SiC MOS

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SLKOR(萨科微)功率元器件和模块选型指南

公司介绍    碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管    超结场效应管/IGBT单管/可控硅    二极管    静电保护器件/瞬态抑制二极管    三极管/电源IC    运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥/霍尔传感器    光耦/石英晶体谐振器   

SLKOR  -  SIC备用电池,三合会,三极管,二极管,低压差线性稳压器,光敏晶体管,光电三端双向可控硅,光耦,光耦合器设备,单向可控硅,参考电源,双向可控硅,双极性结型晶体管,可控硅,可控硅光耦,场效应管,基准电源,开关二极管,快恢复二极管,整流二极管,整流桥,晶体管光耦,瞬态抑制二极管,石英晶体,石英晶体谐振器,碳化硅场效应管,碳化硅肖基特二极管,碳化硅肖特基二极管,稳压二极管,肖特基二极管,超结场效应管,达林顿晶体管阵列,达林顿阵列,运放,运算放大器,霍尔传感器,静电保护器件,静电放电,高速光耦,高速光耦合器,齐纳二极管,GBT单管,HALL传感器,IGBT单管,SIC场效应晶体管,低压差线性稳压器LDO,电源IC,直流-直流,超级结MOSFET,BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR,DARLINGTON ARRAY,DC-DC,DIODE,ESD,FAST RECOVERY DIODE,HALL SENSOR,HIGH-SPEED OPTOCOUPLERS,IGBT,LDO,MOSFET,OPERATIONAL AMPLIFIER,OPTICALCOUPLER EQUIPMENT,PHOTO TRANSISTOR,PHOTO TRIAC,QUARTZ CRYSTAL,RECTIFIER BRIDGE,RECTIFIER DIODE,REFERENCE POWER SUPPLY,SCHOTTKY DIODE,SCR,SIC MOSFET,SIC SBD,SUPER JUNCTION MOSFET,SWITCHING DIODE,TRIACS,TVS,ZENER DIODE,BTW69,MB10S,SL25T135FL,BTA26-1000,SL2306,SL2307,MB10F,SL2308,SMCJ440CA,SL2309,SL55X,SL40N60C,SL2310,SL2312,SL3400,SL54X,SL3402,SL3404,SL4614,RS1A,RS1M,不间断电源,充电桩,军事,医疗设备,大功率开关电源,太阳能光伏,太阳能光伏系统,手提电脑,新能源汽车,智慧家居,智慧家电,智能手机,智能扫地机器人,智能机器人,机器人,清洁能源发电,物联网,电动工具,电动车辆,电子烟,笔记本电脑,能源互联网领域,航天领域,车联网,通讯电力设备,通讯设备,锂电池保护,高端装备,高端设备,3C数码产品,LED照明,3C DIGITAL PRODUCTS,COMMUNICATION EQUIPMENTS,ELECTRIC POWER TOOLS,ELECTRIC VEHICLES,HIGH-END EQUIPMENTS,INTELLIGENT ROBOTS,IOT,IOV,LAPTOPS,LED LIGHTING,MEDICAL EQUIPMENTS,SMART HOME APPLIANCES,SMART PHONES,SOLAR PHOTOVOLTAIC SYSTEMS

2022/10/9  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

萃锦半导体SiC MOS选型表

萃锦半导体SiC MOSFET提供了更好的设计灵活性,可实现高系统效率、更高的开关频率,从而以更高的可靠性减小系统尺寸。产品优势:更高的系统效率;较小的Eoss损耗能量,极低的开关损耗,芯片面积小;开关速度快,开关噪声低,更高频率适用性;抗雪崩能力强,可以承受更大的浪涌电流;芯片可靠性高,参数一致性好,较高的稳定性;具有超快恢复性能的体二极管;较低的FOM;100%通过晶圆级老化测试

产品型号
品类
Package
VDSS(V)
ID(A) @25℃
VGS(th)(V)typ
Rdson(mΩ)@Tj=25℃
Rdson(mΩ)@Tj=175℃
Ciss(pF)
Crss(pF)
Qg(tot)
Switching Characteristics td(on)
Switching Characteristics tr
Switching Characteristics td(off)
Qrr(nC)
BCBF170N650T1
SiC MOS
TO263-7
1700
8.6
2.8
550
1000
183
2.1
13.2
5
17
13
32

选型表  -  萃锦半导体 立即选型

华轩阳电子MOS选型表

华轩阳电子MOS选型表包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管、P+P型场效应晶体管、N+N型场效应晶体管、N+P型场效应晶体管五种类型,主要有以下选型参数:VDSS耐压(V)18~650V;ID电流(A)0.1A~400A;RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)2.4~14000mΩ;应用等级均为民用级。

产品型号
品类
类型
VDSS耐压(V)
ID电流(A)
RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
RDON(mR)
封装
应用等级
HXY2301AI
P型场效应晶体管
P沟道
20V
3A
87mΩ
25mR
SOT-23
民用级

选型表  -  华轩阳电子 立即选型

SIC MOS相关授权代理品牌:

虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表

虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表主要提供以下参数选型,Vces(Max):650V~ 1700V,ID(Max):3A~165A,IDM:9A~555A,Typ Rds(on):800mΩ~ 1Ω,Qg(tot):1.2nC~ 216nC,Coss:16pF~239pF。

产品型号
品类
沟道
封装
VDS(Max)
ID(Max)
IDM
VTH(Typ)
VGS
Typ Rds(on)
Qg(tot)
Coss
HMM85N170T
SiC MOS
N沟道
TO-247-3
1700V
85A
255A
2.6V
-15V/+25V
28mΩ
200nC
200pF

选型表  -  虹美功率半导体 立即选型

【应用】适合SIC MOS管的驱动芯片,驱动能力高达4A

普通的驱动芯片无法满足SIC MOS高频率的开关速度,Silicon Labs推出的隔离栅极驱动器SI8273,最大输出4A的驱动能力,能满足高频率的驱动且损耗非常小。

2017-10-21 -  新应用 代理服务 技术支持 采购服务

【选型】无锡紫光微(UNIGROUP)半导体功率器件(半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO)选型指南

SiC SBD & SiC MOSFET    超结功率MOSFET(SJ MOSFET)    GaN MOSFET    金属氧化物半导体场效应管    沟槽式金属氧化物半导体场效应管    双沟槽金属氧化物半导体场效应管    IGBT 绝缘栅双极型晶体管    IGTO 集成发射极可关断晶闸管    半桥驱动电路   

无锡紫光微  -  SIC SBD,半桥驱动电路,双沟槽金属氧化物半导体场效应管,场效应管,沟槽式金属氧化物半导体场效应管,绝缘栅双极型晶体管,金属氧化物半导体场效应管,集成发射极可关断晶闸管,MULTI EPI超结功率MOSFET,超结功率MOSFET,DT MOSFET,GAN MOSFET,IGBT,IGTO,MOSFET,SIC MOSFET,SJ MOSFET,SJ-MOSFET,TPD60R1K0C,TMP11N60H,TPA70R1K5M,TCW20N120AD,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TPB70R135MFD,TPW60R160M,TTB95N68A,不间断电源,交通,共振模式电源供给,冶金,功率因数校正电路,大型电力电子成套设备,太阳能,工业电源,工业自动化,开关,开关电源,点击驱动,电力,电力逆变器,电动汽车充电站,电机控制,电机驱动,电磁炉,硬开关,逆变器,通用逆变器,通讯电源,锂电保护,锂电池,风能可再生能源,高密度电源转换,高效电源转换,高频电源,AC-DC逆变器,DC-DC转换器,DC/DC转换器,LED照明,PD快充,交流/直流电源的同步整流,交流/直流驱动,LC,PDP TV,PFC,PWM,UPS

2020年6月  - 选型指南  - 第六版 代理服务 技术支持 采购服务

想要过流能力强、耐压能力强的SiC MOSFET管,有推荐吗?

瑞之辰的超低内阻SiC MOSFET系列可冲,该系列使用自主研发的框架结构,650V系列产品 最低Rdon=5毫欧,1200V系列产品最低 Rdon=7毫欧。具有强大的过流能力(持续电流200A)、耐压能力(3300V)。

2024-12-13 -  技术问答

GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表

GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型:VDS(V):-250~1200,Id at 25℃(max)(A):-200~400,PD(max)(W):0.3-2300,Ciss(pF):19-15870.

产品型号
品类
Configuration
ESD
VDS(V)
Id at 25℃(max)(A)
PD(max)(W)
Vgs(th)typ(V)
RDS(on)(typ)(@10V)(mΩ、Ω)
Qg(nC)
Ciss(pF)
Crss(pF)
Package
GS120R033Q4A
SiC MOSFET
N channel
NO
1200V
69A
330W
2.6V
33mΩ@20V
135
2660
9
TO-247-4

选型表  -  GOFORD 立即选型

MOS管的重要参数有哪些?

MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。那么MOS管的重要参数有哪些呢?下面我们就来简单介绍一下。

2024-05-14 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)

SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。

ROHM  -  SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060

2024/2/27  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

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品类:SIC

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品类:SiC MOSFET

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