亚成微电子（Reactor Microelectronics）LED照明驱动芯片选型指南
描述- 亚成微电子股份有限公司（简称“亚成微”），成立于2006年，是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片（ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线，可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。
型号- RM9003X 系列,RM9003XX,RM9001DE,RM9031A,RM9023D,RM9001DB,RM9023F,RM9001DA,RM9023E,RM9003B,RM9023-XX,RM9003A,RM9010GBV,RM9012GB,RM9010GB,RM9023-05,RM9010X
亚成微电子（Reactor Microelectronics）功率MOSFET选型指南
描述- 亚成微专注于高速率功率集成技术设计领域。主要产品包括功率MOSFET、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及包络追踪射频功率放大器（ET-PA）等。产品可被广泛应用于5G通讯、消费电子以及LED照明等多领域中。亚成微拥有由多名博士带领的国际领先技术的设计团队，公司自主研发的产品已获得国家专利62项、国际专利3项，另有67余项专利正在受理中，其中包含9项国际专利。
型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650B
亚成微电子（Reactor Microelectronics）AC-DC电源管理芯片选型指南
描述- 亚成微电子股份有限公司（简称“亚成微”），成立于2006年，是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。目前，基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片（ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线，可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。
型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6
亚成微电子（Reactor Microelectronics）高压超结MOSFET选型指南
描述- 亚成微电子股份有限公司（简称“亚成微”），成立于2006年，是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片（ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线，可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。
型号- RMA65R1K0SN,RMG70R650SN,RME60R190SF,RMK70R280SN,RMK65R380SN,RME70R650SN,RMF60R090SF,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMC60R190SF,RMC70R1K0SN,RMG65R1K0SN,RMC70R
亚成微电子开关电源芯片选型表
亚成微开关电源芯片，最大功率8W~120W，工作频率65KHz~130KHz
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产品型号
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品类
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应用领域
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最大功率（W）
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工作频率（kHz）
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功率管
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封装形式
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分类
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RM6820NQL
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开关电源芯片
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快速充电器、电源适配器、模块电源
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120W
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85kHz
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内置GaN
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PLP8*8
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副边反馈(SSR)+ZVS
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亚成微电子智能功率开关选型表
亚成微智能功率开关，导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃（Typ）2.8mΩ-200mΩ；有过压保护、过流限制、过温保护
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产品型号
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品类
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导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃（Typ）
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导通电阻/RON(mΩ)TJ=25℃（Max）
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负载电流典型值/IL(A)（Nom）
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负载电流典型值/IL(A)（ISO）
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短路电流保护值/IL(SC)(A)
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通道数量
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封装
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保护特性
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诊断特性
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RM75200
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智能功率开关
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150
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200
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0.7
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/
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1.4
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1
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SOT-223
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过压保护 过流限制 过温保护
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/
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亚成微电子LED高压线驱动选型表
亚成微LED高压线驱动，过温保护90℃-150℃，可调；最大电流5.5mA-500mA
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产品型号
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品类
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过温保护（℃）
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MOS耐压(V)
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最大电流（mA）
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封装形式
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结构
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RM06R20A
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LED高压线驱动芯片
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140
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40
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13
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SOT23-3
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去纹波电流
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亚成微电子同步整流芯片选型表
亚成微同步整流芯片，电路拓补DCM/QR/CCM，工作频率100~350KHz
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产品型号
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品类
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电路拓扑
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工作频率（KHz）
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功率管
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封装形式
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分类
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RM3436DH
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同步整流芯片
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DCM/QR/CCM
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150KHz
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7mQ/100V
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DFN5*6
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同步整流(SRC)
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亚成微电子高压超结MOS选型表
亚成微高压超结MOSFET，VDS：80V~700V，ID：4A~70A，PD：30W~480W
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产品型号
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品类
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Vᴅs (M)（V）
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Iᴅ(A)25
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Pᴅ(W)25
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Rᴅs₍ᴏɴ₎(Vɢs=10V)Max
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Qɢ(nC)(Vɢs=10V)Typ
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Vɢs (V)
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Vɢs₍th₎ (V)Typ
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Package
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RMA70R1K0SN
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高压超级结MOSFET
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700
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4
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37
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1000
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9.1
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30
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3.3
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TO-252
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【产品】待机功耗小于75mW的电流控制型PWM开关控制芯片RM6801S，集成X-CAP放电功能
RM6801S是亚成微电子推出的一款高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。
产品 发布时间 : 2023-06-06
亚成微高雪崩高可靠性超结MOSFET在DJI大疆100W双USB-C口氮化镓桌面充电器的应用
大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计，PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流，LLC采用亚成微RMD65R380SN MOS管组成半桥。滤波电容来自冠坤电子，输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流，电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。
应用方案 发布时间 : 2024-06-07
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