SiC substrate
相关结果约97437条1200V的IGBT E3功率模块,其工艺有什么特别之处?
E3功率模块较之前的传统工艺相比,其SiC工艺使用新的IMB(Insulated Metal Baseplate)取代了传统的基板焊接层(substrate solder layer),将基板单独的分立出来,展现了强劲的技术研发实力。其中IMB是通过将一个电绝缘树脂层与上下两个铜层粘合到一起实现的。同时给功率模块带来以下优点:1、高的热循环能力;2、减少了热阻,可达到更快速的散热效果;3、高功率密度和低杂散电感,将IGBT启动工作及关断时出现的感应电压将至更低,安全性能更高。
ROHM Group Company SiCrystal and STMicroelectronics Expand Silicon Carbide Wafer Supply Agreement
ROHM and STMicroelectronics announced the expansion of the existing multi-year, long-term 150mm silicon carbide (SiC) substrate wafers supply agreement with SiCrystal, a ROHM group company.
广告 发布时间 : 2025-01-06
Coherent Expands Silicon Carbide 200mm n-Type Epitaxial Wafer Production
Coherent announced today the launch of its 200mm silicon carbide epitaxial wafers (SiC epi-wafers). Substrate and epi-wafer shipments from the company at 350 micron and 500 micron thickness are now underway.
Littelfuse(力特) ICP-2101 SiC Diode (TO-220) 测试报告
本报告为SGS台湾有限公司出具的一份测试报告,报告编号为CE/2015/A5650,日期为2015年11月5日。报告内容涉及对CERAMTEC GMBH电子应用部门提供的SUBSTRATE RUBALIT 708S样品进行多项化学物质检测,包括镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、DBP、BBP、DEHP、DIBP等,检测结果均符合RoHS指令及(EU) 2015/863的限值要求。报告详细列出了测试方法、检测极限值和测试结果。
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How to Reduce Specific System Costs with Silicon Carbide Devices?
Silicon carbide (SiC) has outstanding properties which makes it a very useful material for power semiconductor devices in multiple applications, such as renewable energy systems and inverters for electric vehicles. How to Reduce Specific System Costs with Silicon Carbide Devices? Multi chip packaging and substrate technologies play a major role in this equation. Power density depends on switching frequency and heat dissipation. Chip area must be optimized.
The Key to Market Development of Silicon Carbide Components: Wafer Fabrication
Compared with silicon (Si), the performance advantages of components using silicon carbide (SiC) substrates are very significant, especially in the performance of high pressure and high temperature resistance. However, these advantages have not been converted into market scale. This high-performance component that has been around for more than a decade has been shelved. The main reason is the lack of smooth manufacturing and production capacity of silicon carbide wafers.
Condura®。主要活性金属钎焊(AMB)Si3N4基板
Condura®.prime AMB-Si3N4基板采用氮化硅材料,具备优异的机械性能和热导率,适用于高可靠性电力电子模块。该基板结合了良好的机械强度和高效散热特性,适用于高功率密度应用。通过使用银烧结、Die Top System (DTS®)和铜键合技术,可优化性能和可靠性,并充分利用宽禁带半导体(SiC、GaN)。Heraeus提供多种材料组合,满足特定需求,并提供工程服务,确保可靠供应。
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N-Type SiC Substrate:碳化硅衬底
N型碳化硅衬底(N-Type SiC Substrate)是用于制造高性能半导体器件的关键材料。该产品具有优异的物理和电学特性,能够在高温、高压和高功率环境下稳定工作。其主要应用领域包括电力电子、微波射频和光电器件等。N型碳化硅衬底具有高纯度、低缺陷密度和良好的结晶质量,能够显著提升器件的性能和可靠性。此外,该衬底还支持多种外延生长技术,如化学气相沉积(CVD)和分子束外延(MBE),适用于制备高质量的碳化硅外延层。该产品的典型尺寸为150毫米和200毫米直径,厚度范围为300至650微米。碳化硅衬底的应用领域广泛,特别是在电动汽车、智能电网、工业电源和通信基站等领域的功率模块中表现尤为突出。
TAISIC MATERIALS CORP. - N-TYPE SIC SUBSTRATE,半导体材料,碳化硅衬底,光电器件,工业电源,微波射频,智能电网,电力电子,电动汽车,通信基站
ZORRUN SiC 碳化硅系列产品
ZORRUN SiC 碳化硅系列产品包括 SiC 晶锭、SiC 衬底片和 SiC 外延片。这些产品广泛应用于高功率 IGBT、智能逆变器、射频器件、风力发电、新能源汽车、核能等领域。SiC 晶锭具有高纯度和优良的晶体质量,SiC 衬底片具备低缺陷密度和高均匀性,SiC 外延片则具有良好的外延层质量和优异的电学性能。这些产品在高温、高压、高频等严苛环境下表现出色,能够显著提升设备的效率和可靠性。
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SiC Substrate Nox Selective Catalytic Reduction SCR催化剂
SiC Substrate Nox Selective Catalytic Reduction (SCR) 催化剂主要用于通过氨选择性催化还原技术从柴油排放气体中去除NOx。该催化剂适用于商业柴油发动机,分为V-SCR催化剂和分子筛SCR催化剂。V-SCR催化剂能够满足道路柴油IV和V的排放标准,而分子筛SCR催化剂进一步细分为Cu-SCR和Fe-SCR,主要应用于道路柴油VI和非道路柴油IV及以上排放标准。此外,SCR催化剂还用于船舶和固定源的NOx处理。其应用领域包括柴油驱动发动机、实用发动机等。产品具有高效率、低能耗的特点,符合国家VI、EURO VI标准。形状为圆形或椭圆形,基材为SiC。包装为硬纸板包裹在草垫中,最小订购量为50件,每月供应能力为300,000件。
SINOCAT ENVIRONMENTAL TECHNOLOGY CO., LTD. - 催化剂,环保设备,SCRF,固定源,实用发动机,柴油发动机后处理,船舶
HPSI-Type SiC Substrate 高质量碳化硅衬底
Synlight公司提供的HPSI-Type SiC Substrate是一款高质量的碳化硅衬底产品,适用于多种高频率和高功率应用。该产品具有优异的晶体质量和加工质量,能够满足客户对高性能碳化硅衬底的需求。产品规格包括直径、厚度、表面取向、TTV、BOW、Warp和表面粗糙度等参数。该衬底适用于5G射频、卫星通信、相控阵雷达、车载WiFi、空中交通管制和TACAN等领域。
同光晶体 - HPSI-TYPE SIC SUBSTRATE,碳化硅衬底,卫星通信,塔康,相控阵雷达,空中交通管制,5G射频,车载WIFI,TACAN
碳化硅晶片 4H导电型 SiC Substrate
该产品是TanKeBlue公司生产的碳化硅(SiC)晶片,属于4H导电型SiC Substrate系列。产品主要用于半导体行业,具有高导电性和良好的热导率,适用于制造高性能的功率器件。该型号的SiC晶片具有以下特点:高纯度、低缺陷密度、良好的机械性能和化学稳定性。产品适用于多种应用场景,如新能源汽车、光伏逆变器、工业电机驱动等。
天科合达 - 4H CONDUCTIVE SUBSTRATE,碳化硅晶片,光伏逆变器,半导体行业,工业电机驱动,新能源汽车
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