【选型】先导中心（SASTC）碳化硅（SiC）功率元器件选型指南
目录- SiC功率元器件产品介绍 SiC肖特基势垒二极管/SiC MOSFET
型号- SA1D065012SC,SA1D065012SA,SA1D065010SC,SA1D120010SC,SA1M12000065D,SA1M33000060,SA1D065050SC,SA1D065010SA,SA1D120010SA,SA1D065001S,SA1D065008SC,SA1M170
【产品】先导中心即将推出1200V 20mΩ SiC MOSFET，有助实现更小型更高效的下一代功率转换系统
先导中心即将推出的1200V SiC MOSFET产品SA1M12000020型号，采用自对准短沟道工艺，大幅度降低了器件导通电阻，达到20mΩ，使其具有高开关速度、低导通损耗等特点，将为应用系统带来更高的功率密度、更高的工作温度。
新产品 发布时间 : 2021-12-06
广告 发布时间 : 2024-09-28
先导中心可量产TO-247封装的SiC SBD、SiC MOSFET，可广泛用于光伏逆变器、电动汽车等领域
SiC相对于Si具有击穿电压高（10倍于Si），宽的带隙（3倍于Si），高的热导率（3倍于Si），高的载流子迁移率（2倍于Si）。由于这些优势，用SiC制备的功率器件相较于传统Si器件，拥有高耐压能力、高使用温度、高功率密度、低导通损耗及开关损耗。
原厂动态 发布时间 : 2022-03-23
碳化硅专利储备数量国内排名第一的厂家，成功研发650V-3300V的SiC器件
碳化硅功率材料长期以来被视为电动汽车的理想选择，同时可以用于电力系统、高铁、航空航天等各大领域。先导中心（SASTC）是碳化硅专利储备数量国内排名第一的供应商，现为世强硬创电商的签约生态合作伙伴，授权平台代理旗下碳化硅产品SBD系列、碳化硅MOS系列及碳化硅模块。
公司动态 发布时间 : 2021-08-17
碳化硅专利储备数量国内排名第一供应商——先导中心（SASTC）
先导中心（SASTC），全称为陕西半导体先导技术中心，致力于第三代半导体和先进硅器件的关键共性技术工程化研发，主攻碳化硅、氮化镓和先进硅器件三个技术方向，研制出国内领先的650V和 1200V 的肖特基二极管产品共23款，1200V的MOSFET产品共5款，同时具备40-650V 电压等级的电力电子器件和面向 5G和特种频段的微波功率器件研发能力。
品牌简介 发布时间 : 2021-08-02
先导中心已成功研发出650V-3300V的碳化硅器件，完成SiC MOSFET量产平台的打造
陕西半导体先导技术中心日前已完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造，MOSFET器件系列产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，目前已经成功研发出650V-3300V的碳化硅器件，其中多款产品填补了国内空白。
原厂动态 发布时间 : 2021-08-04
|
|
|
