MOS场效应管

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杜因特(Doingter)MOS场效应管选型指南

MOS场效应管    SJ/SGT系列MOS场效应管    公司简介    产品封装和产品应用    封装流程/品质管理流程    成品尺寸图   

杜因特  -  MOS场效应管,插件,贴片,中压MOS管,低压MOS管,屏蔽栅沟槽MOSFET,超结MOSFET,高压MOS管,SHIELD GATE TRENCH MOSFET,SUPER-JUNCTION MOSFET,ZC013NG,PD002TG,UL06NG,2SJ601,VS3618AE,ZB006NG,DOS4800,DOS4801,DOS4803,WJ02NG,SH020TG,NCE2030K,WH120NG,SE100DPG,DO2301D,DO2301C,DO2301B,PN07NG,DO2301A,充电器,加湿器,喷雾器,太阳能电源,工业照明,工控电源,开关电源,手机,打印机,无人机,无线充,服务器电源,机电设备,机箱电源,液晶电视,照明电源,电力电源,电动工具,电动车控制,电动车控制器,电动车遥控器,电子严,电子烟,电机驱动,电池管理系统,电源,电源电器,电焊机,电脑,矿机应用,离子电视,笔记本电脑,航模,转换开关,适配器,逆变器,锂电保护板,锂电池保护模块,香薰机,马达控制,LCD监视器,LED显示屏,PD快充,RGB遥控器,UPS电源

2020/12/9  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS,具有低导通电阻和低阈值电压等特性

萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管,漏源电压达到100V,连续漏极电流为33A,具有低导通电阻和低阈值电压等特性,使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。

2024-05-13 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

美森科场效应管选型表

美森科场效应管选型表主要提供以下参数选型,分为三种不同类型:N沟道/P沟道/ N+P沟道,漏源电压范围:-60V~650V,连续漏极电流范围:-70A~90A,功率范围:0.15W~347W.

产品型号
品类
封装
类型
漏源电压
连续漏极电流
功率
导通电阻
阈值电压
2N7002BK-MS
场效应管
SOT-23
N沟道
60V
300mA
350mW
2.2Ω@10V,300mA
1.6V@250uA

选型表  -  美森科 立即选型

华轩阳电子MOS选型表

华轩阳电子MOS选型表包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管、P+P型场效应晶体管、N+N型场效应晶体管、N+P型场效应晶体五种类型,主要有以下选型参数:VDSS耐压(V)18~650V;ID电流(A)0.1A~400A;RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)2.4~14000mΩ;应用等级均为民用级。

产品型号
品类
类型
VDSS耐压(V)
ID电流(A)
RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
RDON(mR)
封装
应用等级
HXY2301AI
P型场效应晶体管
P沟道
20V
3A
87mΩ
25mR
SOT-23
民用级

选型表  -  华轩阳电子 立即选型

探讨MOS管的源极和漏极、场效应管的D极和S极是否可以互换使用

MOS管的源极和漏极是否可以互换使用,场效应管的D极和S极之间是否互换的探讨分析。

2024-10-29 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

MOS场效应管相关授权代理品牌:

FS2309M SOT-23 -60V P 沟道增强型场效应管(FS2309M SOT-23 -60V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)

本资料介绍了FS2309M型MOS场效应管的产品特性、电特性、典型特性曲线和外形封装尺寸。该产品具有-60V漏极-源极电压、-2A连续漏极电流等特性,适用于各种电子电路。

富信  -  P 沟道增强型场效应管,P沟道增强型MOS场效应晶体管,P CHANNEL ENHANCEMENT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,FS2309M

2024/11/16  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

【经验】导致场效应管(MOS管)发热严重的四大因素

在半导体电子应用过程中,场效应管(简称MOS管)经常会出现发热严重的现象,那么是什么原因才会导致MOS管严重发热?首先先需要了解MOS管的构造原理,场效应管(MOS管)是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件,进一步可以划分为有N沟道器件和P沟道器件。

2021-08-29 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

平伟实业场效应管MOSFET)选型表

平伟实业提供以下参数的场效应管/MOS管选型,Vds [min V]:-100V~1500V;Id [A] 25℃:-85~300;Vgs(th) [typ V]:-1.8~4.0;Rds(on) [mohm] at Vgs=(10V)typ:0.034~135.0;Rds(on) [mohm] at Vgs=(10V)max:0.040~180.0;Rds(on) [mohm] at Vgs=(4.5V)typ:0.97~110;Rds(on) [mohm] at Vgs=(4.5V)max:1.3~150;Rds(on) [mohm] at Vgs=(2.5V)typ:4.9~7.3;Ciss[pF]:678~15020

产品型号
品类
Channel
ESD
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
VTH(min)(V)
VTH(typ)(V)
VTH(max)(V)
RDS(on)mΩ(Vgs=10V)typ
RDS(on)mΩ(Vgs=10V)max
RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)typ
RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)max
RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)typ
RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)max
Package
2406P
场效应管
N+P
NO
-60
±20
-3.8
-1
-2
-3
62
80
75
110
-
-
SOP8

选型表  -  平伟实业 立即选型

【产品】采用SOT23-6封装的N沟道增强型MOS场效应管8205LA,漏源电压20V

富满电子推出的漏源电压20V的N沟道增强型MOS场效应管,型号8205LA,采用SOT23-6封装,具有专有的先进平面技术、高密度超低电阻设计、大功率应用、大电流应用和理想的锂电池应用等特点。

2023-05-01 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

台懋MOSFET选型表

如下表格可为客户提供台懋MOSFET选型参数,具有多种封装,N/P沟道,VDS:-100-500V,VGS:-25-25V,认证等级消费级。

产品型号
品类
封装
MOSFET Type
VDS (V)
VGS (V)
Vth typ.(V)
ID (A)
Ciss (PF)
TM02N02I
MOSFET
SOT-23
N
20
±10
0.7
2.3
124

选型表  -  台懋 立即选型

选型表  -  晶导微电子 立即选型

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品牌:铨力半导体

品类:P沟道MOS场效应管

价格:¥0.2572

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品牌:富满电子

品类:N沟道增强型MOS场效应管

价格:¥0.1500

现货: 100

品牌:富满电子

品类:N沟道增强型MOS场效应管

价格:¥0.2600

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品牌:扬杰科技

品类:Mosfet

价格:¥1.0500

现货:500,000

品牌:AOS

品类:场效应管

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高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

最小起订量: 1片 提交需求>

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

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