XP2300F004T

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【元件】FORESEE XP2300 PCIe SSD:引领AI PC存储革新的旗舰级解决方案

FORESEE XP2300 PCIe SSD搭载236层3D TLC闪存颗粒,采用了新一代PCIe 4.0 SSD控制器,容量覆盖256GB~4TB,顺序读写速度最高可达7400MB/s / 6700MB/s;随机读写速度最高可达1070K / 1130K IOPS。产品集成了HMB主机内存缓冲器、IDA初始数据加速、FBA空闲块数据加速等自研技术,专为AI PC、超薄笔记本、电竞主机等设计。

2024-08-16 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

FORESEE XP2300 PCIe SSD: A Flagship Solution Leading the AI PC Memory Revolution

FORESEE is joining this wave of technological innovation with its latest high-capacity, high-performance flagship product - the XP2300 series PCIe 4.0 M.2 2280 SSD. Available in capacities from 256GB to 4TB, the XP2300 PCIe SSD provides sequential read / write speeds up to 7,400MB/s / 6,700MB/s and random read/write speeds up to 1,070K / 1,130K IOPS.

2024-08-22 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

应能微TVS&二极管选型表

应能微提供以下技术参数的TVS选型,VRWM:1V~80V,Cj Typ:0.15pF~3700pF,IR Max:0.02μA-600μA,PPP:10W-8000W;二极管选型,VRWM(V):45V,Cj Typ(pF):90pF、25pF。

产品型号
品类
UNI/BI
Line Config
VRWM(V)
VBR Min(V)
Cj Typ(pF)
IR Max(μA)
PPP(W)
Package
ASK45V1RD3
Schottky Barrier Diode
Bi
1-Line
45
40
90
100
0.32
SOD-323

选型表  -  应能微 立即选型

选型表  -  SXSEMI 立即选型

优恩半导体TSS半导体放电管选型表

优恩半导体提供如下技术参数TSS半导体放电管选型,VDRM @IDRM=5uA(V) min:6~440;VS @100V/uS (V)max:25~600;VT @IT=2.2A (V) max:4; IS(mA)max:800;IT(A)max: 2.2;IH(mA)min:5、50、120、150;Co@1MHz(pF)min:15~40;C0 @1MHz(pF)max:30~170。TSS半导体放电管设计用于保护宽带设备,如调制解调器,线路卡,CPE和DSL免受过电压瞬变的破坏。该系列提供了表面贴装解决方案,使设备符合全球监管om/sele标准。

产品型号
品类
Marking
VDRM @IDRM=5μA(V)min
VS @100V/μS(V)max
VT @IT=2.2A (V) max
IS(mA) max
IT(A)max
IH(mA)min
C0 @1MHz(pF)min
C0 @1MHz(pF)max
P0080TA
Thyristor Surge Suppressors
P008A
6
25
4
800
2.2
50
25
50

选型表  -  优恩半导体 立即选型

DCY半导体放电管选型表

DCY提供以下参数的半导体放电管选型,VS @100KV/S(V)MAX:25-550,IS_LMT(mA):500-800,VT@IT(V)MAX:4,IT(A):2.2,VD(V):6-400。

产品型号
品类
VS @100KV/S(V)MAX
IS_LMT(mA)
VT@IT(V)MAX
IT(A)
ID@VD(uA)MAX
VD(V)
CO@1MHz,2VDC(pF)TYP
IH(mA)TYP
P0080TA
半导体放电管
25
500
4
2.2
5
6
53
30

选型表  -  DCY 立即选型

GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表

GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型:VDS(V):-250~1200,Id at 25℃(max)(A):-200~400,PD(max)(W):0.3-2300,Ciss(pF):19-15870.

产品型号
品类
Configuration
ESD
VDS(V)
Id at 25℃(max)(A)
PD(max)(W)
Vgs(th)typ(V)
RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ、Ω)
Qg(nC)
Ciss(pF)
Crss(pF)
Package
G06P01E
Trench Mosfet
P channel
ESD
-12V
-4A
1.8W
-0.6V
23mΩ~28mΩ
14
1087
253
SOT-23

选型表  -  GOFORD 立即选型

TT微调电位器选型表

TT Electronics微调电位器选型表主要提供以下参数选型,标准电阻范围:10Ω~3MΩ,功率范围:0.025W~5W,标准电阻公差范围:±1%~±30%.

产品型号
品类
Standard Resistance
Power
Standard Resistance Tolerance
Temperature Coefficient
Number of Turns
82MR25KLF
Single Turn Trimmer
25KΩ
0.5W
±10%
±100ppm/℃
Single Turn

选型表  -  TT Electronics 立即选型

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品牌:GOFORD

品类:Trench Mosfet

价格:

现货: 0

品牌:格瑞宝电子

品类:N-Channel MOSFET

价格:¥0.1334

现货: 1,053,000

品牌:铨力半导体

品类:N-Channel Enhancement Mosfet

价格:¥0.0715

现货: 161

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