SGT Mos
相关结果约2313948条捷捷微电(JieJie Microelectronics)MOSFET选型表
SGT MOSFET Trench MOSFET Planar MOSFET Super-junction MOSFET
捷捷微电 - MOSFET,JMTK130P04A,JMTL3404A,JMPK2N60G1,JMSH0804NK,JMSH0602AC,JMGK540P10A,JMSL0310AU,JMTG055N04A,JMSL0615AGDQ,JMSH0602AE,JMSH1511AC,JMTL2302B,JMTE060N06A,JMT
SGT电容的组成部分介绍
SGT和普通MOSFET一样,其寄生电容分为三大部分:栅源电容CGS,栅漏电容CGD以及漏源电容CDS(也可分为输入电容Ciss和输出电容Coss)。栅源电容CGS分为四部分,主要由栅极与源电极之间的电容CGS1,栅极与N+源区之间的电容CGS2,栅极与P型体区之间的电容CGS3,以及栅极与屏蔽栅(与源极共端)之间的电容CGS4。
广告 发布时间 : 2025-01-06
长晶科技MOS选型表
长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围:-100~+650;VGS(V)范围:±6~±30;ID(A)范围:-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
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品类
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Process
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Status
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Type
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
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Package
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AD-CJAN3R5SN04CH_PDFN5×6-8L
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车规级SGT MOS
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SGT
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Active
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Single-N
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No
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40
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±20
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100
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2.2~3.8
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2.8
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3.5
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-
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-
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PDFN5×6-8L
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选型表 - 长晶科技 立即选型
为电子烟雾化器量身锻造的多款SGT MOS,满足客户产能和性能需求
现代医疗的发展让大家越来越意识到传统烟草对人类生活的危害,戒烟的呼声也越来越高。电子烟作为传统烟草的替代品也越来越为人们接受,雾化器内置的DCDC电源作为电子烟的核心部件通过加热烟油从而起到传统烟草的效果。中低压MOSFET作为DCDC电源的核心部件,其性能对整个电子烟的性价比有着至关重要的影响,PDBG中低压MOS产品线针对电子烟量身锻造多款SGT MOS以匹配电子烟的需求。
东海半导体MOSFET选型表
东海半导体提供以下MOSFET的参数选型,VDS(V):-150~250,VDS(V):0.5~86.
产品型号
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品类
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Polarity
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VDS(V)
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Ron10 typ(mΩ)
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Ron10 max(mΩ)
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Vth typ(V)
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ID(A)
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Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Qg(nC)
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Qgd(nC)
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Qualification
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封装
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DHS025N06E
|
SGT MOS
|
N
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60
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2.2
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2.6
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3
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180
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4553
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1283
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61
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13
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Industry
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TO-263
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选型表 - WXDH ELECTRONICS 立即选型
SGT MOS相关授权代理品牌:
WAYON power MOSFET选型表
WAYON(维安半导体)提供 Trench P Channel Power MOSFET(沟槽P沟道功率MOSFET)/SGT P Channel Power MOSFET(SGT P沟道功率MOSFET)/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET(SGT N沟道功率MOSFET)/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型,Type:N/P,ESD:NO/YES,VDS(V):-150~300V,Vgs Max(v):±10~±20V,VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.
产品型号
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品类
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Package
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Configuration
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Type
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ESD
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VDS(V)
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Vgs Max(V)
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ID at 25℃(A)Max.
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VGS(th)(V)-Typ.
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Rds(on)Vgs=10V
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Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
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Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
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Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
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Ciss (pF)Typ.
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Coss (pF)Typ.
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Crss (pF)Typ.
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WMB009N03LG4
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SGT N Channel Power MOSFET
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PDFN5*6-8L
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Single
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N
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NO
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30
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±20
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200
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1.7
|
0.7
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0.9
|
0.9
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1.3
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5500
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1109
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85
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选型表 - WAYON 立即选型
芯派科技 MOSFET选型表
芯派科技提供以下IGBT,低压MOS管,高压超结MOS管,高压平面MOS管和中压MOS管的参数选型,芯片工艺:SGT,Planar,Trench;多种封装TO-247,TO-252,TO-263,TO-247P等。
产品型号
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品类
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芯片工艺
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沟道
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耐压-最小值(V)
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电流-最大值(A)
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内阻-典型值(mΩ、Ω)
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封装
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状态
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SW2800R15ES
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中压MOS管
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SGT
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N
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150V
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6A
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208mΩ
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TO-252
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量产
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选型表 - 芯派科技 立即选型
台懋半导体SGT工艺MOS管TMG130N20MP内阻低于9mΩ,峰值电流可达460A,已应用于MPPT产品
台懋半导体TMG130N20MP应用于MPPT产品已成为主流。 TMG130N20MP有以下优势:SGT工艺响应速度快,耐涌能力高;低导通内阻,10V典型值为8.8mΩ;100%UIS测试,100%Rg测试,可靠性更高;产品结温范围在-55%~150%,适用环境更宽。
AKG40N013G 40V 1.3mOhm N沟道SGT MOSFET
本资料介绍了AKG40N013G型N通道SGT MOSFET的特性。该器件专为高效率电源管理应用设计,具有超低导通电阻和优异的开关性能。主要内容包括产品特性、最大额定值、电气特性、热特性、测试电路波形、封装尺寸和标记信息。
瑶芯微 - N沟道SGT MOSFET,N CHANNEL SGT MOSFET,N-CHANNEL SGT MOSFET,AKG40N013G,电动工具,高效电源管理应用,HIGH EFFICIENCY POWER MANAGEMENT APPLICATIONS,POWER TOOLS
虹美功率半导体MOS选型表
虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS,BMS&电动车&平衡车SGT MOS,USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS,储能 SGT MOS,串联半桥驱动MOS,带FRD高压平面MOS,低压SGT MOS,主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。
产品型号
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品类
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工艺
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沟道
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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HMS4454
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低压SGT MOS
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SGT工艺(Split Gate)
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N沟道
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SOP8
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100V
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8A
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40A
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1.8V
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20V
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20mΩ
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30mΩ
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选型表 - 虹美功率半导体 立即选型
AM04NS08H MOSFET 85V 120A N沟道SGT MOSFET
AM04NS08H是一款由AiT Semiconductor Inc.生产的85V 120A N-Channel SGT MOSFET,具有快速开关、低导通电阻、低栅极电荷、低反向转移电容和高雪崩 ruggedness等特点。该产品适用于BMS和电机驱动器等领域。
AIT - N沟道SGT MOSFET,MOSFET,N-CHANNEL SGT MOSFET,AM04NS08HS2VR,AM04NS08HS6R,AM04NS08H,AM04NS08HS6VR,AM04NS08HS2R,AM04NS08HT3U,AM04NS08HT3VU,电动机驱动器,BMS,MOTOR DRIVERS
SGT MOSFET和Trench MOSFTE相比抗雪崩能力有什么优势?
SGT MOS技术是分拆栅极采用屏蔽技术,有以下几个特点: 1、RDson和寄生电容可以做的更低,相比沟槽工艺低,因此开关损耗低; 2、SGT比沟槽工艺MOS挖槽深度3-5倍,SGT可以横向使用更多的硅外延体积来阻止电压,使SGTMOS比普通MOS低两倍左右; 3、由于SGT MOSFET具有更深的沟槽深度,因此可以使用更多硅体积来吸收EAS能量; 通过上述三个特点可以使得SGTMOS在雪崩测试中具有更好的表现相比Trench MOS,详细参考高特SGT MOS产品:https://www.sekorm.com/doc/2308939.html
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现货市场
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