NCEP025N60G

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NCEP025N60G

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描述:N-Channel Super Trench II Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):60,ID(A):165

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NCE(新洁能)MOSFET选型表

目录- MOSFET   

型号- NCEP025N60,NCE3035Q,NCE6080,NCEP050N12GU,NCE0208KA,NCEP060N10,NCE40P05Y,NCE4015S,NCEP025N12LL,NCEP40T15A,NCEP060N10D,NCE2030K,NCEP0160A,NCEP060N10F,NC

2022/12/12  - NCE  - 选型指南 代理服务 技术支持 批量订货

NCE(新洁能)MOSFET 选型表

NCE(新洁能)为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C)其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端,新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode,在提高和加快反向续流能力的同时,降低反向恢复过程中的峰值电流(Irm)和电压(Vrm)。推出的TO-220H封装外形(产品名称后加标H),有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率,并大大降低成本,可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。

产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
车规级/工业级
Technology
Polarity
BVDSS(V)
ID(A)
VTH(V)
RDS(ON)@10V Typ(mΩ)
RDS(ON)@10V Max(mΩ)
VGS(th)(V)
CISS(pF)
QG(nC)
PD(W)
NCEP025N60G
N-Channel Super Trench II Power MOSFET
DFN5*6
工业级
SGT-II
N
60
165
3
2.1
2.5
±20
5190
78
200

选型表  -  NCE 立即选型

【选型】新洁能Super Trench MOSFET系列产品助力基站电源解决方案,全面提升器件的开关特性和导通特性

新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Super Trench MOSFET系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致,全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面,通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。

2023-06-15 -  器件选型 代理服务 技术支持 批量订货

【选型】新洁能Super Trench MOSFET系列能实现低传导损耗,优良的开关特性提供高效的启停器解决方案

新洁能Super Trench MOSFET系列40V产品,能实现低传导损耗(最优的RDSon性能)、低开关损耗(优良的开关特性),并改进体二极管反向恢复特性和改善系统EMC。同样,你也可以选用Normal Trench MOSFET系列40V产品,来获得更强的鲁棒性。

2023-06-14 -  器件选型 代理服务 技术支持 批量订货

新洁能N沟道SGT-II系列功率MOSFET ,提高系统的功率密度与能量转换效率,助力医疗设备解决方案

有刷直流电机与无刷直流电机因其低噪声、可操控性好、精度高等特点,成为了如今的个人医疗设备必需品,如医疗床,机械臂等设备中带有大量的电机系统。但是这些设备往往运作在各种不同的极端工作环境中,比如高温消毒设备中的温度达到了125℃以上,因此我们对器件的可靠性提出了更高的需求。

2023-05-27 -  原厂动态 代理服务 技术支持 批量订货

虹美功率 重点型号 对应 竞品型号

描述- 本资料详细介绍了多种元器件的型号、封装、价格、应用领域以及主要竞争对手。涵盖了LED显示屏、逆变器、BMS/电动类多、桥驱动、无线充/电等多种类型的元器件。资料中列出了各型号的详细规格参数,包括封装类型、耐压值、电流等,并提供了主要竞争对手的型号和品牌。

型号- NCEP025N60,5N60,GK8205,AP9435,AON2405,CEP640,HM4616D,AON2403,MEM2311,AON3611,AON2401,MEM2310,MEM2313,IRLML6302,IRFR15N20D,APM4503,MEM2317,APM4501,AOD4

2023/11/6  - 虹美功率半导体  - 对照表 代理服务 技术支持 批量订货

鲁晶MOS管选型表

鲁晶提供以下参数的MOS管选型,高压MOS管参数如Iᴅ(A):-1.25~120,IFSM(A):30~500;低压MOS管参数如Vᴅs(V):600~800,Pᴛᴏᴛ(W):0.625~147,两种MOS管都包含多种不同的封装形式,如SOT-23,PPAK5X6,SOT-323和SOT-89等

产品型号
品类
PIN ARRAY
Pᴅ(W)
Iᴅ(A)
V(ʙʀ) ᴅss(V)
Rᴅs(ᴏɴ)(max)(Ω)
VGS(th)(V)
Case Style
MLS2308A
低压MOS管
GSD
1.2
3
60
<0.1
1.0~2.0
SOT-23

选型表  -  鲁晶 立即选型

【经验】如何正确选择mosfet场效应晶体管?

近年来,随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等行业广泛使用场效应管产品,功率场效应管备受关注。在未来,场效应晶体管仍将是许多刚进入该领域的工程师会接触到的器件。本文SLKOR将从基础上讨论场效应晶体管的一些基本知识,包括关键常数的选择、介绍、系统和散热考虑等。

2022-01-02 -  设计经验 代理服务 技术支持 批量订货

MSP0625D-60V(D-S)P沟道增强型功率MOS场效应晶体管

描述- 本资料介绍了MSP0625D型P-Channel增强型功率MOSFET的特性和应用。该器件具有-60V的漏源电压和-25A的漏源电流,低RDS(ON)和高热稳定性,适用于全桥转换器和LCD显示器的DC/DC转换器。

型号- MSP0625D

2016/8/25  - 摩矽半导体  - 数据手册

HSD11P10 P-Channel 金属氧化物场效应管

品类 - 金属氧化物场效应管 型号 - HSD11P10

杰盛微 JSM100N03 系列高压功率MOS场效应晶体管

品牌 - JSMIRCO-SEMI 品类 - 高压功率MOS场效应晶体管 型号 - JSM100N03

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品牌:NCE

品类:N-Channel Super Trench II Power MOSFET

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品类:N-Channel Super Trench II Power MOSFET

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品牌:平伟实业

品类:N-MOS

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