SiC
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终于有人把碳化硅（SiC）是什么，有哪些用途和优势说明白了
碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅，但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。
中电国基南方SiC MOSFET选型表
中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。
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产品型号
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品类
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VDSS(V)
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RDS(on)(mΩ)
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GEN
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Drain Current(A) TC=25℃
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VGS(th)(V) (Typ.)
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Gate Charge Total(Qg)(nc)
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Total Power Dissipation(PTOT)(W)
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Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
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Package
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质量等级
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WM1A01K170K
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SiC MOSFET
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1700V
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1000mΩ
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G1
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5A
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2.6V
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21.8nc
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69W
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150℃
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TO-247-3
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工业级
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选型表 - 中电国基南方 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
引领下一代效率：碳化硅（SiC）MOSFET技术的进步
德欧泰克推出了其最新的碳化硅（SiC）MOSFET产品——DIF120SIC022/-AQ，采用TO-247-4L封装，具有令人印象深刻的22mΩ导通电阻（RDS(on)）。该产品第四引脚——所谓的开尔文源极（Kelvin-Source）——显著降低了开关损耗，并提升了系统效率。
泰科天润（GPT）SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
SiC Chip/SiC Devices Company Profile
泰科天润 - SIC器件,碳化硅裸模,SIC功率器件,SIC裸片,SIC BARE DIE,SIC DEVICES,SIC POWER DEVICES,SILICON CARBIDE BARE DIE,SILICON CARBIDE DEVICES,G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S065,三相整流电源,不间断电源,串式光伏逆变器,乘用车,伺服器电源,低速汽车,充电模块,光伏汇流箱,功率因素矫正,单相整流电源,家用电器,工业电机驱动器,微型逆变器,最大功率点,电动工具适配器,电动汽车充电座,电动自行车适配器,矿工电源,移动电话适配器,笔记本适配器,输出整流,适配器,高压直流模块,LED电源,PC电源,PV逆变器,太阳能用DC/AC变换器,风力发电用DC/AC变换器, LOW SPEED CAR,ADAPTER,AUTOMOTIVE,CHANGING MODULE,CHARGE BLOCK FOR ELECTRIC CARS,CHARGE MODULE,CHARGING MODULE,DC / AC CONVERTERS FOR SOLAR POWER,DC / AC CONVERTERS FOR WIND POWER,E-BIKE ADAPTER,E-BIKE ADAPTER,ELECTRICAL HOUSE HOLD APPLIANCES,HOUSEHOLD APPLIANCES,HVDC MODULE,INDUSTRI-AL,INDUSTRIAL MOTOR DRIVERS,LED POWER SUPPLY,LOW SPEED CAR,MICRO INVERTER,MICRO INVERTER,MINER POWER SUPPLY,MINER POWER SUPPLY,MOBILE PHONE,MOBILE PHONE ADAPTER,MPPT,NOTEBOOK ADAPTER,OBC,OUTPUT RECTIFICATION,PASSENGER CAR,PASSENGER CAR,PC POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,POWER TOOLS,POWER TOOLS ADAPTER,PV COMBINER BOX,PV INVERTER,RAILWAY,SERVER POWER,SERVER POWER,SINGLE-PHASE RECTIFIED POWER SUPPLY,STRING PHOTOVOLTAIC INVERTER,STRING PHOTOVOLTAIC INVERTER,THREE-PHASE RECTIFIED POWER SUPPLY,UPS
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萃锦半导体SiC MOS选型表
萃锦半导体SiC MOSFET提供了更好的设计灵活性，可实现高系统效率、更高的开关频率，从而以更高的可靠性减小系统尺寸。产品优势：更高的系统效率；较小的Eoss损耗能量，极低的开关损耗，芯片面积小；开关速度快，开关噪声低，更高频率适用性；抗雪崩能力强，可以承受更大的浪涌电流；芯片可靠性高，参数一致性好，较高的稳定性；具有超快恢复性能的体二极管；较低的FOM；100%通过晶圆级老化测试
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产品型号
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品类
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Package
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VDSS(V)
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ID(A) @25℃
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VGS(th)（V）typ
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Rdson(mΩ）@Tj=25℃
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Rdson(mΩ）@Tj=175℃
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Ciss(pF)
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Crss(pF)
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Qg（tot）
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Switching Characteristics td（on）
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Switching Characteristics tr
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Switching Characteristics td（off）
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Qrr(nC)
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BCBF170N650T1
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SiC MOS
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TO263-7
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1700
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8.6
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2.8
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550
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1000
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183
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2.1
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13.2
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5
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17
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13
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32
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选型表 - 萃锦半导体 立即选型
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060
虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表
虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表主要提供以下参数选型，Vces(Max)：650V~ 1700V，ID(Max)：3A~165A，IDM：9A~555A，Typ Rds(on)：800mΩ~ 1Ω，Qg(tot)：1.2nC~ 216nC，Coss：16pF~239pF。
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产品型号
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品类
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沟道
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封装
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VDS(Max)
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ID(Max)
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IDM
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VTH(Typ)
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VGS
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Typ Rds(on)
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Qg(tot)
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Coss
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HMM85N170T
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SiC MOS
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N沟道
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TO-247-3
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1700V
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85A
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255A
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2.6V
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-15V/+25V
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28mΩ
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200nC
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200pF
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选型表 - 虹美功率半导体 立即选型
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06300D5
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碳化硅场效应管
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650V
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DFN 5*6
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300mΩ
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9A
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2.75nC
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39.4pF
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175°C
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选型表 - 派恩杰 立即选型
第三代半导体重要材料碳化硅（SiC）国产化趋势分析：技术市场尚未完全成熟，产业发展仍大有可图
随着近年来美国对我国半导体产业的重重禁运封锁广泛报道，大家对第二代半导体中的硅基半导体，也已经有很多了解。而今天，我们要谈的，是下一代，即第三代半导体中的一种重要材料——碳化硅。
【技术】一文介绍碳化硅（SiC）MOS的优缺点
碳化硅（SiC）MOS管作为一种新型功率器件，相较于传统的硅基功率器件，在一些特定的条件下有着独有的优异性，但也有存在着某些方面的不足之处。优恩半导体讲一下碳化硅MOS管的优缺点。
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