Si8284CD-IS
相关结果约1904条【应用】如何正确使用IGBT驱动解决米勒电容导致寄生导通问题
本文以Silicon Labs门极智能驱动Si8285为例,介绍如何正确使用IGBT门极智能驱动解决米勒电容导致的寄生导通问题以提高产品可靠性。
Silicon Labs(芯科科技) 隔离产品应用方案
本资料主要介绍了Silicon Labs公司的一系列隔离产品及其应用。内容涵盖了逆变器系统应用、PFC电路、执行单元门极驱动、电流传感器、电压传感器、工业总线、位置反馈、数据采集、ESD保护、电源管理、充电桩应用、BMS应用、数字隔离器、电流检测放大器、IGBT驱动器等多个方面。资料详细介绍了各产品的特性、应用领域以及与竞争对手的对比,突出了Silicon Labs产品的优势。
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广告 发布时间 : 2025-01-06
【工业研讨会讲义】传统光耦完美替代方案
本文主要介绍了Silicon Labs的数字隔离及智能驱动隔离产品,瑞萨新一代驱动光耦,以及Melexis电流传感器。文章详细对比了数字隔离产品与光耦的性能差异,突出了数字隔离产品在可靠性、功耗、抗干扰性和时序等方面的优势。同时,文章还介绍了Si838x八通道隔离产品和Si88xx隔离产品,以及瑞萨的PS9402、PS9031、PS9531L3系列驱动光耦和MLX91209磁环电流传感器等产品的特点和应用。
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Si8281/82/83/84数据手册集成DC-DC转换器的SiC FET就绪ISO驱动器
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SI8284CD-IS 高隔离栅极驱动器
SI8284CD-IS 是一款采用二氧化硅(SiO2)作为隔离层的隔离式栅极驱动器,适用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件。该芯片支持高达30V的电源电压范围,允许使用双极性电源有效驱动IGBT和SiC功率FET。其高性能和高可靠性使其广泛应用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。主要规格参数包括:隔离电压5000Vrms,输出电流2.5A/3A,输出供电电压12V~30V,共模瞬态抗扰度35kV/us,传播延迟50ns/50ns,工作温度-40°C~125°C。
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隔离IGBT驱动芯片Si828X集成了DC-DC转换器,请问该DC-DC转换器能够提供多大输出功率?
隔离IGBT驱动芯片Si828X集成的DC-DC转换器最大可以提供2W的输出功率。
Si8281/82/83/84产品介绍
该资料介绍了Si828x系列隔离式高电流栅极驱动器,适用于硅碳化物(SiC)FET、功率MOSFET和IGBT等多种逆变器及电机控制应用。这些设备集成了系统安全功能和反馈功能,利用Silicon Labs专有的硅隔离技术,支持高达5.0 kVrms的耐压电压。此外,还集成直流-直流控制器,简化了驱动侧独立电源的实现。
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【经验】基于隔离器检测功能脚DSAT的误报警延时检测网络
Silicon Labs推出的Si828x隔离栅极驱动器是专为保护电源逆变器以及绝缘栅双极晶体管等器件而设计的,它具有5KVrms的隔离等级以及良好的定时特性和业内最快的趋饱和检测功能。
【技术】隔离放大器+多功能栅极驱动器 实现变频器IGBT保护
Silicon Labs公司的隔离放大器提供了保护IGBT免于遭受过电流、过载和过电压情况的有效方法。使用Si8920隔离放大器搭配功能多样的栅极驱动器,如Si828x可以实现高成本效益的充分IGBT保护方案。
桥式隔离驱动及其供电,都不是个事!
门极驱动供电受多种因素的制约和影响,Silicon Labs公司针对这些问题推出的 SI823x、SI826x、SI828x系列产品,非常适合设计人员的选择应用。
Silicon Labs(芯科科技) Si82xx-EVB评估板使用说明
本资料为Si82xx系列隔离驱动器评估板用户指南,介绍了Si82xx系列隔离驱动器的特性和应用。该系列驱动器具有高集成度、低传播延迟、小型安装尺寸、灵活性和成本效益,适用于各种隔离MOSFET/IGBT栅极驱动应用。评估板包含Si8220、Si8233、Si8234和Si8235等型号,并提供了相应的测试和布局信息。
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