MOS场效应管
相关结果约208968条杜因特(Doingter)MOS场效应管选型指南
MOS场效应管 SJ/SGT系列MOS场效应管 公司简介 产品封装和产品应用 封装流程/品质管理流程 成品尺寸图
杜因特 - MOS场效应管,插件,贴片,中压MOS管,低压MOS管,屏蔽栅沟槽MOSFET,超结MOSFET,高压MOS管,SHIELD GATE TRENCH MOSFET,SUPER-JUNCTION MOSFET,ZC013NG,PD002TG,UL06NG,2SJ601,VS3618AE,ZB006NG,DOS4800,DOS4801,DOS4803,WJ02NG,SH020TG,NCE2030K,WH120NG,SE100DPG,DO2301D,DO2301C,DO2301B,PN07NG,DO2301A,充电器,加湿器,喷雾器,太阳能电源,工业照明,工控电源,开关电源,手机,打印机,无人机,无线充,服务器电源,机电设备,机箱电源,液晶电视,照明电源,电力电源,电动工具,电动车控制,电动车控制器,电动车遥控器,电子严,电子烟,电机驱动,电池管理系统,电源,电源电器,电焊机,电脑,矿机应用,离子电视,笔记本电脑,航模,转换开关,适配器,逆变器,锂电保护板,锂电池保护模块,香薰机,马达控制,LCD监视器,LED显示屏,PD快充,RGB遥控器,UPS电源
100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS,具有低导通电阻和低阈值电压等特性
萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管,漏源电压达到100V,连续漏极电流为33A,具有低导通电阻和低阈值电压等特性,使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。
广告 发布时间 : 2025-01-06
美森科场效应管选型表
美森科场效应管选型表主要提供以下参数选型,分为三种不同类型:N沟道/P沟道/ N+P沟道,漏源电压范围:-60V~650V,连续漏极电流范围:-70A~90A,功率范围:0.15W~347W.
产品型号
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品类
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封装
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类型
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漏源电压
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连续漏极电流
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功率
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导通电阻
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阈值电压
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2N7002BK-MS
|
场效应管
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SOT-23
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N沟道
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60V
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300mA
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350mW
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2.2Ω@10V,300mA
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1.6V@250uA
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选型表 - 美森科 立即选型
华轩阳电子MOS选型表
华轩阳电子MOS选型表包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管、P+P型场效应晶体管、N+N型场效应晶体管、N+P型场效应晶体管五种类型,主要有以下选型参数:VDSS耐压(V)18~650V;ID电流(A)0.1A~400A;RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)2.4~14000mΩ;应用等级均为民用级。
产品型号
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品类
|
类型
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VDSS耐压(V)
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ID电流(A)
|
RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
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RDON(mR)
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封装
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应用等级
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HXY2301AI
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P型场效应晶体管
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P沟道
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20V
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3A
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87mΩ
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25mR
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SOT-23
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民用级
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选型表 - 华轩阳电子 立即选型
探讨MOS管的源极和漏极、场效应管的D极和S极是否可以互换使用
MOS管的源极和漏极是否可以互换使用,场效应管的D极和S极之间是否互换的探讨分析。
MOS场效应管相关授权代理品牌:
FS2309M SOT-23 -60V P 沟道增强型场效应管(FS2309M SOT-23 -60V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
本资料介绍了FS2309M型MOS场效应管的产品特性、电特性、典型特性曲线和外形封装尺寸。该产品具有-60V漏极-源极电压、-2A连续漏极电流等特性,适用于各种电子电路。
富信 - P 沟道增强型场效应管,P沟道增强型MOS场效应晶体管,P CHANNEL ENHANCEMENT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,FS2309M
【经验】导致场效应管(MOS管)发热严重的四大因素
在半导体电子应用过程中,场效应管(简称MOS管)经常会出现发热严重的现象,那么是什么原因才会导致MOS管严重发热?首先先需要了解MOS管的构造原理,场效应管(MOS管)是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件,进一步可以划分为有N沟道器件和P沟道器件。
平伟实业场效应管(MOSFET)选型表
平伟实业提供以下参数的场效应管/MOS管选型,Vds [min V]:-100V~1500V;Id [A] 25℃:-85~300;Vgs(th) [typ V]:-1.8~4.0;Rds(on) [mohm] at Vgs=(10V)typ:0.034~135.0;Rds(on) [mohm] at Vgs=(10V)max:0.040~180.0;Rds(on) [mohm] at Vgs=(4.5V)typ:0.97~110;Rds(on) [mohm] at Vgs=(4.5V)max:1.3~150;Rds(on) [mohm] at Vgs=(2.5V)typ:4.9~7.3;Ciss[pF]:678~15020
产品型号
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品类
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Channel
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ESD
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VTH(min)(V)
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VTH(typ)(V)
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VTH(max)(V)
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RDS(on)mΩ(Vgs=10V)typ
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RDS(on)mΩ(Vgs=10V)max
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RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)typ
|
RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)max
|
RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)typ
|
RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)max
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Package
|
2406P
|
场效应管
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N+P
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NO
|
-60
|
±20
|
-3.8
|
-1
|
-2
|
-3
|
62
|
80
|
75
|
110
|
-
|
-
|
SOP8
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选型表 - 平伟实业 立即选型
【产品】采用SOT23-6封装的N沟道增强型MOS场效应管8205LA,漏源电压20V
富满电子推出的漏源电压20V的N沟道增强型MOS场效应管,型号8205LA,采用SOT23-6封装,具有专有的先进平面技术、高密度超低电阻设计、大功率应用、大电流应用和理想的锂电池应用等特点。
WINSOK场效应管选型表
WINSOK场效应管选型:Type:N-Ch/P-Ch,VDS(V):-200~650V,VGS±(V):-20~30V,ID (A)Max.:-132~400A,QgS(nC):0.3~80nC,Ciss(pF):5.5-13900pF。
产品型号
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品类
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Configuration
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Type
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VDS(V)
|
VGS±(V)
|
ID (A)Max.
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VGS(th)(v)Min.
|
VGS(th)(v)Typ.
|
VGS(th)(v)Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@10V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@10V-Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@6V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@6V-Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@4.5V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@4.5V-Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@2.5V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@2.5V-Max.
|
RDS(ON)(mΩ)'@1.8V-Typ.
|
RDS(ON)(mΩ)'@1.8V-Max.
|
Qg (nC)'@10V
|
Qg (nC)'@4.5V
|
QgS(nC)
|
Qgd(nC)
|
Ciss(pF)
|
Coss(pF)
|
Crss(pF)
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Package
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WST2008
|
场效应管
|
Dual
|
N-Ch
|
20
|
10
|
0.05
|
0.5
|
1
|
1.5
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
20000
|
40000
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
5.5
|
1.6
|
6.5
|
SOT-363-6L
|
选型表 - WINSOK 立即选型
台懋MOSFET选型表
如下表格可为客户提供台懋MOSFET选型参数,具有多种封装,N/P沟道,VDS:-100-500V,VGS:-25-25V,认证等级消费级。
产品型号
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品类
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封装
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MOSFET Type
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VDS (V)
|
VGS (V)
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Vth typ.(V)
|
ID (A)
|
Ciss (PF)
|
TM02N02I
|
MOSFET
|
SOT-23
|
N
|
20
|
±10
|
0.7
|
2.3
|
124
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选型表 - 台懋 立即选型
晶导微电子场效应管(MOS管)选型表
晶导微电子场效应管(MOSFET)选型表提供VDSS(V):-50V~800V,ID(A):-4.2A~180A,VSD(V):-2.2V~2.4V的选型
产品型号
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品类
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VDSS(V)
|
ID(A)
|
Vgsth(MAX)(V)
|
VSD(V)
|
Ciss(pF)
|
Goss(pF)
|
Crss(pF)
|
Package
|
V2N50
|
场效应管
|
500V
|
2A
|
4V
|
1.4V
|
156pF
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24pF
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2.2pF
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TO-251W
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选型表 - 晶导微电子 立即选型
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>