PSR-23020

XGPU2.E74889-热敏电阻型设备-组件

本资料详细介绍了多种类型的温敏电阻器件，包括聚合物PTC电流限制器“Polyswitch”系列。资料中列出了不同型号的器件，包括最大电压、额定电流、最大电流、温度等级、电流限制等参数。此外，还提供了器件的型号、电压、电流、温度等级等信息表格。

LITTELFUSE - 热敏电阻型器件,THERMISTOR-TYPE DEVICES,PSR-28542,MICROSMD200LR,MINIASMDC260F/12,PSR-24184,SRP200,VTP200F,RHE1500,MINIASMDC260F/16,SMD200F/24-2920,RUE250,RXEF030,NANOSMD175LR,RSD310,RHEF650

2021/8/31 - 测试报告代理服务技术支持采购服务查看更多版本

2.聚合物PTC限流器XGPUE74889-热敏电阻型器件-组件|UL产品IQ

该资料详细介绍了LITTELFUSE公司生产的多种热敏电阻型器件，包括“Polyswitch”系列聚合物PTC电流限制器。资料中列出了不同型号的产品，包括最大电压、额定电流、温度范围和类别等信息。

LITTELFUSE - 热敏电阻型器件,聚合物PTC限流器,POLYMERIC PTC CURRENT LIMITERS,THERMISTOR-TYPE DEVICES,PSR-28542,MICROSMD200LR,MINIASMDC260F/12,PSR-24184,SRP200,VTP200F,RHE1500,MINIASMDC260F/16,SMD200F/24-2920,RUE250,RXEF030,NANOSMD175LR,RSD310,RHEF650

2023/9/15 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

XGPU2.E74889热敏电阻型装置-元件

本资料详细介绍了多种热敏电阻型器件，包括聚合物PTC电流限制器"Polyswitch"系列。资料中列出了不同型号的热敏电阻器件，包括其电压、电流、温度特性、类别、额定电流和短路电流等参数。此外，还提供了器件的封装类型和适用范围等信息。

LITTELFUSE - 热敏电阻型器件,THERMISTOR-TYPE DEVICES,PSR-28765-A (@),PSR-28542,MICROSMD200LR,PSR-24184,RHE1500,SMD200F/24-2920,LR4-550 (E55),RUE250,RXEF030,NANOSMD175LR,RSD310,RHEF650,RTEF135,PSR24669(16

2016/11/30 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

UMS功率放大器（PA）选型表

UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品，频率最高可达105GHz，带宽超过20GHz，Gain(dB)：10-38.5，Bias(mA)：30-2300，Bias(V）：2.5-30.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

选型表 - UMS 立即选型

GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表

GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.

RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ、Ω)

选型表 - GOFORD 立即选型

SVDP2353PL3A -3A、-150V P沟道增强型功率MOS场效应晶体管

SVDP2353PL3A 是一款P沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的平面VDMOS工艺技术制造。该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。其主要特点包括：漏源电压为-150V，漏极电流为-3A，栅源电压为±30V，导通电阻典型值为1.1Ω（VGS=-10V）。该晶体管适用于推挽放大器、高侧开关电路和CMOS功率放大器等应用领域。其封装形式为DFN-8-3.3x3.3x0.75-0.65，环保等级为无卤，包装方式为编带。极限参数方面，工作结温范围为-55至+150°C，贮存温度范围为-55至+150°C，耗散功率在25°C时为39W。电性参数方面，漏源击穿电压为-150V，栅极开启电压范围为-3.0至-5.0V，输入电容为243pF，输出电容为30pF，反向传输电容为5.0pF。此外，该器件还具备低栅极电荷量和低反向传输电容，能够提升dv/dt能力，确保快

SILAN - 推挽放大器,功率MOS场效应晶体管,SVDP2353PL3ATR,SVDP2353PL3A,高侧开关电路,CMOS功率放大器

MSN06M2 60V（D-S）N沟道增强型功率MOS场效应晶体管

该资料详细介绍了MSN06M2型号的60V N-Channel增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、直接逻辑电平接口、适用于各种驱动器和电池供电系统，以及固态继电器等应用。

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2016/8/25 - 数据手册

MOS管场效应管的工作原理及结构_金属氧化物半导体场效应晶体管

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种利用栅极电压控制导电沟道的开关器件。其工作原理基于在绝缘层上施加电压，通过电场影响半导体材料中的载流子浓度，从而控制电流的流通。MOS管分为增强型和耗尽型，N沟道和P沟道等不同类型。MOS管广泛应用于放大电路、阻抗变换、可变电阻、恒流源以及电子开关等领域。它具有高输入阻抗、低功耗、速度快等优点。MOS管通常用于CPU、显卡、内存插槽等关键部位，提供稳定的电压支持。其内部结构包括源极、漏极、栅极和衬底，其中栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，确保了高输入电阻特性。功率MOSFET采用垂直导电结构，提高了耐压和耐电流能力。

ZBW - 可变电阻,场效应管,晶体管,MOSFET,MOS管,恒流源,放大电路,电子开关,阻抗变换

MSN7002 60V（D-S）N沟道增强型功率MOS场效应晶体管

该资料详细介绍了MSN7002型号的60V N-Channel增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、直接逻辑电平接口、适用于各种驱动器和电池供电系统等特点，适用于多种电子应用。

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2016/8/26 - 数据手册