SMDJ58
相关结果约3728条扬杰科技瞬态抑制二极管选型表
扬杰科技提供以下技术参数的瞬态抑制二极管选型,最大功耗:200W~5000W,最大反向漏电流:1μA~5000μA;
产品型号
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品类
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Package
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Type
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PPk/PPPM(W)
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VBR _Min(V)
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VBR _Max(V)
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IT(mA)
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IR@VRWM(μA)
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VRWM(V)
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IPP(A)
|
VC@IPP(V)
|
Tj(℃)
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IFSM(A)
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应用等级
|
SMDJ58A
|
瞬态抑制二极管
|
SMC
|
Uni
|
3000
|
64.4
|
71.2
|
1
|
5
|
58
|
32.05
|
93.6
|
-55~+150
|
300
|
工业规
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
长晶科技TVS二极管&ESD二极管选型表
长晶科技提供如下TVS二极管&ESD二极管的技术选型:Ppp(W)范围:+19~+15000;VRWM(V)范围:+1.5~+45633;IR(uA)范围:+0.01~+5000;VC(V)范围:+3.88~+828.....长晶科技的TVS二极管&ESD二极管有SOD-723、SOP8、SOT-143、DFNWB2×2-3L、DO-15等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
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品类
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Status
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Ppp(W)
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VRWM(V)
|
VBRMin(V)
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VBRMax(V)
|
IR(uA)
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VC(V)
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IPP(A)
|
it(mA)
|
Package
|
SMDJ58A_SMCG
|
TVS二极管
|
Active
|
3000
|
58
|
64.4
|
71.2
|
1
|
93.6
|
32.05
|
1
|
SMCG
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选型表 - 长晶科技 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
瞬雷电子瞬态抑制二极管选型表
瞬雷电子瞬态抑制二极管选型:Vrwm(V):5~512,VBR(V)min:6.4~570,VBR(V)Max.:7~630,IT(mA):1~50,VC(V):9.2~828。
产品型号
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品类
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Vrwm(V)
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VBR(V)min
|
VBR(V)Max.
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IT(mA)
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VC(V)
|
IPP(A)
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IR(µA)
|
PPPM(W)
|
Package
|
SMDJ58CA
|
瞬态抑制二极管
|
58
|
64.4
|
71.2
|
1
|
93.6
|
32.1
|
2
|
3000
|
DO-214AB
|
选型表 - 瞬雷电子 立即选型
普罗森美车规级TVS选型表
普罗森美车规级TVS选型表为车规级TVS提供选型帮助,功率200W~3000W,电压3.3V~550V,电流1mA~100mA反应速度快,体积小,脉冲功率大,钳位电压低。
产品型号
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品类
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Device Marking Code
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Ppk(W)
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VRWM(V)
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Min.(V)
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Max.(V)
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IT(mA)
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VC MAX.(V)
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IPP(A)
|
IR(uA)
|
Package
|
SMDJ58CA-T
|
TVS车规
|
DGGT
|
3000
|
58
|
64.4
|
71.2
|
1
|
93.6
|
32.1
|
1
|
SMC
|
选型表 - 普罗森美 立即选型
【经验】音特电子4种直流电源的防护电路设计方案
音特电子是电路保护元器件制造商│解决方案服务商,产品拥有自主知识产权,公司主要产品和服务包括:TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护元件、GDT气体放电管等产品及个性化的电路保护设计、专业化的客户解决方案,为客户免费提供EMC评估。
伯恩半导体机顶盒/路由器应用方案
伯恩半导体(深圳)有限公司提供的这份应用方案主要针对机顶盒和路由器,详细介绍了静电测试、浪涌测试、保护器件对比、ESD/TVS器件介绍、TSS/GDT器件介绍以及各种接口的保护方案。方案中涵盖了静电放电和浪涌测试的要求,对比了不同保护器件的特点和参数,并提供了针对不同接口的保护方案选型汇总。
BORN - 半导体放电管,开关型过电压保护器件,整流桥,气体放电管,瞬态抑制二极管,静电保护器件,静电抑制二极管,SMCJ15A,BSDFN10A034UD,BDFN2C051L2,BDFN2C051U,MMBT3904,BDFN2C051VB,BEP3500SC,MMBT3906,BDFN10A054U,BSD3C051L2,MB6S,14D820K,SMBJ15A,BDFN2C071V45,BST236A0,低结电容,咪头,安防产品电源输入端,射频,开关控制,按键,普通结电容,消费产品电源输入端,电源,电源端口防护,超低结电容,车载产品电池供电端,输入输出,通讯产品适配器输入端,音频,C型,C型_VBUS,EOS防护,HDMI1.4标准,HDMI2.0版,RJ45型,USB2.0标准,USB3.0标准,VGA接口,板内电源IC,HDMI1.4,HDMI2.0,HDMI_VBUS,HDMI_VBUS,I/O,RF,RJ45,RS232,RS485,SD IO,TYPE-C,TYPE-C_VBUS,USB2.0,USB3.0,USB_VBUS,USB_VBUS,VGA
优恩半导体TVS瞬态电压抑制二极管选型表
优恩半导体提供以下技术参数的TVS选型:反向截止电压:3.3V~440V;击穿电压(min):5.2V~492V;击穿电压(max):6V~543V;测试电流:1mA、5mA、10mA;最大钳位电压 VC @IPP (V):8V~713V;最大峰值脉冲电流IPP (A):0.56A~3000A;最大反向漏电流IR @VRWM (μA):1uA~1000μA;关断电压:10V~85V;最大反向浪涌电流IPP(A):48A~388A;最大IR @VRWMTJ=175(uA):150uA、250uA。
产品型号
|
品类
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Reverse Stand-Off Voltage VRWM(V)
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Breakdown Voltage VBR (V) @IT MIN
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Breakdown Voltage VBR (V) @IT MAX
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Test Current IT (mA)
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Maximum Clamping Voltage VC @IPP (V)
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Maximum Peak Pulse Current IPP (A)
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Maximum Reverse Leakage IR @VRWM (μA)
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model
|
Marking
|
SMDJ58
|
Surface Mount Transient Voltage Suppressors
|
58.0
|
64.40
|
78.70
|
1
|
103.0
|
29.13
|
5
|
Uni
|
RGF
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选型表 - 优恩半导体 立即选型
赛尔特瞬态抑制二极管TVS选型表
赛尔特瞬态抑制二极管TVS选型,最小击穿电压(V):6.4V-570V;最大击穿电压(V):7V-630V;测试电流 (mA):1mA-50mA;反向关断电压 (V):5V-530V;最大反向漏电流(μA):1μA-5000μA;最大峰值脉冲电流(A):0.5A-606A;最大箝位电压(V):9.2V-828V。
产品型号
|
品类
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标记代码
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最小击穿电压(V)
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最大击穿电压(V)
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测试电流 (mA)
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反向关断电压 (V)
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最大反向漏电流(μA)
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最大峰值脉冲电流(A)
|
最大箝位电压(V)
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极向
|
系列
|
SMDJ58CA
|
瞬态抑制二极管
|
DGG
|
64.4
|
71.2
|
1
|
58
|
2
|
32.1
|
93.6
|
Bi
|
SMDJ (DO-214AB )
|
选型表 - 赛尔特 立即选型
电安科技TVS选型表
电安科技提供了从200W到30000W的宽功率浪涌保护方案,产品可用在汽车电子、工业,通讯、新能源等领域。
产品型号
|
品类
|
VRWM(V)
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VBR Min(V)
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VBR Max(V)
|
IT(mA)
|
IR(μA)
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VC Max (V)
|
Ipp Max (A)
|
PD(W)
|
AECQ Qualification
|
Uni/Bi
|
Package
|
SMDJ58CA
|
TVS瞬态抑制二极管
|
58V
|
64.4V
|
71.2V
|
1mA
|
1μA
|
93.6V
|
32.1A
|
3000W
|
/
|
Bi
|
SMD
|
选型表 - 电安科技 立即选型
5.3SMDJ58CA 瞬态抑制二极管产品变更通知单(PCN)
深圳市硕凯电子股份有限公司发布产品变更通知单(PCN),涉及5.3SMDJ58CA瞬态抑制二极管。主要变更包括将包装数量从500PCS增至3000PCS,料盘大小从7英寸变更为13英寸,以提高生产效率。变更不影响电性,仅外观和包装数量有变化。客户需确认新样品、规格书、测试报告等,并选择接收或拒绝变更。
硕凯电子 - 5.3SMDJ58CA,瞬态抑制二极管
应能微TVS&二极管选型表
应能微提供以下技术参数的TVS选型,VRWM:1V~80V,Cj Typ:0.15pF~3700pF,IR Max:0.02μA-600μA,PPP:10W-8000W;二极管选型,VRWM(V):45V,Cj Typ(pF):90pF、25pF。
产品型号
|
品类
|
UNI/BI
|
Line Config
|
VRWM(V)
|
VBR Min(V)
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VC(V)
|
IPP Max(A)
|
IR Max(μA)
|
Package
|
SMDJ58A
|
Surge Protection TVS
|
Uni
|
1-Line
|
58
|
64.4
|
93.6
|
32.1
|
1
|
DO-214AB
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选型表 - 应能微 立即选型
里阳半导体携最新台面工艺5寸TVS晶圆制程亮相第四届全球半导体产业与电子技术博览会,成品漏流控制及电压精度行业领先
2022年6月29日,第四届全球半导体产业与电子技术 (重庆) 博览会 (简称:GSIE)在重庆国际博览中心开幕。会上,里阳半导体带来最新台面工艺5 寸TVS晶圆制程和最新的电路保护解决方案。
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