T1706C

TOROIDAL INDUCTORS(环形电感）

得羽创科技  -  T1706C,环形电感,环形电感器,TOROIDAL INDUCTORS,T90-060,T10*6*4C-12K,T22*14*8C-12K,T60-26,T1406C,T18*10*7C-7K,T18*10*7C-15K,T184-18,T38-52,T40-18,T18*10*10C-5K,T255-26,T18*10*10C-10K,T12*6*4C,主板,噪声滤波器,噪音过滤器,开关电源,报警系统,电视,蜂鸣器,蜂鸣器和报警系统,音响设备,AUDIO EQUIPMENT,BUZZERS AND ALARM SYSTEMS,MOTHERBOARD,NOISE FILTERS,SWITCHING POWER SUPPLIES,TV

IXFT170N25X3HV IXFH170N25X3 IXFK170N25X3 X3-Class HiPerFETTMPower MOSFET

本资料介绍了IXYS公司的X3-Class HiPerFETTM系列功率MOSFET，包括型号IXFT170N25X3HV、IXFH170N25X3和IXFK170N25X3。这些器件具有高耐压（250V）、大电流（170A）和高导通电阻（≤7.4mΩ）的特点，适用于开关电源和直流转换器等领域。

LITTELFUSE  -  IXFT170N25X3HV,X3级HIPERFET™ 功率MOSFET,X3-CLASS HIPERFET™ POWER MOSFET,IXFH,IXFK170N25X3,IXFH170N25X3,IXFK,IXFT,交直流电机驱动,开关模式和谐振模式电源,机器人和伺服控制,DC-DC转换器,PFC电路,AC AND DC MOTOR DRIVES,DC-DC CONVERTERS,PFC CIRCUITS,ROBOTICS AND SERVO CONTROLS,SWITCH-MODE AND RESONANT-MODE POWER SUPPLIES

DA-A82-B2-T1700-C010-0.2 3D

德康威尔  -  DA-A82-B2-T1700-C010-0.2,直线电机

T15系列Ethernet/ip总线模块

SIRON  -  T170,ETHERNET/IP总线模块,一体式I/O总线模块,T130-3,T110-3,T151-4,T150-5,T151-5,T171,T190,T15□-□,T191,T180-3,T110,T111,T130,T131,T150,T160-3,T151,T120-3,T141-3,T11□-□,T1系列,T181,T160,T15系列,T1

FT 170 AFT 170过滤器

本文介绍了Exxelia Technologies生产的滤波器产品，包括其技术特性、工作条件、安装注意事项、可靠性和不同类型的滤波器架构。文章还讨论了电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）的影响，以及如何选择合适的滤波器。

EXXELIA  -  AFT170W7005UV450,过滤器,FILTERS,FT 170,AFT 170

电缆规格Titan Flex 170数据表零件系列：Titan Flex®

本资料为Titan Flex 170电缆规格说明书，介绍了该款电缆的电学数据、机械和环境数据、构造数据以及标准连接器和选项。该电缆适用于多种标准连接器接口，具有高屏蔽效果、低插入损耗和优异的强度。

EMC RFLABS  -  NMS-T170-120.0-NMS-ROHS,电缆,CABLE,TITAN FLEX®,NMS-T170-120.0-NMS+/-2.8PS,TITAN FLEX 170

天工测控 SKB369测试报告

本报告为Skylab M&C Technology Co.,Ltd提交的WIFI模块SKB369的测试报告。报告编号为TCT170714C001-2，测试日期为2017年9月22日。测试内容包括Pb、Cd、Hg、Cr(VI)、PBBs和PBDEs等有害物质的含量检测。测试结果显示，样品中所有有害物质的含量均符合欧盟RoHS 2.0指令的要求。

天工测控  -  SKB369

GPT170ND10LND 100V双N沟道MOSFET

本资料介绍了GPT170ND10LND型100V双通道N沟道MOSFET的特性。该器件采用分割栅槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻等特点。适用于电源开关应用。

格瑞宝电子  -  GPT170ND10LND,双N沟道MOSFET,DAUL N-CHANNEL MOSFET,电源切换应用,POWER SWITCHING APPLICATION

RCT170-M单向晶闸管组件

本资料介绍了JIEJIE SEMICONDUCTOR CO., Ltd生产的RCT170-M型双阳极SCR高压芯片。该芯片采用玻璃钝化技术、多层金属化和真空焊接工艺制造，适用于无功补偿、固态继电器和功率模块等领域。

捷捷微电  -  RCT170-M,单向晶闸管组件,UNIDIRECTIONAL THYRISTOR ASSEMBLY,功率模块,固态继电器,无功补偿,POWER MODULE,REACTIVE POWER COMPENSATION,SOLID STATE RELAY

CRTT170N10N沟槽式N-MOSFET 100V，15mΩ，60A\n

本资料介绍了CRTT170N10N型Trench N-MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用CRM(CQ)先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和优异的开关频率乘积（FOM）。适用于电机控制和驱动等领域。

华润微电子  -  CRTT170N10N,沟槽式N-MOSFET,TRENCH N-MOSFET,不间断电源,电动机驱动,电机控制,电池管理,BATTERY MANAGEMENT,MOTOR CONTROL,MOTOR DRIVE,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,UPS