凌讯微电子（LXMICRO）功率半导体器件选型表
平面肖特基 Low VF肖特基 高压MOS 中低压MOS Cool MOS 快恢复二极管 三极管 三端稳压管 SiC二极管
凌讯微电子 - SIC二极管,中低压 MOS,中低压MOS,COOL MOS,三极管,高压MOS,快恢复二极管,三端稳压管,冷MOS,LT180N03AT,LSC04D120T,MBR3060CT,SBT20V100DC,MBR40200PT-B,MUR6060PTS,MUR2060DC,SBT10L150SCS,LSC04D120P,MBR4060CT-B,LT60N06AP,LT100N08AT,MBR3060DC,SBT20
凌讯微电子晶体管选型表
凌讯微电子提供以下参数的晶体管选型：Iᴅ(A):5-12A,电压Vᴄʙᴏ(V) Min.：700V，Vᴄᴇᴏ(V) Min.:400V
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产品型号
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品类
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Iᴅ(A)
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Vᴄʙᴏ(V) Min.
|
Vᴄᴇᴏ(V) Min.
|
Vᴇʙ(V) Min.
|
Iᴄʙᴏ(uA) Max.
|
Iᴇʙᴏ(uA) Max.
|
HFE MIN
|
HFE MAX
|
Die Code
|
是否量产
|
封装
|
|
LX13007A1
|
晶体管
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5
|
700
|
400
|
9
|
10
|
10
|
15
|
35
|
BA
|
否
|
TO-220AB
|
选型表 - 凌讯微电子 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
凌讯微电子COOL MOS管选型表
凌讯微电子提供全系8寸的COOL MOS管的选型：650V以多层外延为主，600V平台有部份规格为深沟槽工艺，规格包含60/65R040-60/65R1K0全系完善
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产品型号
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品类
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Iᴅ(A)
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Vᴅss(V) Min.
|
Vɢss(V) Min.
|
Vɢs(th)(V) Min.
|
Vɢs(th)(V) Max.
|
RDS(ON)10V(mΩ) Typ
|
RDS(ON)10V(mΩ) MAX
|
Die Code
|
是否量产
|
Die
|
封装
|
|
LC65R1K0F
|
COOL MOS管
|
5
|
650
|
30
|
2
|
4
|
800
|
1000
|
JS
|
否
|
1
|
TO-220F
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选型表 - 凌讯微电子 立即选型
凌讯微电子中低压MOS管选型表
凌讯微电子提供8寸与12寸的中低压MOS管的选型：分电压平台采用沟槽及SGT工艺，主要产品在20-200V为常出产品，全系列产品都可以找到接近电性替代
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产品型号
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品类
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Iᴅ(A)
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Vᴅss(V) Min.
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Vɢss(V) Min.
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Vɢs(th)(V) Min.
|
Vɢs(th)(V) Max.
|
RDS(ON)4.5V(mΩ) TYP
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RDS(ON)4.5V(mΩ) MAX
|
Die Code
|
是否量产
|
备注/可替换型号
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Die
|
封装
|
|
LT60N02AD
|
中低压MOS管
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60
|
20
|
±12
|
0.4
|
1.2
|
4.8
|
6.3
|
LW
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样品
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电动工具
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1
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TO-252
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选型表 - 凌讯微电子 立即选型
凌讯微电子高压MOS管选型表
凌讯微电子提供6寸与8寸的高压MOS管的选型：电压400-1500V，电流4A-40A
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产品型号
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品类
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Iᴅ(A)
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Vᴅss(V) Min.
|
Vɢss(V) Min.
|
Vɢs(th)(V) Min.
|
Vɢs(th)(V) Max.
|
RDS(ON)10V(mΩ) Typ
|
RDS(ON)10V(mΩ) MAX
|
Die Code
|
推广秩序
|
是否量产
|
封装
|
|
CS11N40A1
|
高压MOS管
|
11
|
400
|
±30
|
2
|
4
|
550
|
690
|
LF
|
主推
|
否
|
TO-220AB
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选型表 - 凌讯微电子 立即选型
凌讯微电子快恢复二极管选型表
凌讯微电子提供以下技术参数的快恢复二极管的选型：电压200-1500V，电流8-80A（注释，Die 1：尾辍带CT代表双胞胎芯片；Die 1:型号尾辍带AC代表1颗单芯；Die 2代表2颗单芯*2）
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产品型号
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品类
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Die
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Io(A)
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Vʙʀ@Iʀ Min(V)
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Vғ（25℃) If(A)
|
Vғ（25℃) Typ(V)
|
Vғ（25℃) Max(V)
|
Iʀ（25℃) Typ(uA)
|
Iʀ（25℃) Max(uA)
|
Iғsᴍ(A)
|
Trr Max(nS)
|
Tj(℃)
|
Die Code
|
是否量产
|
封装
|
|
MUR1220CT
|
快恢复二极管
|
1
|
12
|
200
|
6
|
0.91
|
0.975
|
0.01
|
1
|
100
|
35
|
150
|
BA
|
是
|
TO-220AB
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选型表 - 凌讯微电子 立即选型
凌讯微电子低压降肖特基二极管选型表
凌讯微电子提供以下技术参数的LowVF肖特基的选型：电压45-300V，电流10-60A（注释，Die 1：型号尾辍带S代表1颗单芯；Die 2：代表2颗单芯*2）
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产品型号
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品类
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Die
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Io(A)
|
Vʙʀ@Iʀ Min(V)
|
Vғ（25℃)@Iғ If(A)
|
Vғ（25℃)@Iғ Typ(V)
|
Vғ（25℃)@Iғ Max(V)
|
Iʀ（25℃) @Vʙʀ Typ(uA)
|
Iʀ（25℃)@Vʙʀ Max(uA)
|
Vғ(125℃)@Iғ If(A)
|
IFSM(A)
|
Tj(℃)
|
Die Code
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推广秩序
|
是否量产
|
封装
|
|
SBT20L45CT
|
低压降肖特基二极管
|
2
|
20
|
45
|
10
|
0.46
|
0.52
|
40
|
120
|
3
10
|
180
|
150
|
LE
|
主推
|
是
|
TO-220AB
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选型表 - 凌讯微电子 立即选型
凌讯微电子平面肖特基二极管选型表
凌讯微电子提供以下技术参数的平面肖特基二极管的选型：电压45-200V，电流10-60A（注释，Die 1：型号尾辍不带S代表双胞胎；Die 1：型号尾辍带S代表1颗单芯；Die 2：代表2颗单芯*2）
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产品型号
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品类
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Die
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Io(A)
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Vʙʀ Min(V)
|
Vғ（25℃) If(A)
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Vғ（25℃) Typ(V)
|
Vғ（25℃) Max(V)
|
Iʀ（25℃) Typ(uA)
|
Iʀ（25℃) Max(uA)
|
IFSM(A)
|
Tj(℃)
|
Die Code
|
推广秩序
|
封装
|
|
MBR1045CT
|
平面肖特基二极管
|
1
|
10
|
45
|
5
|
0.54
|
0.6
|
3
|
30
|
100
|
150
|
PS
|
主推
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TO-220AB
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选型表 - 凌讯微电子 立即选型
凌讯微电子碳化硅肖特基二极管选型表
凌讯微电子提供6寸及8寸的SIC二极管的选型：芯片核心团队主要源自台湾，电压650-2000V，电流4-50A
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产品型号
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品类
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Die
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Io(A)
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Vʙʀ@Iʀ Min(V)
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Vғ（25℃)@Iғ If(A)
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Vғ（25℃) @Iғ Typ(V)
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Vғ（25℃)@Iғ Max(V)
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Iʀ（25℃)@Vʙʀ Typ(uA)
|
Iʀ（25℃)@Vʙʀ Max(uA)
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Iғsᴍ(A)
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Tj(℃)
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Die Code
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是否量产
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封装
|
|
LSC04D65T
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碳化硅肖特基二极管
|
1
|
4
|
650
|
4
|
1.36
|
1.5
|
1.1
|
50
|
42
|
175
|
AF
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样品
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TO-220AC
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选型表 - 凌讯微电子 立即选型
超结MOS是什么？有什么作用?
凌讯微提供多种Cool MOS型号供选择，具有内阻低、抗冲击能力强、结电容低、品质稳定等特点。
肖特基二极管漏电的原因及解决方法
肖特基二极管是一种半导体元器件，由金属与P型半导体或N型半导体接触而形成，属于单向导电元件。它的结构与普通二极管的结构类似，但是肖特基二极管没有PN结，而是由金属和半导体之间的Schottky势垒形成的。当肖特基二极管的正极连接到P型半导体，负极连接到金属时，金属与P型半导体之间将会形成一个势垒。
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