NPN外延晶体管
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【产品】NPN型硅平面外延晶体管CMBT2222A/MMBT2222A，采用SOT-23封装
CMBT2222A、MMBT2222A是丽正国际公司生产的NPN型硅平面外延晶体管，采用SOT-23封装，可采用SMD/SMT方式安装。器件的集电极-基极电压最小值为75V,，集电极-发射极电压最小值为40V，发射极-基极电压最小值为6V。器件的结温最大可至150℃，存储温度范围宽至-55~150℃。直流增益hFE最大可至300。产品可用于开关等领域。
BFG540微波低噪声放大器NPN硅外延晶体管
本资料介绍了BFG540型号的低噪声放大器，该器件采用硅外延工艺制造，具备高功率增益、低噪声系数等特点。适用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器等领域。
SLKOR - NPN硅外延晶体管,微波低噪声放大器,MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER,NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR,BFG540,BFG540/X,中继放大器,卫星电视调谐器,射频模块,模拟数字无绳电话,超高频微波高频宽带低噪声放大器,雷达探测器,CATV 放大器,CATV 高频宽带低噪声放大器,UHF 高频宽带低噪声放大器,VHF 高频宽带低噪声放大器
广告 发布时间 : 2025-03-03
采用SOT-23封装的BC846至BC850 NPN硅外延晶体管
本资料介绍了CREATEK Microelectronics生产的BC846至BC850系列NPN硅外延晶体管。这些晶体管适用于开关和放大器应用，具有SOT-23封装，适用于多种电子设备。
CREATEK - NPN硅外延晶体管,NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR,BC850,BC846,BC848,BC847,BC849
2SC3357微波低噪声放大器NPN硅外延晶体管
本资料介绍了JXND Electronics Co., Ltd生产的2SC3357型号微波低噪声放大器NPN硅外延晶体管。该器件采用双极硅外延工艺制造，具备高功率增益、低噪声特性，适用于超高频微波、VHF、UHF和CATV等产品的高频宽带低噪声放大。
嘉兴南电 - NPN硅外延晶体管,微波低噪声放大器,高频宽带低噪声放大器,MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER,NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR,2SC3357,有线电视服务,甚高频,超高频,超高频微波,CATV,UHF,VHF
2SC3355高频低噪声放大器NPN硅外延管
本资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的2SC3355型NPN硅外延晶体管。该晶体管具有低噪声和高增益的特点，适用于高频放大器。
UTC - NPN硅外延晶体管,高频低噪声放大器,HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER,NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR,2SC3355,2SC3355G-AB3-R,2SC3355G-AL3-R,2SC3355G-T92-K,2SC3355L-AL3-R,2SC3355L-T92-K,2SC3355L-T92-B,2SC3355G-T92-B,2SC3355L-AB3-R
CMPTA46表面贴装超高压NPN硅晶体管
本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMPTA46型号表面贴装型高电压NPN硅平面外延晶体管。该产品适用于极高电压应用，具有450伏的最大集电极基极电压、450伏的最大集电极发射极电压和6.0伏的最大发射极基极电压。此外，还提供了详细的电气特性参数和应用支持服务。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装超高压NPN硅晶体管,SURFACE MOUNT EXTREMELY HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTOR,CMPTA46
KTC3875 NPN硅外延平面晶体管
本资料介绍了KTC3875型NPN硅外延平面晶体管。该晶体管适用于开关和音频放大器应用，分为四个增益等级（O、Y、G、L）。资料提供了最大额定值和电气特性参数，包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流、集电极功率耗散等。
时科 - 晶体管,NPN硅外延平面晶体管,NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR,TRANSISTOR,KTC3875,AF放大器,AF AMPLIFIER
2SC4793 NPN硅外延管
本资料介绍了NPN型硅外延晶体管2SC4793的特性、最大额定值、电学特性以及封装尺寸。该晶体管具有高转换频率（fT = 100 MHz），适用于功率放大器和驱动级放大器应用。
银河微电子 - NPN硅外延晶体管,NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR,2SC4793,功率放大器应用,驱动级放大器应用,DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS,POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
MJD47；MJD50 NPN外延硅晶体管
本资料介绍了两款NPN型外延硅晶体管（MJD47；MJD50），采用SMD TO-252封装。资料详细列出了这些晶体的绝对最大额定值、电学特性参数和应用条件。
科信 - NPN外延硅晶体管,SMD型晶体管,NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR,SMD TYPE TRANSISTORS,MJD47,MJD50
KTC3875 SOT-23 NPN硅外延平面晶体管
本资料介绍了KTC3875型NPN硅外延平面晶体管。该器件具有优异的HFE线性度、低噪声等特点，适用于通用和开关应用。
鲁光电子 - NPN硅外延平面晶体管,NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR,KTC3875,切换,SWITCHING
【产品】高集电极至发射极电压＞100V的NPN硅外延晶体管2SD1006，可应用于音频功率放大器
AiT推出的NPN硅外延晶体管2SD1006采用SOT89-3封装，高集电极至发射极电压VCEO＞100V，与PNP型2SB805互补，采用SOT89-3封装，可以应用于音频功率放大器。
2SD1007 NPN硅外延晶体管
本资料介绍了2SD1007型NPN硅外延晶体管的技术规格和应用信息。该晶体管具有高集电极到发射极电压（VCEO 120V），适用于多种电子设备。
合科泰电子 - NPN硅外延晶体管,NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR,2SD1007
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测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
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