SiC substrate

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1200V的IGBT E3功率模块,其工艺有什么特别之处?

E3功率模块较之前的传统工艺相比,其SiC工艺使用新的IMB(Insulated Metal Baseplate)取代了传统的基板焊接层(substrate solder layer),将基板单独的分立出来,展现了强劲的技术研发实力。其中IMB是通过将一个电绝缘树脂层与上下两个铜层粘合到一起实现的。同时给功率模块带来以下优点:1、高的热循环能力;2、减少了热阻,可达到更快速的散热效果;3、高功率密度和低杂散电感,将IGBT启动工作及关断时出现的感应电压将至更低,安全性能更高。

2017-05-05 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

ROHM Group Company SiCrystal and STMicroelectronics Expand Silicon Carbide Wafer Supply Agreement

ROHM and STMicroelectronics announced the expansion of the existing multi-year, long-term 150mm silicon carbide (SiC) substrate wafers supply agreement with SiCrystal, a ROHM group company.

2024-04-30 -  原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务

Coherent Expands Silicon Carbide 200mm n-Type Epitaxial Wafer Production

Coherent announced today the launch of its 200mm silicon carbide epitaxial wafers (SiC epi-wafers). Substrate and epi-wafer shipments from the company at 350 micron and 500 micron thickness are now underway.

2024-09-30 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

Littelfuse(力特) ICP-2101 SiC Diode (TO-220) 测试报告

本报告为SGS台湾有限公司出具的一份测试报告,报告编号为CE/2015/A5650,日期为2015年11月5日。报告内容涉及对CERAMTEC GMBH电子应用部门提供的SUBSTRATE RUBALIT 708S样品进行多项化学物质检测,包括镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、DBP、BBP、DEHP、DIBP等,检测结果均符合RoHS指令及(EU) 2015/863的限值要求。报告详细列出了测试方法、检测极限值和测试结果。

LITTELFUSE  -  工业电子,汽车电子,消费电子,通信设备

2016年02月03日  - 测试报告 代理服务 技术支持 采购服务

How to Reduce Specific System Costs with Silicon Carbide Devices?

Silicon carbide (SiC) has outstanding properties which makes it a very useful material for power semiconductor devices in multiple applications, such as renewable energy systems and inverters for electric vehicles. How to Reduce Specific System Costs with Silicon Carbide Devices? Multi chip packaging and substrate technologies play a major role in this equation. Power density depends on switching frequency and heat dissipation. Chip area must be optimized.

2021-08-13 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

The Key to Market Development of Silicon Carbide Components: Wafer Fabrication

Compared with silicon (Si), the performance advantages of components using silicon carbide (SiC) substrates are very significant, especially in the performance of high pressure and high temperature resistance. However, these advantages have not been converted into market scale. This high-performance component that has been around for more than a decade has been shelved. The main reason is the lack of smooth manufacturing and production capacity of silicon carbide wafers.

2024-06-16 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

Condura®。主要活性金属钎焊(AMB)Si3N4基板

Condura®.prime AMB-Si3N4基板采用氮化硅材料,具备优异的机械性能和热导率,适用于高可靠性电力电子模块。该基板结合了良好的机械强度和高效散热特性,适用于高功率密度应用。通过使用银烧结、Die Top System (DTS®)和铜键合技术,可优化性能和可靠性,并充分利用宽禁带半导体(SiC、GaN)。Heraeus提供多种材料组合,满足特定需求,并提供工程服务,确保可靠供应。

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05.2018  - 技术文档

N-Type SiC Substrate:碳化硅衬底

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江苏卓远半导体有限公司  -  SIC 晶锭,SIC CRYSTAL INGOTS,SIC 外延片,SIC 衬底片,SIC EPITAXIAL WAFERS,SIC SUBSTRATE SLICE,射频器件,新能源汽车,智能逆变器,核能,风力发电,高功率 IGBT

SiC Substrate Nox Selective Catalytic Reduction SCR催化剂

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HPSI-Type SiC Substrate 高质量碳化硅衬底

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