SGT Mos

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捷捷微电(JieJie Microelectronics)MOSFET选型表

SGT MOSFET    Trench MOSFET    Planar MOSFET    Super-junction MOSFET   

捷捷微电  -  MOSFET,JMTK130P04A,JMTL3404A,JMPK2N60G1,JMSH0804NK,JMSH0602AC,JMGK540P10A,JMSL0310AU,JMTG055N04A,JMSL0615AGDQ,JMSH0602AE,JMSH1511AC,JMTL2302B,JMTE060N06A,JMT

Feb 10, 2023  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

SGT电容的组成部分介绍

SGT和普通MOSFET一样,其寄生电容分为三大部分:栅源电容CGS,栅漏电容CGD以及漏源电容CDS(也可分为输入电容Ciss和输出电容Coss)。栅源电容CGS分为四部分,主要由栅极与源电极之间的电容CGS1,栅极与N+源区之间的电容CGS2,栅极与P型体区之间的电容CGS3,以及栅极与屏蔽栅(与源极共端)之间的电容CGS4。

2023-11-30 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

长晶科技MOS选型表

长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围:-100~+650;VGS(V)范围:±6~±30;ID(A)范围:-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号
品类
Process
Status
Type
ESD(Yes/No)
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
VGS(TH)(V)
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
Package
AD-CJAN3R5SN04CH_PDFN5×6-8L
车规级SGT MOS
SGT
Active
Single-N
No
40
±20
100
2.2~3.8
2.8
3.5
-
-
PDFN5×6-8L

选型表  -  长晶科技 立即选型

为电子烟雾化器量身锻造的多款SGT MOS,满足客户产能和性能需求

现代医疗的发展让大家越来越意识到传统烟草对人类生活的危害,戒烟的呼声也越来越高。电子烟作为传统烟草的替代品也越来越为人们接受,雾化器内置的DCDC电源作为电子烟的核心部件通过加热烟油从而起到传统烟草的效果。中低压MOSFET作为DCDC电源的核心部件,其性能对整个电子烟的性价比有着至关重要的影响,PDBG中低压MOS产品线针对电子烟量身锻造多款SGT MOS以匹配电子烟的需求。

2024-07-03 -  器件选型 代理服务 技术支持 采购服务

SGT MOS相关授权代理品牌:

WAYON power MOSFET选型表

WAYON(维安半导体)提供 Trench P Channel Power MOSFET(沟槽P沟道功率MOSFET)/SGT P Channel Power MOSFET(SGT P沟道功率MOSFET)/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET(SGT N沟道功率MOSFET)/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型,Type:N/P,ESD:NO/YES,VDS(V):-150~300V,Vgs Max(v):±10~±20V,VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.

产品型号
品类
Package
Configuration
Type
ESD
VDS(V)
Vgs Max(V)
ID at 25℃(A)Max.
VGS(th)(V)-Typ.
Rds(on)Vgs=10V
Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
Ciss (pF)Typ.
Coss (pF)Typ.
Crss (pF)Typ.
WMB009N03LG4
SGT N Channel Power MOSFET
PDFN5*6-8L
Single
N
NO
30
±20
200
1.7
0.7
0.9
0.9
1.3
5500
1109
85

选型表  -  WAYON 立即选型

芯派科技 MOSFET选型表

芯派科技提供以下IGBT,低压MOS管,高压超结MOS管,高压平面MOS管和中压MOS管的参数选型,芯片工艺:SGT,Planar,Trench;多种封装TO-247,TO-252,TO-263,TO-247P等。

产品型号
品类
芯片工艺
沟道
耐压-最小值(V)
电流-最大值(A)
内阻-典型值(mΩ、Ω)
封装
状态
SW2800R15ES
中压MOS管
SGT
N
150V
6A
208mΩ
TO-252
量产

选型表  -  芯派科技 立即选型

台懋半导体SGT工艺MOS管TMG130N20MP内阻低于9mΩ,峰值电流可达460A,已应用于MPPT产品

台懋半导体TMG130N20MP应用于MPPT产品已成为主流。 TMG130N20MP有以下优势:SGT工艺响应速度快,耐涌能力高;低导通内阻,10V典型值为8.8mΩ;100%UIS测试,100%Rg测试,可靠性更高;产品结温范围在-55%~150%,适用环境更宽。

2024-11-26 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

AKG40N013G 40V 1.3mOhm N沟道SGT MOSFET

本资料介绍了AKG40N013G型N通道SGT MOSFET的特性。该器件专为高效率电源管理应用设计,具有超低导通电阻和优异的开关性能。主要内容包括产品特性、最大额定值、电气特性、热特性、测试电路波形、封装尺寸和标记信息。

瑶芯微  -  N沟道SGT MOSFET,N CHANNEL SGT MOSFET,N-CHANNEL SGT MOSFET,AKG40N013G,电动工具,高效电源管理应用,HIGH EFFICIENCY POWER MANAGEMENT APPLICATIONS,POWER TOOLS

2022-11-09  - 数据手册  - REV.1.1 代理服务 技术支持 采购服务

虹美功率半导体MOS选型表

虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS,BMS&电动车&平衡车SGT MOS,USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS,储能 SGT MOS,串联半桥驱动MOS,带FRD高压平面MOS,低压SGT MOS,主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。

产品型号
品类
工艺
沟道
封装
VDS(Max) (BVDSS(V))
ID(Max) (A)
IDM (A)
VTH (Typ) (V)
VGS (V)
RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
HMS4454
低压SGT MOS
SGT工艺(Split Gate)
N沟道
SOP8
100V
8A
40A
1.8V
20V
20mΩ
30mΩ

选型表  -  虹美功率半导体 立即选型

AM04NS08H MOSFET 85V 120A N沟道SGT MOSFET

AM04NS08H是一款由AiT Semiconductor Inc.生产的85V 120A N-Channel SGT MOSFET,具有快速开关、低导通电阻、低栅极电荷、低反向转移电容和高雪崩 ruggedness等特点。该产品适用于BMS和电机驱动器等领域。

AIT  -  N沟道SGT MOSFET,MOSFET,N-CHANNEL SGT MOSFET,AM04NS08HS2VR,AM04NS08HS6R,AM04NS08H,AM04NS08HS6VR,AM04NS08HS2R,AM04NS08HT3U,AM04NS08HT3VU,电动机驱动器,BMS,MOTOR DRIVERS

NOV 2024  - 数据手册  - REV1.01 代理服务 技术支持 采购服务

SGT MOSFET和Trench MOSFTE相比抗雪崩能力有什么优势?

SGT MOS技术是分拆栅极采用屏蔽技术,有以下几个特点: 1、RDson和寄生电容可以做的更低,相比沟槽工艺低,因此开关损耗低; 2、SGT比沟槽工艺MOS挖槽深度3-5倍,SGT可以横向使用更多的硅外延体积来阻止电压,使SGTMOS比普通MOS低两倍左右; 3、由于SGT MOSFET具有更深的沟槽深度,因此可以使用更多硅体积来吸收EAS能量; 通过上述三个特点可以使得SGTMOS在雪崩测试中具有更好的表现相比Trench MOS,详细参考高特SGT MOS产品:https://www.sekorm.com/doc/2308939.html

2021-10-29 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

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品牌:WXDH ELECTRONICS

品类:SGT MOS

价格:¥2.4300

现货: 25

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

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品牌:LONTEN

品类:MOSFET

价格:¥1.5000

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