SFU4N65E
相关结果约12条HI-SEMICON(深鸿盛)场效应管(MOSFET)选型表
中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
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HI-SEMICON高压功率MOSFET选型表
HI-SEMICON提供高压功率MOSFET以下参数选型,VDS[max] (V):55~1500V,ID[max](25℃) (A):1~110A
产品型号
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品类
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Package
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Channel
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VDS[max] (V)
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VGS(V)
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ID[max](25℃) (A)
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PD[25℃] (W)
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VGS(th)[min] (V)
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VGS(th)[max] (V)
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RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)
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Ciss(typ)(pF)
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QG[typ](nC)
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SFU4N65E
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高压功率MOSFETs
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TO-251-3L
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N
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650
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±30
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4
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79
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2.0
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4.0
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2.3
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445
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12.8
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选型表 - HI-SEMICON 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
SFU4N65E 4A,650V N沟道功率MOSFET
该资料介绍了Hi-Semicon公司生产的SFU4N65E 4A, 650V N-Channel功率MOSFET。该器件采用Hi-Semicon专有的平面条纹DMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和承受高能脉冲的能力。适用于高效开关电源、主动功率因数校正和基于半桥拓扑的电子镇流器等应用。
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SFX4N65E 4A,650V N沟道MOSFET
本资料介绍了Hi-Semicon公司生产的SFX4N65E型号650V N-Channel MOSFET。该器件采用专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于AC-DC电源供应器、DC-DC转换器和H-Bridge PWM电机驱动器。
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SFX4N65E.Y 4A,650V N沟道功率MOSFET
本资料介绍了Hi-Semicon生产的650V N-Channel增强型功率场效应晶体管SFX4N65E。该器件采用平面条纹DMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于高效率开关电源、主动功率因数校正和基于半桥拓扑结构的电子镇流器。
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深鸿盛SFF系列N型功率MOSFET
深鸿盛SFF系列N型功率MOSFET是一款高性能的场效应晶体管,适用于各种中低压功率应用。该系列MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于工业、汽车电子和消费类产品等领域。产品具有以下特点:低导通电阻,提高效率,降低功耗;高开关速度,减少开关损耗;良好的热性能,提高可靠性;多种封装形式,满足不同应用需求;广泛应用于工业、汽车电子和消费类产品等领域。
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HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
HI-SEMICON - SFU4N65,快恢复二极管,碳化硅肖特基二极,碳化硅肖特基二极管,超快恢复整流二极管,超快恢复流二极管,SIC场效应晶体管,中低压MOSFET,中低压SGT MOS,冷MOSFET,分离栅沟槽低压MOSFET,分立SIC MOSFET,分立SIC-MOSFET,单N MOSFET,单P MOSFET,单芯片低压MOSFET,双芯片低压MOSFET,多层外延超结MOS,多层外延超结高压MOSFET,平面高压和低压MOSFET,普通沟槽式低压MOSFET,沟槽-MOS,沟槽超结高压MOSFET,碳化硅MOS,超结MOSFET,COOL MOSFET,COOL-MOS,DISCRETE SIC MOSFETS,DISCRETE SIC-MOSFETS,FRED,MEDIUM AND LOW VOLTAGE SGT MOS,MEDPMOS,MOSFET,MULTI-LAYER EPITAXIAL SUPERJUNCTION MOS,MULTILAYER EPITAXIAL SUPER JUNCTION HIGH-VOLTAGE MOSFET,N+N MOSFET,N+P MOSFET,NORMAL TRENCH LOW-VOLTAGE MOSFET,P+P MOSFET,PLANAR HIGH-VOLTAGE MOSFET,PLANAR HIGH-VOLTAGE&LOW-VOLTAGE MOSFET,PLANAR LOW-VOLTAGE MOSFET,SGT-MOS,SIC MOSFET,SIC SCHOTTKY DIODES,SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE,SINGLE-N MOSFET,SINGLE-P MOSFET,SJ-MOSFET,SPLIT GATE TRENCH LOW-VOLTAGE MOSFET,TDP MOS,TRENCH SUPER JUNCTION HIGH-VOLTAGE MOSFET,TRENCH-MOS,ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE,VDMOS,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,S,便携式绝缘监测综合测试仪,储能逆变,充电桩,光伏储能,光伏逆变器,厨余家电,发光二极管,大功率电源,家电,工业电源,开关电源,微型逆变器,新能源汽车,无人机,智能低压交流电源系统,智能电网充电站,服务器电源,电力专用不间断电源系统,电动工具,电动机驱动,电动车控制器,电子调速器,电机驱动,电源,电源维护类装置,穿戴设备,轨道交通,适配器,逆变电源,通信电源,通讯电源,铁路,高频开关通信电源系统,高频逆变器,FA驱动设备电源供应,GZDW高频开关直流电源系统,LED照明,LED驱动,PC电源,PD电源,TV电源,UPS电源,新能源BMS,电力专用UPS,CHARGING PILE,COMMUNICATION POWER SUPPLY,ELECTRIC VEHICLE CONTROLLER,HIGH FREQUENCY INVERTER,INDUSTRIAL POWER SUPPLY,LED,LED LIGHTING,MOTOR DRIVE,NEW ENERGY BMS,PC POWER,PD POWER SUPPLY,PHOTOVOLTAIC INVERTER,POWER SUPPLY,POWER TOOLS,UPS POWER SUPPLY
SFX4N65.X 4A,650V N沟道功率MOSFET
本资料介绍了Hi-Semicon生产的650V N-Channel增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)SFX4N65。该产品采用专有的平面条纹DMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。主要应用于电力因数校正(PFC)、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和LED照明等领域。
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SFX4N65 4A,650V N沟道MOSFET
本资料介绍了Hi-Semicon公司生产的SFX4N65型号650V/4A N-Channel MOSFET。该器件采用专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于AC-DC电源供应器、DC-DC转换器和H-Bridge PWM电机驱动器。
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SFX4N65.Y 4A,650V N沟道功率MOSFET
本资料介绍了Hi-Semicon生产的650V N-Channel增强型功率场效应晶体管SFX4N65。该器件采用平面条纹DMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于电源因子校正(PFC)、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)等领域。
HI-SEMICON - SFU4N65,N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS,N-CHANNEL POWER MOSFET,SFK4N65,SFD4N65,SFX4N65,SFF4N65,SFX4N65.Y,不间断电源,开关模式电源,LED照明电源,LED LIGHTING POWER,SMPS,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,UPS
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