世晶半导体三极管产品选型表
世晶半导体的三极管产品，有NPN/PNP型，功率耗散100/200/300mW可选，电流200/500/1500mA，集电极基极反向击穿电压40/60V，集电极发射极反向击穿电压25/40V，发射极基极间反向击穿电压5/6V，工作温度﹣45~150℃，DFN1006-3L/SOT-723/SOT-523/SOT-23可选
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产品型号
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品类
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Package
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极性
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PCM（mW）
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IC（mA）
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BVCBO（V）
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BVCEO（V）
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BVEBO（V）
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工作温度范围（℃）
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SNT04N103
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三极管
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DFN1006-3L
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NPN
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100
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200
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60
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40
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6
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﹣45~150
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
世晶半导体MOSFET产品选型表
世晶半导体的MOSFET产品, 一个N沟道型和一个P沟道型，VDS漏源电压-20~60V可选，VGS栅源之间的电压值-20~20V可选，部分产品有ESD保护功能，ID漏极电流值-9~5.8A可选，工作温度﹣45~ 150℃，多种封装形式可选
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产品型号
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品类
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Packaging
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Type
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Vds（V）
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Vgs（V）
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ESD
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Id（A）
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VT Min（V）
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VT Max（V）
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Rds(on)/(mΩ) Vgs=4.5V Typ
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Rds(on)/(mΩ) Vgs=4.5V Max
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Rds(on)/(mΩ) Vgs=2.5V Typ
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Rds(on)/(mΩ) Vgs=2.5V Max
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工作温度范围（℃）
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SM20N07
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MOSFET
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DFN1006-3L
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Single-N
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20
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12
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YES
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0.75
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0.75
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1.1
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250
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500
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300
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700
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﹣45~150
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
世晶半导体防浪涌EOS产品选型表
世晶半导体DE的防浪涌EOS产品，可以提供保护1根I/O或电源线，单双向可选，反向截止电压从4.5~24V可选， 峰值脉冲电流最大220V，峰值脉冲功率高达8800W，工作温度﹣55~ 125℃，有SOD-323，DFN2*2-3L，DFN2*2-3L三种封装产品
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产品型号
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品类
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LINE CONFIG.
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VRWM (V)
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Vc(V)@Ipp
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IPP MAX(A)
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PPP(W)
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PACKAGE
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工作温度（℃）
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SEO4V5FD322
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防浪涌EOS
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1-Line Bi-Directional
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4.5V
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27.5V
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140A
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3300W
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SOD-323
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﹣55℃~ 125℃
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
世晶半导体小型化ESD产品选型表
世晶半导体小型化ESD产品，外形尺寸最小：0.02″X 0.01″（0.6 mm X 0.30 mm）。可以提供保护1~6根I/O或电源线，单双向可选，反向截止电压从1.2~36V可选，击穿电压1.7~40V可选，反向漏电流0.01~5μA可选，峰值脉冲电流1~160A可选，钳位电压3.5~75V可选，结电容0.15~550 pF可选。有多种封装形式产品可选。
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产品型号
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品类
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PACKAGE
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LINE CONFIG.
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VRWM (V)
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VBR MIN (V)
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Cj MAX (pF)
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IPP MAX (A)
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Vc(V)@Ipp
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IR MAX (μA)
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PPP (W)
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工作温度范围（℃）
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SST1V2XBP062
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小型化ESD
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CSP0603-2L
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1-Line Bi-Directional
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1.2V
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1.7V
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0.25pF
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4A
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4V
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0.01μA
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55W
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﹣40℃~ 125℃
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
世晶半导体稳压管产品选型表
世晶半导体的稳压管产品，功率耗散250/500mW可选，VZ标称稳定电压2~75V可选，最小值1.8~70V，最大值2.09~79V，IZT测试电流1/2/5mA，ZZT在测试电流 IZT 条件下的阻抗10~255Ω，ZZK在拐点电流 IZK 条件下的阻抗80~1000Ω，IZK拐点电流0.5/1/11mA，IR 反向漏电流0.1~150uA，VR反向电压0.5~57V，工作温度﹣55~ 150℃，多种封装形式产品可选
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产品型号
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品类
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Package
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PD（mW）
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VZ@IZT Nom（V）
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VZ@IZT Min（V）
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VZ@IZT Max（V）
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IZT（mA）
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ZZT@IZT（Ω）
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ZZK@IZK（Ω）
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IZK（mA）
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IR（uA）
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VR（V）
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VF（V）
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IF（mA）
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工作温度范围（℃）
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SZ2V4HN102
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稳压管
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DFN1006
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500
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2.4
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2.2
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2.6
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5
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100
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600
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1
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50
|
1
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0.9
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10
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﹣55~150
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
世晶半导体普通肖特基二极管产品选型表
世晶半导体的普通肖特基二极管产品，IF(AV) 正向电流0.1~5A可选，VRWM 反向峰值工作电压20~200V，IFSM 最大正向浪涌电流0.5~150A可选，VF 正向压降典型值0.23~0.95V，最大值0.37~5V，IR 反向电流典型值0.1~80uA，最大值0.5~1000uA，工作温度﹣40~ 125℃，多种封装形式产品可选
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产品型号
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品类
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Package
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IF（A）
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VRRM（V）
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IFSM（A）
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VF Typ（V）
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VF Max（V）
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IR Typ（uA）
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工作温度范围（℃）
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SD30A01N062
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普通肖特基二极管
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DFN0603-2L
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0.1
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30
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0.5
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0.5
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0.65
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0.2
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﹣40~125
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
世晶半导体大功率TVS产品选型表
世晶半导体的大功率TVS产品反向截止电压5~440V，击穿电压6.4~492V可选，最大钳位电压9.2~713V可选，最大脉冲电流0.3~65.2可选，峰值脉冲功率200/400/600可选，工作温度﹣55~ 155℃，多种封装形式
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产品型号
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品类
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Package
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Rever Stand-off Voltage VRWM（V）
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Breakdown Voltage VBR（V）
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Maximum Clamping Voltage VC@IPP（V）
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Maximum Peak Pulse Current Ipp（A）
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Peak Pulse Power Ppp@Ipp（W）
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工作温度范围（℃）
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TVS5.0SMBP10
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大功率TVS
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SMB(DO-214AA)
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5
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6.4
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9.2
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108.7
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1000
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﹣65~ 155
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
世晶半导体聚合物ESD抑制器CESD产品选型表
世晶半导体聚合物ESD抑制器CESD产品，外形尺寸最小：0.02″X 0.01″（0.6 mm X 0.30 mm），单路双向，反向截止电流5~30V可选，结电容0.05~33pF可选，ESD能力±8KV，工作温度﹣40~ 85℃
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产品型号
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品类
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Package
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Channel
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Directional
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VRWM(V)
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Cj(pF)
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ESD(Contact KV)
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工作温度（℃）
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CESD05BC0201
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CESD
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O2O1
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1
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Bi
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5V
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33pF
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±8KV
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﹣40℃~85℃
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
世晶半导体小信号开关二极管产品选型表
世晶半导体的小信号开关管产品，PD功率耗散100/150/200/300/350mW可选，最大反向回复时间4/5ns，DFN1006-2L/SOD-523/SOD-323/SOD-123/SOT-23封装形式
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产品型号
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品类
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Package
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PD(mW)
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VR(V)
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IR@VR(μA)
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IO(mA)
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IR(μA)
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VR@IR(V)
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VF(V)
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IF@VF(mA)
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Trr(ns)
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工作温度范围
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SW100N102
|
小信号开关管
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DFN1006-2L
|
100
|
80
|
100
|
100
|
0.1
|
80
|
1.2
|
100
|
4
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﹣55~150
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选型表 - 世晶半导体 立即选型>>
【产品】采用SOD-523封装的的快恢复小信号二极管S1N4148WT，最大可重复峰值反向电压75V
世晶半导体推出的S1N4148WT是一款封装为SOD-523，具有快速开关速度的小信号二极管，在条件为Ta=25℃下，其最大正向连续电流可达300mA，最大可重复峰值反向电压为75V。
产品 发布时间 : 2023-03-23
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