SiC MOS
相关结果约2696615条SLKOR(萨科微)功率元器件和模块选型指南
公司介绍 碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管 超结场效应管/IGBT单管/可控硅 二极管 静电保护器件/瞬态抑制二极管 三极管/电源IC 运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥/霍尔传感器 光耦/石英晶体谐振器
SLKOR - SIC备用电池,三合会,三极管,二极管,低压差线性稳压器,光敏晶体管,光电三端双向可控硅,光耦,光耦合器设备,单向可控硅,参考电源,双向可控硅,双极性结型晶体管,可控硅,可控硅光耦,场效应管,基准电源,开关二极管,快恢复二极管,整流二极管,整流桥,晶体管光耦,瞬态抑制二极管,石英晶体,石英晶体谐振器,碳化硅场效应管,碳化硅肖基特二极管,碳化硅肖特基二极管,稳压二极管,肖特基二极管,超结场效应管,达林顿晶体管阵列,达林顿阵列,运放,运算放大器,霍尔传感器,静电保护器件,静电放电,高速光耦,高速光耦合器,齐纳二极管,GBT单管,HALL传感器,IGBT单管,SIC场效应晶体管,低压差线性稳压器LDO,电源IC,直流-直流,超级结MOSFET,BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR,DARLINGTON ARRAY,DC-DC,DIODE,ESD,FAST RECOVERY DIODE,HALL SENSOR,HIGH-SPEED OPTOCOUPLERS,IGBT,LDO,MOSFET,OPERATIONAL AMPLIFIER,OPTICALCOUPLER EQUIPMENT,PHOTO TRANSISTOR,PHOTO TRIAC,QUARTZ CRYSTAL,RECTIFIER BRIDGE,RECTIFIER DIODE,REFERENCE POWER SUPPLY,SCHOTTKY DIODE,SCR,SIC MOSFET,SIC SBD,SUPER JUNCTION MOSFET,SWITCHING DIODE,TRIACS,TVS,ZENER DIODE,BTW69,MB10S,SL25T135FL,BTA26-1000,SL2306,SL2307,MB10F,SL2308,SMCJ440CA,SL2309,SL55X,SL40N60C,SL2310,SL2312,SL3400,SL54X,SL3402,SL3404,SL4614,RS1A,RS1M,不间断电源,充电桩,军事,医疗设备,大功率开关电源,太阳能光伏,太阳能光伏系统,手提电脑,新能源汽车,智慧家居,智慧家电,智能手机,智能扫地机器人,智能机器人,机器人,清洁能源发电,物联网,电动工具,电动车辆,电子烟,笔记本电脑,能源互联网领域,航天领域,车联网,通讯电力设备,通讯设备,锂电池保护,高端装备,高端设备,3C数码产品,LED照明,3C DIGITAL PRODUCTS,COMMUNICATION EQUIPMENTS,ELECTRIC POWER TOOLS,ELECTRIC VEHICLES,HIGH-END EQUIPMENTS,INTELLIGENT ROBOTS,IOT,IOV,LAPTOPS,LED LIGHTING,MEDICAL EQUIPMENTS,SMART HOME APPLIANCES,SMART PHONES,SOLAR PHOTOVOLTAIC SYSTEMS
中电国基南方SiC MOSFET选型表
中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型,VDSS(V):650V~1700V,RDS(on):11mΩ~1000mΩ,ID:5~150A,有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。
产品型号
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品类
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VDSS(V)
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RDS(on)(mΩ)
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GEN
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Drain Current(A) TC=25℃
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VGS(th)(V) (Typ.)
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Gate Charge Total(Qg)(nc)
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Total Power Dissipation(PTOT)(W)
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Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
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Package
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质量等级
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WM1A01K170K
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SiC MOSFET
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1700V
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1000mΩ
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G1
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5A
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2.6V
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21.8nc
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69W
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150℃
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TO-247-3
|
工业级
|
选型表 - 中电国基南方 立即选型
广告 发布时间 : 2025-01-06
萃锦半导体SiC MOS选型表
萃锦半导体SiC MOSFET提供了更好的设计灵活性,可实现高系统效率、更高的开关频率,从而以更高的可靠性减小系统尺寸。产品优势:更高的系统效率;较小的Eoss损耗能量,极低的开关损耗,芯片面积小;开关速度快,开关噪声低,更高频率适用性;抗雪崩能力强,可以承受更大的浪涌电流;芯片可靠性高,参数一致性好,较高的稳定性;具有超快恢复性能的体二极管;较低的FOM;100%通过晶圆级老化测试
产品型号
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品类
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Package
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VDSS(V)
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ID(A) @25℃
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VGS(th)(V)typ
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Rdson(mΩ)@Tj=25℃
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Rdson(mΩ)@Tj=175℃
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Ciss(pF)
|
Crss(pF)
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Qg(tot)
|
Switching Characteristics td(on)
|
Switching Characteristics tr
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Switching Characteristics td(off)
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Qrr(nC)
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BCBF170N650T1
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SiC MOS
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TO263-7
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1700
|
8.6
|
2.8
|
550
|
1000
|
183
|
2.1
|
13.2
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5
|
17
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13
|
32
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选型表 - 萃锦半导体 立即选型
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:汽车级&工业级,VDS(V):650V~1700V,RDS(ON) :15mΩ~10000mΩ。
产品型号
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品类
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Qualification
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VDS(V)
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RDS(ON) (mΩ)
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ID(TC=25°C)(A)
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VTH( TJ =25°C)(V)
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VTH( TJ =175°C)(V)
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Qg(nC)
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Operating Junction Temperature(°C)
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Package
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IV1Q06040T4
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SiC MOSFET
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工业级
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650V
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40mΩ
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72A
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3.2V
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2.2V
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110.8nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
华轩阳电子MOS选型表
华轩阳电子MOS选型表包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管、P+P型场效应晶体管、N+N型场效应晶体管、N+P型场效应晶体管五种类型,主要有以下选型参数:VDSS耐压(V)18~650V;ID电流(A)0.1A~400A;RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)2.4~14000mΩ;应用等级均为民用级。
产品型号
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品类
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类型
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VDSS耐压(V)
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ID电流(A)
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RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
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RDON(mR)
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封装
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应用等级
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HXY2301AI
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P型场效应晶体管
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P沟道
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20V
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3A
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87mΩ
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25mR
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SOT-23
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民用级
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选型表 - 华轩阳电子 立即选型
SIC MOS相关授权代理品牌:
虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表
虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表主要提供以下参数选型,Vces(Max):650V~ 1700V,ID(Max):3A~165A,IDM:9A~555A,Typ Rds(on):800mΩ~ 1Ω,Qg(tot):1.2nC~ 216nC,Coss:16pF~239pF。
产品型号
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品类
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沟道
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封装
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VDS(Max)
|
ID(Max)
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IDM
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VTH(Typ)
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VGS
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Typ Rds(on)
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Qg(tot)
|
Coss
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HMM85N170T
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SiC MOS
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N沟道
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TO-247-3
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1700V
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85A
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255A
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2.6V
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-15V/+25V
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28mΩ
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200nC
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200pF
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选型表 - 虹美功率半导体 立即选型
【应用】适合SIC MOS管的驱动芯片,驱动能力高达4A
普通的驱动芯片无法满足SIC MOS高频率的开关速度,Silicon Labs推出的隔离栅极驱动器SI8273,最大输出4A的驱动能力,能满足高频率的驱动且损耗非常小。
【选型】无锡紫光微(UNIGROUP)半导体功率器件(半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO)选型指南
SiC SBD & SiC MOSFET 超结功率MOSFET(SJ MOSFET) GaN MOSFET 金属氧化物半导体场效应管 沟槽式金属氧化物半导体场效应管 双沟槽金属氧化物半导体场效应管 IGBT 绝缘栅双极型晶体管 IGTO 集成发射极可关断晶闸管 半桥驱动电路
无锡紫光微 - SIC SBD,半桥驱动电路,双沟槽金属氧化物半导体场效应管,场效应管,沟槽式金属氧化物半导体场效应管,绝缘栅双极型晶体管,金属氧化物半导体场效应管,集成发射极可关断晶闸管,MULTI EPI超结功率MOSFET,超结功率MOSFET,DT MOSFET,GAN MOSFET,IGBT,IGTO,MOSFET,SIC MOSFET,SJ MOSFET,SJ-MOSFET,TPD60R1K0C,TMP11N60H,TPA70R1K5M,TCW20N120AD,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TPB70R135MFD,TPW60R160M,TTB95N68A,不间断电源,交通,共振模式电源供给,冶金,功率因数校正电路,大型电力电子成套设备,太阳能,工业电源,工业自动化,开关,开关电源,点击驱动,电力,电力逆变器,电动汽车充电站,电机控制,电机驱动,电磁炉,硬开关,逆变器,通用逆变器,通讯电源,锂电保护,锂电池,风能可再生能源,高密度电源转换,高效电源转换,高频电源,AC-DC逆变器,DC-DC转换器,DC/DC转换器,LED照明,PD快充,交流/直流电源的同步整流,交流/直流驱动,LC,PDP TV,PFC,PWM,UPS
想要过流能力强、耐压能力强的SiC MOSFET管,有推荐吗?
瑞之辰的超低内阻SiC MOSFET系列可冲,该系列使用自主研发的框架结构,650V系列产品 最低Rdon=5毫欧,1200V系列产品最低 Rdon=7毫欧。具有强大的过流能力(持续电流200A)、耐压能力(3300V)。
GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型:VDS(V):-250~1200,Id at 25℃(max)(A):-200~400,PD(max)(W):0.3-2300,Ciss(pF):19-15870.
产品型号
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品类
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Configuration
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ESD
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VDS(V)
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Id at 25℃(max)(A)
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PD(max)(W)
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Vgs(th)typ(V)
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RDS(on)(typ)(@10V)(mΩ、Ω)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
|
Crss(pF)
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Package
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GS120R033Q4A
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SiC MOSFET
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N channel
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NO
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1200V
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69A
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330W
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2.6V
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33mΩ@20V
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135
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2660
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9
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TO-247-4
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选型表 - GOFORD 立即选型
MOS管的重要参数有哪些?
MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。那么MOS管的重要参数有哪些呢?下面我们就来简单介绍一下。
ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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