X3C21P1-03

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【选型】EMC RFLabs 微波器件选型指南

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EMC RFLABS  -  X3C21P1-03,低无源互调电阻,功率分配器,功率取样器,变温衰减器,同轴变温衰减器,同轴固定衰减器,同轴远程终端,吸收式微波衰减器,固定衰减器,大功率电阻元件,大功率衰减器,大功率贴片衰减器,宽带射频电桥,宽带射频耦合器,宽频带变温衰减器,宽频带耦合器,射频元件,射频功分器,射频电阻,射频耦合器,射频衰减器,射频负载,嵌入式安装终端,带状片式终端,开关终端,微型变温衰减器,微波器件,扩展型变温衰减器,插片及盖板型终端,插片型终端,插片式电阻器,插片式终端,插片终端,散热器,无源温补衰减器,杆式电阻器,法兰固定衰减器,法兰电阻器,法兰终端,波导衰减器,混合耦合器,温度补偿衰减器,片式终端,电源箱衰减器,电缆,电缆组件,电阻,电阻功率分配器,电阻器,盖板型终端,盖板式电阻器,终端,薄膜卡,表面贴装终端,衰减器,负载,贴片型固定衰减器,贴片型终端,贴片电阻器,贴片衰减器,金刚石固定衰减器,金刚石射频电阻,金刚石射频电阻装置,金刚石插片衰减器,金刚石法兰终端,金刚石法兰衰减器,金刚石电阻器,金刚石终端,金刚石贴片终端,金刚石贴片衰减器,非磁性信号分配产品,非磁性电阻元件,高可靠性变温衰减器,高可靠性微型变温衰减器,高可靠性贴片型衰减器,高可靠性贴片式固定衰减器,HYBRIX®3DB混合耦合器,HYBRIX®信号分配,HYBRIX®定向调节器,HYBRIX®混合耦合器,K波段变温衰减器,K波段固定衰减器,K波段衰减器,Q波段变温衰减器,Q波段固定衰减器,Q波段衰减器,SMT贴片型衰减器,同轴SMA衰减器,金刚石SMT插片式贴片电阻器,82 7013TC,83 XXXXTC,32 1209,33 1052,83 7017TC,12 系列,D3PP20F,HPR2F,33 1050,CR0402D,DS15D10,SMT2010TALN,32 1200,32 1201,82 3003TC,81 7042,32P,个人代步工具,个人娱乐,仓储,便携数码,健康设备,医疗设备,可穿戴设备,国防工业设备,大家电,小家电,工业医疗,广播电视设备及系统,微波通信,手机相关,消费电子部件,物联网,玩具,移动通信,网络通信,运动设备,通信设备

选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

HybriX®3 dB混合耦合器系列

SMITHS INTERCONNECT  -  X3C21P1-03,HPR2F,D3PP20F,XPRF,DS15D10,HPJ2F,D3PV30F,HPD2TF,HD128M3F,HE298MF,WH0530TF,D2PLXXF,HMR2F,P3S35J,X3C09P2-03,XC3500P-03S,P3S35L,RPD0212F,SXUXX

2020/04/16  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

X3C21P1-03S 3 dB,90°混合耦合器

该资料详细介绍了Anaren公司生产的X3C21P1-03S型号3dB混合耦合器。该耦合器是一款低剖面、高性能的表面贴装组件,适用于LTE和WIMAX频段应用。它专为平衡功率和低噪声放大器、信号分配以及其他需要低插入损耗和紧密幅度相位平衡的应用而设计。该产品具有高功率处理能力,可达110瓦,并采用与常见基板材料兼容的热膨胀系数材料制造。

TTM TECHNOLOGIES  -  X3C21P1-03S,HYBRID 耦合器,低剖面高性能3DB混合耦合器,HYBRID COUPLER,LOW PROFILE HIGH PERFORMANCE 3DB HYBRID COUPLER

2020/3/20  - 数据手册  - Rev: E

热增强高功率射频LDMOS FET 55 W,28 V,1805–2170 MHz PXAC210552FC

该资料详细介绍了PXAC210552FC这款55瓦LDMOS FET的特性,适用于1805至2170 MHz频段的多元标准蜂窝功率放大器应用。该器件采用非对称Doherty设计,具有双路径设计、输入和输出匹配以及带无耳法兰的热增强封装。它由Infineon的先进LDMOS工艺制造,提供卓越的热性能和可靠性。

INFINEON  -  X3C21P1-03S,LDMOS场效应晶体管,热增强大功率射频LDMOS场效应管,LDMOS FET,THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET,PXAC210552FC,ATC600FQR8CW25QT,ATC600FQR5CW25QT,ECJ-3VB1H104K,ATC600F180GW250T,SK221M050ST,UMK325C7106MM-T,ATC600F5R1BW25QT,ATC600F0R8CW25Q,多标准蜂窝功率放大器,MULTI-STANDARD CELLULAR POWER AMPLIFIER

2015-12-04  - 数据手册  - Rev. 02 产品选型

PTAC210802FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET80 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz

PTAC210802FC是一款80瓦LDMOS场效应晶体管,专为1805至2170 MHz频段的多元标准蜂窝网络功率放大器应用设计。该器件采用非对称设计,具有双路径设计、输入匹配、高增益和热增强型无耳法兰封装。PTAC210802FC采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造,提供卓越的热性能和可靠性。

WOLFSPEED  -  热增强高功率射频低密度半导体场效应晶体管80瓦,28伏,1805-2170兆赫, 1805 – 2170 MHZ, 28 V,THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET 80 W,EEE-FP1V101AP,ERJ-8GEYJ102V,PTAC210802FC V1 R0,LTA/PTAC210802FC,ATC800A240JT250XB,PTAC210802FC,UMK325C7106MM-T,PTAC210802FC-V1-S250,C1210C104K5RACTU,X,1805~2170MHZ频段多标准蜂窝功率放大器的应用,MULTI-STANDARD CELLULAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS IN THE 1805 TO 2170 MHZ FREQUENCY BAND

2018-06-25  - 数据手册  - Rev. 07

ANAREN X3C21P1-03SR 射频芯片

万维电子  -  X3C21P1-03SR,射频芯片,无线传输,通信设备

X3C21P1-03S 1.8GHz-2.4GHz SMD射频定向耦合器

KEY COMPONENTS  -  X3C21P1-03S,射频定向耦合器,RF/IF和RFID,威马克斯,长期演进技术,LTE,WIMAX

Xinger® 90度混合式耦合器3dB - 射频及专用组件

ANAREN  -  射频及专用组件,X3C21P2-03S,X3C70F1-03S,XC0450E-03S,X3C14E2-03S,C5060J5003AHF,X4C20J1-03G,C0727J5003AHF,X3C06A4-03S,X3C03A1-03S,X3C25F1-023S,X3C07F1-03S,X4C20K1-03S,X,功率放大器应用,医疗,工业与仪器仪表,汽车,网络与通信,航空航天与国防,计算机,雷达系统,C4ISR & 空间系统,5G

Xinger® 90度3dB混合耦合器 - 四端口器件,支持225 MHz至6.0 GHz频率范围

TTM TECHNOLOGIES, INC.  -  混合耦合器,X3C21P2-03S,X3C70F1-03S,XC0450E-03S,X3C14E2-03S,C5060J5003AHF,X4C20J1-03G,C0727J5003AHF,X3C06A4-03S,X3C03A1-03S,X3C25F1-023S,X3C07F1-03S,X4C20K1-03S,X,功率放大器应用,航空航天,通信网络,雷达系统

PXAC210552FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz

PXAC210552FC是一款55瓦LDMOS FET,专为1805至2170 MHz频段的多元标准蜂窝功率放大器应用设计。该器件采用非对称Doherty设计,具有双路径输入和输出匹配,以及带无耳法兰的热增强封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造,提供卓越的热性能和可靠性。

WOLFSPEED  -  热增强高功率射频低密度半导体场效应晶体管55瓦,28伏,1805-2170兆赫, 1805 – 2170 MHZ, 28 V,THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET 55 W,PXAC210552FC,ATC600F5R1BW250T,ECJ-3VB1H104K,PXAC210552FC-V1-R0,ATC600F180GW250T,PXAC210552FC-V1-R2,LTA/PXAC210552FC,SK221M050ST,UMK325C7106MM-T,ATC600,1805~2170MHZ频段多标准蜂窝功率放大器的应用,MULTI-STANDARD CELLULAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS IN THE 1805 TO 2170 MHZ FREQUENCY BAND

2018-07-02  - 数据手册  - Rev. 03

MACP-011010:5MHz-1.2GHz RF定向耦合器

KEY COMPONENTS  -  RF定向耦合器,DC1722J5010AHF,X3C09P2-30S,CP0603A1960ENTR,CP0603V1880BNTR,X3C26P1-30S,MACP-011010,CP0402A1810BNTR,X3C09P2-03S,MACP-011045,HHM22139A2,CP0603V0836CNTR,卫星通信,无线通信,雷达系统

PXAC201602FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 140 W, 28 V, 1880 – 1920 MHz, 2010 – 2025 MHz

PXAC201602FC是一款140瓦LDMOS FET,适用于1880至1920 MHz和2010至2025 MHz频段的多元标准蜂窝功率放大器应用。该器件具有输入和输出匹配,以及带无耳法兰的热增强封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造,提供优异的热性能和可靠性。

WOLFSPEED  -  热增强大功率射频低密度半导体场效应晶体管140瓦,28伏,1880-1920兆赫,2010-2025兆赫, 1880 – 1920 MHZ, 2010 – 2025 MHZ, 28 V,THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET 140 W,ATC600F0R4BT,PXAC201602FC-V1-R0,ATC600F0R3BT,PXAC201602FC,LTA/PXAC201602FC,UMK325C7106MM-T,ATC800A2R2BT250T,PXAC201602FC-V1-R250,PXAC201602FC V1 R250,1880-1920MHZ和2010-2025MHZ频段的多标准蜂窝功率放大器应用,MULTISTANDARD CELLULAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS IN THE 1880 TO 1920MHZ AND 2010 TO 2025 MHZ FREQUENCY BANDS

2018-07-02  - 数据手册  - Rev. 05

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