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相关结果约218074条华轩阳电子MOS选型表
华轩阳电子MOS选型表包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管、P+P型场效应晶体管、N+N型场效应晶体管、N+P型场效应晶体管五种类型,主要有以下选型参数:VDSS耐压(V)18~650V;ID电流(A)0.1A~400A;RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)2.4~14000mΩ;应用等级均为民用级。
产品型号
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品类
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类型
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VDSS耐压(V)
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ID电流(A)
|
RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
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RDON(mR)
|
封装
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应用等级
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HXY2301AI
|
P型场效应晶体管
|
P沟道
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20V
|
3A
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87mΩ
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25mR
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SOT-23
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民用级
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选型表 - 华轩阳电子 立即选型
WAYON power MOSFET选型表
WAYON(维安半导体)提供 Trench P Channel Power MOSFET(沟槽P沟道功率MOSFET)/SGT P Channel Power MOSFET(SGT P沟道功率MOSFET)/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET(SGT N沟道功率MOSFET)/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型,Type:N/P,ESD:NO/YES,VDS(V):-150~300V,Vgs Max(v):±10~±20V,VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.
产品型号
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品类
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Type
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Package
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Configuration
|
ESD
|
VDS(V)
|
Vgs Max(V)
|
ID at 25℃(A)Max.
|
VGS(th)(V)-Typ.
|
Rds(on)Vgs=10V
|
Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
|
Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
|
Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
|
Ciss (pF)Typ.
|
Coss (pF)Typ.
|
Crss (pF)Typ.
|
WMO09N20DM
|
Trench N Channel Power MOSFET
|
N
|
TO-252
|
Single
|
NO
|
200
|
±20
|
9
|
1.6
|
235
|
300
|
255
|
310
|
465
|
42
|
22
|
选型表 - WAYON 立即选型
广告 发布时间 : 2025-01-06
JESTEK江智车规产品MOSFET选型表
JESTEK江智提供以下车规产品MOSFET的参数选型,Channel:DN(SGT),N,N(SGT),P;BVDSS(V):-60~100。
产品型号
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品类
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Channel
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BVDSS(V)
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Vth(V)
|
Rdson(mR)Typ@VGS=10V
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ID(A)Tc=25℃
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封装
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JST90N40HD5-Q
|
MOSFET
|
N
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40
|
2.8
|
2.7
|
100
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PDFNWB5*6-8L
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选型表 - JESTEK 立即选型
科信电子N沟道场效应管选型表
提供科信电子N沟道场效应管选型:参数:BVDSS(V):-30V~900V,VGSS(V):5V~600V,ID(A):-3A~200A,PD(W):0.1W~1250W,Qg(nC):0.8~6000,封装外形有:SOT23,SOT23-3,PDFN3.3×3.3,PDFN5×6,DFN2×2,SOP08,TO252等
产品型号
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品类
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package
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BVDSS(V)
|
ID(A)
|
VGSS(V)
|
VTH(Min.)
|
VTH(Max.)
|
RDSON(mΩ)
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Qg(nC)
|
PD(W)
|
2KK5001DS
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N-Channel MOSFET
|
SOT23-3
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20
|
5
|
10
|
0.4
|
1
|
25
|
16.8
|
1.25
|
选型表 - 科信 立即选型
富满电子MOSFET选型表
富满电子提供以下参数的N沟道超级结功率MOSFET,N-Channel Power Mosfet,N沟道增强型MOS 场效应管,P-Channel Trench Power Mosfet选型,Vds:450V~700V,Vgs:8V~30V,Rds(on)Typ10V :0.55mΩ~5000mΩ
产品型号
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品类
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Vds(v)
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ID@TC=25℃(A)
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Rds(on)Typ10V (mΩ)
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Vgs (±V)
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Vth(V)
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Configuration
|
Package
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FM50R3K0K
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N沟道超级结功率MOSFET
|
500
|
1.5
|
3000
|
30
|
3.0-4.5
|
Single-N
|
TO252
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选型表 - 富满电子 立即选型
用电界“德华”,值得您拥有!——走进士电N系列控制电器
本文主要为士林电机介绍其N系列控制电器多款交流接触器和继电器产品优势特性,助力企业用电解放双手,安全省心用好电!
虹美功率半导体MOS选型表
虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS,BMS&电动车&平衡车SGT MOS,USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS,储能 SGT MOS,串联半桥驱动MOS,带FRD高压平面MOS,低压SGT MOS,主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。
产品型号
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品类
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工艺
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沟道
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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HMS120N03D
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中压大电流SGT MOS
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SGT工艺(Split Gate)
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N沟道
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DFN5X6-8L
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30V
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120A
|
340A
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1.7V
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20V
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1.95mΩ
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2.85mΩ
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选型表 - 虹美功率半导体 立即选型
正芯MOSFET选型表
正芯提供以下技术参数的MOSFET选型,包含:N沟道MOSFET、P沟道MOSFET、N+P沟道MOSFET。Vdss(耐受的最大电压):-100V~650V,Id(能通过的电流):-100A~165A,Pd(承受最大功率):0.01W~195W,Rds(导通电阻):0.65mΩ~1350mΩ等
产品型号
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品类
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Polarity
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V(BR)DSS(V)
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Id(A)
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Pd(W)
|
VGS(V)
|
IDM(A)
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Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
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RC3134KM3
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MOSFET
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N
|
20V
|
1.4A
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0.7W
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±8.0V
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3.5A
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190mΩ
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230mΩ
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选型表 - 正芯 立即选型
LED显示器的型号”LA-301ML(N)”中,末尾的(N)表示什么意思?
LA-301ML(N)の(N)是发光度分类符号。 出货时基本不分类,所以不支持发光度分类的指定。
强茂(PANJIT)MOSFET选型表
提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品,覆盖漏源电压20V/30V/40V ,N沟道低压MOSFET,-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等,涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。
产品型号
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品类
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Polarity
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封装
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Config.
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VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)1.8V
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RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)10V
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ.(nC)4.5V
|
PJA3438_R1_00001
|
小信号MOS
|
N
|
SOT-23
|
Single
|
50V
|
20V
|
0.5A
|
6000mΩ
|
4000mΩ
|
1950mΩ
|
1450mΩ
|
36pF
|
1V
|
0.95V
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选型表 - PANJIT 立即选型
SNA5032A SNA拓展N端口及全N端口校准步骤应用文档
本文档详细介绍了如何使用SNA矢量网络分析仪和SSM开关矩阵进行N端口网络分析,并进行了全N端口校准。步骤包括连接设备、配置RF连接、使用ECal进行电子校准、执行反射和直通校准,以及查看校准效果。
鼎阳科技 - 矢量网络分析仪,SNA,SNA5032A,SNA5302A
Smiths Interconnect’s L, H and N Series of High-density for Automotive Testing, Meeting Lower Cost and Shorter Lead Times
As automotive test equipment continues to meet the expectations of today’s increasingly complex vehicle testing systems, Smiths Interconnect’s connectors will be there to make the designer’s task easier and worry-free with our application-specific, high-reliability electrical interconnect solutions.
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服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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