NCEP025N60G
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描述:N-Channel Super Trench II Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):60,ID(A):165
NCE(新洁能)MOSFET选型表
目录- MOSFET
型号- NCEP025N60,NCE3035Q,NCE6080,NCEP050N12GU,NCE0208KA,NCEP060N10,NCE40P05Y,NCE4015S,NCEP025N12LL,NCEP40T15A,NCEP060N10D,NCE2030K,NCEP0160A,NCEP060N10F,NC
NCE(新洁能)MOSFET 选型表
NCE(新洁能)为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C)其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端,新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode,在提高和加快反向续流能力的同时,降低反向恢复过程中的峰值电流(Irm)和电压(Vrm)。推出的TO-220H封装外形(产品名称后加标H),有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率,并大大降低成本,可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@10V Typ(mΩ)
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RDS(ON)@10V Max(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCEP025N60G
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N-Channel Super Trench II Power MOSFET
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DFN5*6
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工业级
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SGT-II
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N
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60
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165
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3
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2.1
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2.5
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±20
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5190
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78
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200
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选型表 - NCE 立即选型
广告 发布时间 : 2024-12-10
【选型】新洁能Super Trench MOSFET系列产品助力基站电源解决方案,全面提升器件的开关特性和导通特性
新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Super Trench MOSFET系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致,全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面,通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。
【选型】新洁能Super Trench MOSFET系列能实现低传导损耗,优良的开关特性提供高效的启停器解决方案
新洁能Super Trench MOSFET系列40V产品,能实现低传导损耗(最优的RDSon性能)、低开关损耗(优良的开关特性),并改进体二极管反向恢复特性和改善系统EMC。同样,你也可以选用Normal Trench MOSFET系列40V产品,来获得更强的鲁棒性。
新洁能N沟道SGT-II系列功率MOSFET ,提高系统的功率密度与能量转换效率,助力医疗设备解决方案
有刷直流电机与无刷直流电机因其低噪声、可操控性好、精度高等特点,成为了如今的个人医疗设备必需品,如医疗床,机械臂等设备中带有大量的电机系统。但是这些设备往往运作在各种不同的极端工作环境中,比如高温消毒设备中的温度达到了125℃以上,因此我们对器件的可靠性提出了更高的需求。
虹美功率 重点型号 对应 竞品型号
描述- 本资料详细介绍了多种元器件的型号、封装、价格、应用领域以及主要竞争对手。涵盖了LED显示屏、逆变器、BMS/电动类多、桥驱动、无线充/电等多种类型的元器件。资料中列出了各型号的详细规格参数,包括封装类型、耐压值、电流等,并提供了主要竞争对手的型号和品牌。
型号- NCEP025N60,5N60,GK8205,AP9435,AON2405,CEP640,HM4616D,AON2403,MEM2311,AON3611,AON2401,MEM2310,MEM2313,IRLML6302,IRFR15N20D,APM4503,MEM2317,APM4501,AOD4
合科泰电子 髙压MOSFET选型表
合科泰电子提供高压MOSFET以下参数选型,漏源电压-450V~650V,连续漏极电流-9A~79A
产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
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棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
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02N10
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高压MOSFET
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SOT-23
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N
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100
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20
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2
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0.32
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0.8
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1.6
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1
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
鲁晶MOS管选型表
鲁晶提供以下参数的MOS管选型,高压MOS管参数如Iᴅ(A):-1.25~120,IFSM(A):30~500;低压MOS管参数如Vᴅs(V):600~800,Pᴛᴏᴛ(W):0.625~147,两种MOS管都包含多种不同的封装形式,如SOT-23,PPAK5X6,SOT-323和SOT-89等
产品型号
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品类
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PIN ARRAY
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Pᴅ(W)
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Iᴅ(A)
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V(ʙʀ) ᴅss(V)
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Rᴅs(ᴏɴ)(max)(Ω)
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VGS(th)(V)
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Case Style
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MLS2308A
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低压MOS管
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GSD
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1.2
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3
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60
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<0.1
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1.0~2.0
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SOT-23
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选型表 - 鲁晶 立即选型
【经验】如何正确选择mosfet场效应晶体管?
近年来,随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等行业广泛使用场效应管产品,功率场效应管备受关注。在未来,场效应晶体管仍将是许多刚进入该领域的工程师会接触到的器件。本文SLKOR将从基础上讨论场效应晶体管的一些基本知识,包括关键常数的选择、介绍、系统和散热考虑等。
MSP0625D-60V(D-S)P沟道增强型功率MOS场效应晶体管
描述- 本资料介绍了MSP0625D型P-Channel增强型功率MOSFET的特性和应用。该器件具有-60V的漏源电压和-25A的漏源电流,低RDS(ON)和高热稳定性,适用于全桥转换器和LCD显示器的DC/DC转换器。
型号- MSP0625D
HSD11P10 P-Channel 金属氧化物场效应管
HSD11P10是一款P-Channel金属氧化物场效应管,适用于各种高压应用。该型号具有高耐压、低导通电阻和良好的开关性能。其主要规格参数包括最大漏源电压-100V,最大栅极-源极电压±20V,最大漏极电流-11A,最大栅极阈值电压-3.0V,导通电阻160mΩ,栅极电荷160nC,输入电容195pF,输出电容170pF。该产品适用于开关电源、逆变器、UPS等应用场景。
品类 - 金属氧化物场效应管 型号 - HSD11P10
杰盛微 JSM100N03 系列高压功率MOS场效应晶体管
杰盛微JSM100N03系列高压功率MOS场效应晶体管是一款高性能的电子元件,适用于各种高压应用场景。该系列晶体管具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力等特点,能够有效提高电路的效率和稳定性。产品采用TO-252封装,适用于工业、汽车电子、电源管理等领域。
品牌 - JSMIRCO-SEMI 品类 - 高压功率MOS场效应晶体管 型号 - JSM100N03
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