm.com/doc/2235478.html SIC MOS推荐瞻芯电子IV1Q06040T3, 650V 40mΩ,可用在三相维也纳开关管位置:详细参考:https://www.sekorm.com/doc/2500208.html
产品手册SiC功率半导体和IC解决方案
描述- 瞻芯电子(InventChip Technology Co., Ltd.)是一家专注于碳化硅(SiC)功率半导体和集成电路解决方案的领先供应商。公司成立于2017年,总部位于上海。IVCT致力于开发SiC功率器件、功率模块、栅极驱动器和控制器IC,提供一站式芯片解决方案。公司拥有6英寸SiC MOSFET技术,并拥有汽车级SiC晶圆厂,致力于按时、高质量地交付SiC产品,并追求持续的技术创新。产品涵盖SiC功率器件、SiC功率模块、栅极驱动器和控制器IC等。
型号- IV1Q06040T3,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR240
请帮忙看下650V/40mΩ 的国产SiC MOS管有无合适推荐的?
你好,推荐瞻芯电子的IV1Q06040T3,采用TO247-3封装,具有导通电阻小,40mΩ典型值,最大电源650V, 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/3610141.html
1200V SIC MOS导通电阻低至50毫欧,低寄生电容,开关速度高达上百kHZ,助力设备高效小型化设计 | 功率器件专场 世强硬创新产品研讨会
描述- 这份资料主要探讨了功率半导体材料性能及其优缺点,对比了硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅和金刚石等材料的禁带宽度、本征载流子浓度、介电常数、电子迁移率、击穿场强、电子饱和速率、热传导系数和Baliga优质系数等关键参数。同时,资料还对比了碳化硅和硅基MOSFET的寄生电容、开关损耗、导通损耗和反向恢复特性,并展示了瞻芯电子的1200V碳化硅MOSFET产品及其在高效小型化设计中的应用。
型号- IV1Q06040T3,IV1Q12050T3,NTHLD040N65S3HF,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IV1Q12050BD,IV1Q12080T3,IV1Q12500T3,IV1D12020T3,IV1Q12080T4,IV1Q12500T4,IV1Q12500BD,IV
310V/7.5KW的风机驱动,想要一款650V,72A SIC MOS,要求国产,求推荐
您好,推荐一款瞻芯电子IV1Q06040T3,650V,72A ,资料:https://www.sekorm.com/doc/2500208.html
【产品】漏源电压高达650V的SiC MOSFET,导通电阻40mΩ,适用于电动汽车充电装置等应用
瞻芯电子推出漏源电压高达650V的SiC MOSFET IV1Q06040T3,采用TO247-4封装,具有导通电阻小(40mΩ典型值,VGS=20V, ID=20A@TJ=25℃)、寄生电容小、工作节温高(-55℃~175℃)的特点,适用于电动汽车充电装置等应用。
我现在在做3KW的 DCDC电源项目,400V输入,48V输出,LLC拓扑,输出做同步整流,目前在评估国产SIC MOS。有合适推荐吗?
您好,推荐国产瞻芯电子,SIC MOS,IV1Q06040T3,650V 40mΩ,TO-247-3封装,规格书链接:https://www.sekorm.com/doc/2500208.html