XP2300F004T
相关结果约12条【元件】FORESEE XP2300 PCIe SSD:引领AI PC存储革新的旗舰级解决方案
FORESEE XP2300 PCIe SSD搭载236层3D TLC闪存颗粒,采用了新一代PCIe 4.0 SSD控制器,容量覆盖256GB~4TB,顺序读写速度最高可达7400MB/s / 6700MB/s;随机读写速度最高可达1070K / 1130K IOPS。产品集成了HMB主机内存缓冲器、IDA初始数据加速、FBA空闲块数据加速等自研技术,专为AI PC、超薄笔记本、电竞主机等设计。
FORESEE XP2300 PCIe SSD: A Flagship Solution Leading the AI PC Memory Revolution
FORESEE is joining this wave of technological innovation with its latest high-capacity, high-performance flagship product - the XP2300 series PCIe 4.0 M.2 2280 SSD. Available in capacities from 256GB to 4TB, the XP2300 PCIe SSD provides sequential read / write speeds up to 7,400MB/s / 6,700MB/s and random read/write speeds up to 1,070K / 1,130K IOPS.
广告 发布时间 : 2025-01-06
应能微TVS&二极管选型表
应能微提供以下技术参数的TVS选型,VRWM:1V~80V,Cj Typ:0.15pF~3700pF,IR Max:0.02μA-600μA,PPP:10W-8000W;二极管选型,VRWM(V):45V,Cj Typ(pF):90pF、25pF。
产品型号
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品类
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UNI/BI
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Line Config
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VRWM(V)
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VBR Min(V)
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Cj Typ(pF)
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IR Max(μA)
|
PPP(W)
|
Package
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ASK45V1RD3
|
Schottky Barrier Diode
|
Bi
|
1-Line
|
45
|
40
|
90
|
100
|
0.32
|
SOD-323
|
选型表 - 应能微 立即选型
扬杰科技晶闸浪涌保护器选型表
扬杰科技提供以下选型参数的晶闸浪涌保护器选型表,耐压值VDRM(V)6V~440V,正向断态漏电流IDRM(uA):5uA;
产品型号
|
品类
|
Package
|
VDRM(V)
|
VS(V)
|
VT(V)
|
IDRM(uA)
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IS(mA)
|
IT(A)
|
IH(mA)
|
RθJA(℃/W)
|
Tj(℃)
|
Ipp 2/10us Min(A)
|
Ipp 8/20us Min(A)
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Ipp 10/160us Min(A)
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Ipp 10/560us Min(A)
|
Ipp 10/1000us Min(A)
|
Itsm 60Hz Min(A)
|
di/dt Typ(A)
|
P0080SA
|
晶闸浪涌保护器
|
SMB
|
6
|
25
|
4
|
5
|
800
|
2.2
|
50
|
80
|
-55~+150
|
150
|
150
|
90
|
50
|
45
|
20
|
500
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
SXSEMI TSS选型表
SXSEMI提供TSS选型表产品,VDRM(V):6V~320V、IDRM(uA):5uA、CO(pF):35pF~160pF
产品型号
|
品类
|
VDRM(V)
|
IDRM(uA)
|
VS(V)
|
IS(mA)
|
IH(mA)
|
VT(V)
|
IT(A)
|
CO(pF)
|
Package
|
P0080SA
|
TSS
|
6
|
5
|
25
|
800
|
50
|
4
|
2.2
|
80
|
SMB
|
选型表 - SXSEMI 立即选型
里阳半导体固体放电管TSS选型表
里阳半导体固体放电管TSS选型表,峰值关态电压:6~320V,关态电流:5μA。Peak Off-state Voltage:6~320V,Off-state Current:5μA
产品型号
|
品类
|
Package
|
Peak Off-state Voltage(V)
|
Off-state Current(μA)
|
Switching Voltage(V)
|
Switching Current(mA)
|
On-state Voltage(V)
|
On-state Current(A)
|
Holding Current(mA)
|
Off-state Capacitance @2V, 1MHz(pF)
|
P0080SA
|
TSS
|
SMB
|
6V
|
5μA
|
25V
|
800mA
|
4V
|
2.2A
|
50mA
|
50pF
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型
优恩半导体TSS半导体放电管选型表
优恩半导体提供如下技术参数TSS半导体放电管选型,VDRM @IDRM=5uA(V) min:6~440;VS @100V/uS (V)max:25~600;VT @IT=2.2A (V) max:4; IS(mA)max:800;IT(A)max: 2.2;IH(mA)min:5、50、120、150;Co@1MHz(pF)min:15~40;C0 @1MHz(pF)max:30~170。TSS半导体放电管设计用于保护宽带设备,如调制解调器,线路卡,CPE和DSL免受过电压瞬变的破坏。该系列提供了表面贴装解决方案,使设备符合全球监管om/sele标准。
产品型号
|
品类
|
Marking
|
VDRM @IDRM=5μA(V)min
|
VS @100V/μS(V)max
|
VT @IT=2.2A (V) max
|
IS(mA) max
|
IT(A)max
|
IH(mA)min
|
C0 @1MHz(pF)min
|
C0 @1MHz(pF)max
|
P0080TA
|
Thyristor Surge Suppressors
|
P008A
|
6
|
25
|
4
|
800
|
2.2
|
50
|
25
|
50
|
选型表 - 优恩半导体 立即选型
萨瑞微电子TSS选型表
萨瑞微电子TSS/半导体放电管选型,Off-Stand Voltage VDRM(V):6V-500V;Switching Current Is(mA) :800mA;Max Switching Voltage Vs(V):25V-600V。
产品型号
|
品类
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Off-Stand Voltage VDRM(V)
|
Max Off-Stand Current IDRM(uA)
|
Max Switching Voltage Vs(V)
|
Switching Current Is(mA)
|
Max On-state Voltage VT(V)
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On-state Current IT(A)
|
Max Capacitance Co@2、1MHz(pF)
|
Min Holding Current IH(mA)
|
Surge Peak(V)
|
Surge Wavefom(uS)
|
P0080FA
|
TSS
|
6
|
5
|
25
|
800
|
4
|
2.2
|
50
|
20
|
2000V
|
10/700uS
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
全业电子TSS半导体放电管选型表
全业电子TSS半导体放电管选型, Peak Off-state Voltage(min): 6V~550V, Switching Voltage(max): 25V~700V, On-state Current(max): 4V, Switching Current(max): 800mA
产品型号
|
品类
|
Peak Off-state Voltage
(V)(min)
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Switching Voltage
(V)(max)
|
On-state Current
(V)(max)
|
Switching Current
(mA)(max)
|
On-state Current
(A) (max)
|
Holding Current
(mA) (min)
|
Off-state Capacitance C0 @1MHz
(pF) (max)
|
Voltage waveform in 10/700μS Peak pulse
(A) (min)
|
P0080TA
|
TSS半导体放电管
|
6V
|
25V
|
4V
|
800mA
|
2.2A
|
50mA
|
50pF
|
50A
|
选型表 - 全业电子 立即选型
DCY半导体放电管选型表
DCY提供以下参数的半导体放电管选型,VS @100KV/S(V)MAX:25-550,IS_LMT(mA):500-800,VT@IT(V)MAX:4,IT(A):2.2,VD(V):6-400。
产品型号
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品类
|
VS @100KV/S(V)MAX
|
IS_LMT(mA)
|
VT@IT(V)MAX
|
IT(A)
|
ID@VD(uA)MAX
|
VD(V)
|
CO@1MHz,2VDC(pF)TYP
|
IH(mA)TYP
|
P0080TA
|
半导体放电管
|
25
|
500
|
4
|
2.2
|
5
|
6
|
53
|
30
|
选型表 - DCY 立即选型
GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型:VDS(V):-250~1200,Id at 25℃(max)(A):-200~400,PD(max)(W):0.3-2300,Ciss(pF):19-15870.
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
ESD
|
VDS(V)
|
Id at 25℃(max)(A)
|
PD(max)(W)
|
Vgs(th)typ(V)
|
RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ、Ω)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
Crss(pF)
|
Package
|
G06P01E
|
Trench Mosfet
|
P channel
|
ESD
|
-12V
|
-4A
|
1.8W
|
-0.6V
|
23mΩ~28mΩ
|
14
|
1087
|
253
|
SOT-23
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选型表 - GOFORD 立即选型
TT微调电位器选型表
TT Electronics微调电位器选型表主要提供以下参数选型,标准电阻范围:10Ω~3MΩ,功率范围:0.025W~5W,标准电阻公差范围:±1%~±30%.
产品型号
|
品类
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Standard Resistance
|
Power
|
Standard Resistance Tolerance
|
Temperature Coefficient
|
Number of Turns
|
82MR25KLF
|
Single Turn Trimmer
|
25KΩ
|
0.5W
|
±10%
|
±100ppm/℃
|
Single Turn
|
选型表 - TT Electronics 立即选型
电子商城